finfet工藝，所謂導(dǎo)熱管散熱器的穿fin工藝指的是什么

來源：整理時(shí)間：2023-08-30 18:33:25 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，所謂導(dǎo)熱管散熱器的穿fin工藝指的是什么
2，驍龍820是14納米還是16納米
3，驍龍835是不是采用了三星10nm FinFET制造工藝
4，不是說三星的14nm相當(dāng)于英特爾的22nm嗎
5，半導(dǎo)體二極管中溝槽工藝和平面工藝有什么區(qū)別
6，驍龍835是三星的還是小米的

1，所謂導(dǎo)熱管散熱器的穿fin工藝指的是什么

穿fin，熱管穿插在鰭片之間，鰭片包裹熱管相對(duì)的另一種技術(shù)是焊接，外表有明顯的焊接殘留物2種技術(shù)沒有絕對(duì)的好壞，要看具體產(chǎn)品的做工

所謂導(dǎo)熱管散熱器的穿fin工藝指的是什么

2，驍龍820是14納米還是16納米

14nm FinFET 工藝

驍龍820采用最新14納米finfet工藝制程，支持最高達(dá)單核2.2ghz的處理速度。

驍龍820是14納米還是16納米

3，驍龍835是不是采用了三星10nm FinFET制造工藝

是的，驍龍835最大的一個(gè)特點(diǎn)是采用了三星10nm FinFET制造工藝，2015年底發(fā)布的驍龍820則是采用三星14nm FinFET工藝。三星是業(yè)內(nèi)最早推出14nm制程芯片的半導(dǎo)體公司，大幅領(lǐng)先臺(tái)積電等競爭對(duì)手，而這次向10nm跨進(jìn)也實(shí)屬必然。

也許是的。

驍龍835是不是采用了三星10nm FinFET制造工藝

4，不是說三星的14nm相當(dāng)于英特爾的22nm嗎

半導(dǎo)體制程里面說法很多，比手機(jī)無邊框那種可以打無數(shù)種擦邊球的都復(fù)雜，一般認(rèn)為三星在這方面就有愛吹水的偏好，所以業(yè)內(nèi)很多人習(xí)慣的認(rèn)為三星宣布的制程應(yīng)該落后一代計(jì)算，實(shí)際上情況復(fù)雜的多，兩家生產(chǎn)的不是同一種產(chǎn)品，也沒法太較真。

相當(dāng)于英特爾的14納米工藝，至少英特爾是這樣認(rèn)為的。英特爾副總裁stacy smith說三星的工藝數(shù)字經(jīng)過“美化”的，掩蓋了柵極間距、晶體管密度等關(guān)鍵指標(biāo)。比如14納米finfet工藝下，三星柵極、鰭的間距為84、78納米。大于intel的70納米、64納米；10finfet納米工藝下，三星柵極間距為64納米，大于intel的54納米。英特爾的10納米還是比較值得期待的，因?yàn)樗?4納米多了近2.5倍的晶體管。。。。

5，半導(dǎo)體二極管中溝槽工藝和平面工藝有什么區(qū)別

FinFET在發(fā)明之初就是為了解決平面晶體管的短溝道效應(yīng)問題，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。與平面晶體管不同之處在于FinFET的溝道平面垂直于襯底平面，并且溝道兩側(cè)以及頂部同時(shí)受到柵電極的電壓控制，因此從靜電勢的分布來看，整個(gè)溝道厚度方向上存在著更為均勻的電場控制，使得溝道電荷更容易被柵電極的電壓信號(hào)所調(diào)制，從而降低與源漏端的共享，即短溝道效應(yīng)。相比較32 nm平面晶體管，22 nm的FinFET器件亞閾值特性更加陡峭，從而能夠在較低的閾值電壓下工作而不破壞關(guān)態(tài)電流，從而獲得更高的驅(qū)動(dòng)電流。這使得FinFET可以在更低的工作電壓下工作，獲得超過37%的性能提升。相比于FinFET器件，圍柵納米線器件可從各個(gè)方向控制溝道能電勢，具有更強(qiáng)的短溝道效應(yīng)控制能力，從而實(shí)現(xiàn)極小的泄漏電流。

網(wǎng)頁鏈接一個(gè)串聯(lián)回路有10個(gè)相同封裝的電阻，每個(gè)電阻的額定功耗是1W：阻值相同時(shí)，該回路最大能承受10W的功耗；阻值不同時(shí)，阻值最大的電阻功耗達(dá)到1W時(shí)，其他電阻的功耗<1W，最大能承受的功耗<10W。

6，驍龍835是三星的還是小米的

都不是，是高通的。百度百科提供相關(guān)資料供您參考:驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。中文名驍龍835外文名Qualcomm Snapdragon 835 Processor廠商高通[1] 用途手機(jī)等移動(dòng)終端發(fā)布2016年11月17日，高通正式公布了驍龍835處理器。[2]驍龍835已經(jīng)開始進(jìn)行生產(chǎn)，2017年上半年正式出貨。[2]性能制程工藝高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。[1]2016年10月，三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將會(huì)提升電池續(xù)航。[2]核心驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，并采用八核設(shè)計(jì)。驍龍835將采用10nm八核心設(shè)計(jì)，大小核均為Kryo280架構(gòu)，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。[3]

不是