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1，為什么小功率三極管要用外延片工藝
2，分子束外延技術(shù)的優(yōu)點有哪些
3，什么叫同質(zhì)外延
4，外延片以及LED芯片工藝問題
5，硅外延是什么意思
6，拋光外延片生產(chǎn)流程回答的好可以加倍給分

1，為什么小功率三極管要用外延片工藝

因為現(xiàn)在外延工藝生產(chǎn)成熟化，成本低。外延工藝能夠隨意的參雜，對三極管的一些電性能靈敏度影響很大~所以說要用外延片生產(chǎn)工藝~

這也不是絕對的，就見過用十來個三極管并聯(lián)的電瓶供電的電魚機。一般不這樣做有以下幾個原因：一、三極管的參數(shù)不好做成完全一致，易造成分流不均。二、每路要加分壓電阻，使電路的成本增加。三、用大功率單管，工藝簡單、體積也小的多、易調(diào)整。

為什么小功率三極管要用外延片工藝

2，分子束外延技術(shù)的優(yōu)點有哪些

分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。該技術(shù)的優(yōu)點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于精確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。用這種技術(shù)已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料。

分子束外延技術(shù)的優(yōu)點有哪些

3，什么叫同質(zhì)外延

外延：是指在單晶襯底上、按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。同質(zhì)外延：生長外延層和襯底是同一種材料，這種工藝就是同質(zhì)外延；這類工藝簡單，但成本較高。異質(zhì)外延：外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學(xué)組分、甚至是物理結(jié)構(gòu)和襯底完全不同的外延層，相應(yīng)的工藝就叫做異質(zhì)外延；這類工藝復(fù)雜、成本較低，

外延：是指在單晶襯底上、按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。廣義：也是一種化學(xué)氣相淀積（CVD）工藝。正向外延：在低阻襯底材料上生長高阻外延層的工藝為正向外延。反向外延：與正向外延相反。同質(zhì)外延：生長外延層和襯底是同一種材料，這種工藝就是同質(zhì)外延。異質(zhì)外延：外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學(xué)組分、甚至是物理結(jié)構(gòu)和襯底完全不同的外延層，相應(yīng)的工藝就叫做異質(zhì)外延

什么叫同質(zhì)外延

4，外延片以及LED芯片工藝問題

1.外延片指的是在襯底上生長出的半導(dǎo)體薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三個部分構(gòu)成?，F(xiàn)在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石，硅，碳化硅三種，量子阱一般為5個，通常用的生產(chǎn)工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD)。這是LED產(chǎn)業(yè)的核心部分，需要較高的技術(shù)以及較大的資金投入(一臺MOCVD一般要好幾千萬)。 2.外延片的檢測一般分為兩大類: 一是光學(xué)性能檢測，主要參數(shù)包括工作電壓，光強，波長范圍，半峰寬，色溫，顯色指數(shù)等等，這些數(shù)據(jù)可以用積分球測試。二是可靠性檢測，主要參數(shù)包括光衰，漏電，反壓，抗靜電，I-V曲線等等，這些數(shù)據(jù)一般通過老化進行測試。 3.需要指出的是，并沒有白光LED芯片，只有白光LED燈珠/管，即需要進行封裝才能獲得白光小LED燈，也叫燈珠，管子。白光LED一般通過兩種途徑獲得：一是通過配光，將紅綠藍三色芯片進行配比封裝獲得白光LED. 二是通過熒光粉轉(zhuǎn)換藍光LED，從而獲得白光LED. 本人正從事相關(guān)行業(yè)，無關(guān)技術(shù)機密的東西都可以說一下。

5，硅外延是什么意思

外延生長【epitaxial growth】【】在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術(shù)發(fā)展于20世紀(jì)50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進石英反應(yīng)器中，也可采用紅外輻照加熱。為了克服外延工藝中的某些缺點，外延生長工藝已有很多新的進展：減壓外延、低溫外延、選擇外延、抑制外延和分子束外延等。外延生長可分為多種，按照襯底和外延層的化學(xué)成分不同，可分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延；按照反應(yīng)機理可分為利用化學(xué)反應(yīng)的外延生長和利用物理反應(yīng)的外延生長；按生長過程中的相變方式可分為氣相外延、液相外延和固相外延等。 http://baike.baidu.com/view/897520.htm 硅外延片:在N型硅拋光片襯底上生長的N型外延層(N/N+)和在P型硅拋光片襯底上生長的P型外延層(P/P+)的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品用于制作半導(dǎo)體器件。

6，拋光外延片生產(chǎn)流程回答的好可以加倍給分

生產(chǎn)工藝流程具體介紹如下：固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護層。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片劑。清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機溶劑。RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。具體工藝流程如下：SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產(chǎn)生硫酸霧和廢硫酸。DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產(chǎn)生氟化氫和廢氫氟酸。APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。此處產(chǎn)生氨氣和廢氨水。HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產(chǎn)生氯化氫和廢鹽酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產(chǎn)生的氧化膜。磨片檢測：檢測經(jīng)過研磨、RCA清洗后的硅片的質(zhì)量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。腐蝕A/B：經(jīng)切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產(chǎn)生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產(chǎn)生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產(chǎn)生粗拋廢液。精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度硅片。產(chǎn)生精拋廢液。檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。

參照Aixtron G4點檢操作指導(dǎo)書作業(yè) 技術(shù)員將設(shè)備點檢異常內(nèi)容通知設(shè)備副工、機臺工程師和值班主管；值班主管對點檢異常內(nèi)容進行確認(rèn)并填寫《設(shè)備異常處理單》設(shè)備工程師和設(shè)備副工繼續(xù)處理設(shè)備異常確認(rèn)手套箱內(nèi)是否有足夠的生產(chǎn)所需物品和治具；若有缺失，要及時按需在當(dāng)班班長處領(lǐng)用并做好記錄參照Aixtron G4操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 確認(rèn)Run別、LOT號及Recipe 每30分鐘確認(rèn)一次磊晶生長情況：如Recipe是否有效執(zhí)行并實時記錄u、 nGan反射率等參數(shù) 技術(shù)員將跳機異常內(nèi)容通知設(shè)備副工、機臺工程師、班長和值班主管；班長根據(jù)異常內(nèi)容及時在MES系統(tǒng)中切換設(shè)備狀態(tài)；值班主管根據(jù)跳機類別填寫《設(shè)備異常處理單》或《內(nèi)部聯(lián) 絡(luò)單》參照Aixtron G4操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 應(yīng)及時將MO Source Key In LEDUP 系統(tǒng)中，確保LEDUP系統(tǒng)中Source使用和監(jiān)控有效參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 機臺Idle并通知班長及時在MES系統(tǒng) 中切換設(shè)備狀態(tài) 參照Aixtron G4操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照Aixtron G4操作指導(dǎo)書作業(yè)和清潔刷使用要求。清潔包含但不限于： Disc、Ceiling、Segment、 Collector Ring、Star Cover等參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 實時記錄MO Source使用量 Bake或Bake Coating異?；蛱鴻C處理方法同磊晶生長異常處理參照Aixtron G4操作指導(dǎo)書作業(yè) 應(yīng)及時將Bake或Bake Coating MO Source Key In LEDUP系統(tǒng)中，確保 LEDUP系統(tǒng)中Source使用和監(jiān)控有效參照雷刻機操作指導(dǎo)書作業(yè) 機臺Idle并通知班長及時在MES系統(tǒng) 中切換設(shè)備狀態(tài) 參照EL機臺操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照PL機臺操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照XRD機臺操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照PR機臺操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照OM目檢作業(yè)指導(dǎo)書作業(yè) 參照Hall機臺操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 確認(rèn)LEDUP系統(tǒng)中“Reports\EPI\ EPI Wafer Measurement Data下的量測數(shù)據(jù)是否被系統(tǒng)抓到且有效。 "參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè)" LED up標(biāo)簽列印與Wafer裝袋（若出站無法列印標(biāo)簽）參照MES分批操作作業(yè) 參照MES分批操作作業(yè) MES分批Q-Run是第1片 MES分批Q-Run不是第1片，必須在LED UP系統(tǒng)中進行晶片重投完成Life確認(rèn) （非需要，默認(rèn)投第1片）參照MES下線操作指導(dǎo)書作業(yè) 參照OM目檢作業(yè)指導(dǎo)書作業(yè) 參照LED UP入庫作業(yè)指導(dǎo)書作業(yè) 參照LED UP入庫作業(yè)指導(dǎo)書作業(yè) 對入庫數(shù)量、倉別簽字確認(rèn) "實物入庫前標(biāo)簽與Wafer刻號再確認(rèn)"