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1，為什么小功率三極管要用外延片工藝
2，分子束外延技術的優(yōu)點有哪些
3，什么叫同質外延
4，外延片以及LED芯片工藝問題
5，硅外延是什么意思
6，拋光外延片生產流程回答的好可以加倍給分

1，為什么小功率三極管要用外延片工藝

因為現在外延工藝生產成熟化，成本低。外延工藝能夠隨意的參雜，對三極管的一些電性能靈敏度影響很大~所以說要用外延片生產工藝~

這也不是絕對的，就見過用十來個三極管并聯的電瓶供電的電魚機。一般不這樣做有以下幾個原因：一、三極管的參數不好做成完全一致，易造成分流不均。二、每路要加分壓電阻，使電路的成本增加。三、用大功率單管，工藝簡單、體積也小的多、易調整。

為什么小功率三極管要用外延片工藝

2，分子束外延技術的優(yōu)點有哪些

分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。該技術的優(yōu)點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強度易于精確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調整。用這種技術已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結構材料。

分子束外延技術的優(yōu)點有哪些

3，什么叫同質外延

外延：是指在單晶襯底上、按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。同質外延：生長外延層和襯底是同一種材料，這種工藝就是同質外延；這類工藝簡單，但成本較高。異質外延：外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層，相應的工藝就叫做異質外延；這類工藝復雜、成本較低，

外延：是指在單晶襯底上、按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。廣義：也是一種化學氣相淀積（CVD）工藝。正向外延：在低阻襯底材料上生長高阻外延層的工藝為正向外延。反向外延：與正向外延相反。同質外延：生長外延層和襯底是同一種材料，這種工藝就是同質外延。異質外延：外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層，相應的工藝就叫做異質外延

什么叫同質外延

4，外延片以及LED芯片工藝問題

1.外延片指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三個部分構成?，F在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石，硅，碳化硅三種，量子阱一般為5個，通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD)。這是LED產業(yè)的核心部分，需要較高的技術以及較大的資金投入(一臺MOCVD一般要好幾千萬)。 2.外延片的檢測一般分為兩大類: 一是光學性能檢測，主要參數包括工作電壓，光強，波長范圍，半峰寬，色溫，顯色指數等等，這些數據可以用積分球測試。二是可靠性檢測，主要參數包括光衰，漏電，反壓，抗靜電，I-V曲線等等，這些數據一般通過老化進行測試。 3.需要指出的是，并沒有白光LED芯片，只有白光LED燈珠/管，即需要進行封裝才能獲得白光小LED燈，也叫燈珠，管子。白光LED一般通過兩種途徑獲得：一是通過配光，將紅綠藍三色芯片進行配比封裝獲得白光LED. 二是通過熒光粉轉換藍光LED，從而獲得白光LED. 本人正從事相關行業(yè)，無關技術機密的東西都可以說一下。

5，硅外延是什么意思

外延生長【epitaxial growth】【】在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術發(fā)展于20世紀50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進石英反應器中，也可采用紅外輻照加熱。為了克服外延工藝中的某些缺點，外延生長工藝已有很多新的進展：減壓外延、低溫外延、選擇外延、抑制外延和分子束外延等。外延生長可分為多種，按照襯底和外延層的化學成分不同，可分為同質外延和異質外延；按照反應機理可分為利用化學反應的外延生長和利用物理反應的外延生長；按生長過程中的相變方式可分為氣相外延、液相外延和固相外延等。 http://baike.baidu.com/view/897520.htm 硅外延片:在N型硅拋光片襯底上生長的N型外延層(N/N+)和在P型硅拋光片襯底上生長的P型外延層(P/P+)的同質硅外延片。產品用于制作半導體器件。

6，拋光外延片生產流程回答的好可以加倍給分

生產工藝流程具體介紹如下：固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋，產生廢水和硅渣。分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產生廢磨片劑。清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除硅片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下：SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液，并將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在硅片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用于去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗后的硅片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是堿性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢堿液。本項目一部分硅片采用腐蝕A，一部分采用腐蝕B。分檔監(jiān)測：對硅片進行損傷檢測，存在損傷的硅片重新進行腐蝕。粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。精拋光：使用精磨劑改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度硅片。產生精拋廢液。檢測：檢查硅片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。檢測：查看硅片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。

參照Aixtron G4點檢操作指導書作業(yè) 技術員將設備點檢異常內容通知設備副工、機臺工程師和值班主管；值班主管對點檢異常內容進行確認并填寫《設備異常處理單》設備工程師和設備副工繼續(xù)處理設備異常確認手套箱內是否有足夠的生產所需物品和治具；若有缺失，要及時按需在當班班長處領用并做好記錄參照Aixtron G4操作指導書作業(yè) 參照MES下線操作指導書作業(yè) 確認Run別、LOT號及Recipe 每30分鐘確認一次磊晶生長情況：如Recipe是否有效執(zhí)行并實時記錄u、 nGan反射率等參數技術員將跳機異常內容通知設備副工、機臺工程師、班長和值班主管；班長根據異常內容及時在MES系統(tǒng)中切換設備狀態(tài)；值班主管根據跳機類別填寫《設備異常處理單》或《內部聯絡單》參照Aixtron G4操作指導書作業(yè) 參照MES下線操作指導書作業(yè) 應及時將MO Source Key In LEDUP 系統(tǒng)中，確保LEDUP系統(tǒng)中Source使用和監(jiān)控有效參照MES下線操作指導書作業(yè) 機臺Idle并通知班長及時在MES系統(tǒng) 中切換設備狀態(tài) 參照Aixtron G4操作指導書作業(yè) 參照Aixtron G4操作指導書作業(yè)和清潔刷使用要求。清潔包含但不限于： Disc、Ceiling、Segment、 Collector Ring、Star Cover等參照MES下線操作指導書作業(yè) 實時記錄MO Source使用量 Bake或Bake Coating異?；蛱鴻C處理方法同磊晶生長異常處理參照Aixtron G4操作指導書作業(yè) 應及時將Bake或Bake Coating MO Source Key In LEDUP系統(tǒng)中，確保 LEDUP系統(tǒng)中Source使用和監(jiān)控有效參照雷刻機操作指導書作業(yè) 機臺Idle并通知班長及時在MES系統(tǒng) 中切換設備狀態(tài) 參照EL機臺操作指導書作業(yè) 參照PL機臺操作指導書作業(yè) 參照XRD機臺操作指導書作業(yè) 參照PR機臺操作指導書作業(yè) 參照OM目檢作業(yè)指導書作業(yè) 參照Hall機臺操作指導書作業(yè) 參照MES下線操作指導書作業(yè) 確認LEDUP系統(tǒng)中“Reports\EPI\ EPI Wafer Measurement Data下的量測數據是否被系統(tǒng)抓到且有效。 "參照MES下線操作指導書作業(yè)" LED up標簽列印與Wafer裝袋（若出站無法列印標簽）參照MES分批操作作業(yè) 參照MES分批操作作業(yè) MES分批Q-Run是第1片 MES分批Q-Run不是第1片，必須在LED UP系統(tǒng)中進行晶片重投完成Life確認（非需要，默認投第1片）參照MES下線操作指導書作業(yè) 參照OM目檢作業(yè)指導書作業(yè) 參照LED UP入庫作業(yè)指導書作業(yè) 參照LED UP入庫作業(yè)指導書作業(yè) 對入庫數量、倉別簽字確認 "實物入庫前標簽與Wafer刻號再確認"

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外延工藝，為什么小功率三極管要用外延片工藝

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2，分子束外延技術的優(yōu)點有哪些

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外延工藝，為什么小功率三極管要用外延片工藝

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1，為什么小功率三極管要用外延片工藝

2，分子束外延技術的優(yōu)點有哪些

3，什么叫同質外延

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