首頁(yè) > 廠商 > 問(wèn)答 > EDRAM，cpu的cache都是SRAM做的嗎

EDRAM，cpu的cache都是SRAM做的嗎

來(lái)源：整理時(shí)間：2024-11-13 06:11:24 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，cpu的cache都是SRAM做的嗎
2，i54200U核心顯卡是HD Graphics 4400為什么CPU基板上有eDRAM
3，xbox360顯卡邊上那塊小芯片是什么有什么作用有圖
4，問(wèn)下雙65的機(jī)器GPU和EDEAM溫差大要緊不
5，請(qǐng)教狼大如何解決GPUEdram高低差距問(wèn)題
6，同步ram和異步ram的區(qū)別

1，cpu的cache都是SRAM做的嗎

并不是。 CPU的Cache主流用SRAM，還有一些采用了eDRAM。IBM的Power系列處理器，內(nèi)部就有集成eDRAM。Intel的處理器中，有配備Iris Pro的處理器，自帶了專用的eDRAM作為GPU的顯存，當(dāng)計(jì)算機(jī)不使用集成GPU時(shí)，這部分eDRAM會(huì)成為處理器的L4 Cache。

cpu的cache都是SRAM做的嗎

2，i54200U核心顯卡是HD Graphics 4400為什么CPU基板上有eDRAM

酷睿 i5 4200U那顆CPU，長(zhǎng)長(zhǎng)的核心是CPU與GPU同時(shí)封裝在一顆芯片中，旁邊那顆小的核心是芯片組（南橋），英特爾是為了節(jié)省超級(jí)本空間把CPU與芯片組（南橋）同時(shí)封裝在了一個(gè)CPU基板上。

你這個(gè)主板是把cpu芯片和內(nèi)存芯片都焊接到主板上的，主要是減小空間占用，是不是超薄本啊

一個(gè)CPU 一個(gè)GPU~~~再看看別人怎么說(shuō)的。

i54200U核心顯卡是HD Graphics 4400為什么CPU基板上有eDRAM

3，xbox360顯卡邊上那塊小芯片是什么有什么作用有圖

高速外部EDRAM，你可以理解為高速顯存，但是又不完全是當(dāng)顯存用，因?yàn)檫@塊芯片是有運(yùn)算能力的，該芯片上192個(gè)單元處理器組成的邏輯電路負(fù)責(zé)多采樣抗鋸齒的基本數(shù)學(xué)運(yùn)算工作。這些單元處理器一次可以處理32個(gè)像素，即6個(gè)單元處理器負(fù)責(zé)一個(gè)像素。這六個(gè)單元分別負(fù)責(zé)紅、綠、藍(lán)、alpha、模板和色深。像素處理器與eDRAM內(nèi)存塊組成了256GB/s的超寬帶寬口，而GPU也不過(guò)占用了其中的32GB/s。這款芯片是NCE負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)的

EDRAM，也就是三紅的元兇。。。。。。。。

xbox360顯卡邊上那塊小芯片是什么有什么作用有圖

4，問(wèn)下雙65的機(jī)器GPU和EDEAM溫差大要緊不

從新抹硅脂之后現(xiàn)在EDRAM比GPU核心低一度不到。由于EDRAM天生就比GPU核心低一些，所以如果出現(xiàn)EDRAM溫度反超GPU的話，主要問(wèn)題1是硅脂干了，2是JS刷自制需要把主板從鐵殼拆下來(lái)，裝回去擰那八個(gè)黑螺絲的時(shí)候估計(jì)有哪個(gè)擰的不到位，你要是動(dòng)手能力強(qiáng)就搞搞，不知道自己在干啥就別手賤了。。。。

5，請(qǐng)教狼大如何解決GPUEdram高低差距問(wèn)題

這個(gè)溫差是一直存在的，因?yàn)橐粋€(gè)EDRAM是80納米，GPU是65納米或90納米，永遠(yuǎn)不可能溫度一致，而且死機(jī)問(wèn)題主要是GPU和主板之間脫焊。不是他倆問(wèn)題

怎么折騰也只是茍延殘喘而已放棄吧

感謝大家的回答,從發(fā)帖到現(xiàn)在,已經(jīng)發(fā)病了2次[s:117]現(xiàn)在從舊屍體拆下了單65CPU的散熱器裝上去gpu的位置,那麼,現(xiàn)在2個(gè)散熱器都是一樣了,再把原裝的機(jī)尾風(fēng)扇鑽了2個(gè)洞,直接12V安裝在2個(gè)CPU散熱器的頂部,看看能活多少天?

哦，高度啊，沒事，如果非關(guān)注這個(gè)的話，可以給散熱片上面墊固態(tài)導(dǎo)熱墊。

請(qǐng)問(wèn)一下現(xiàn)在薄機(jī)換CBU要多少錢？

換個(gè)GPU試一下唄反正現(xiàn)在單65的GPU 大概不到50元，干燥后拆加換估計(jì)也就20分鐘內(nèi)的事情

6，同步ram和異步ram的區(qū)別

同步SRMA比異步SRAM更快。內(nèi)存，或內(nèi)存儲(chǔ)器，又稱為主存儲(chǔ)器，是關(guān)系到計(jì)算機(jī)運(yùn)行性能高低的關(guān)鍵部件之一，無(wú)疑是非常重要的。為了加快系統(tǒng)的速度，提高系統(tǒng)的整體性能，我們看到，計(jì)算機(jī)中配置的內(nèi)存數(shù)量越來(lái)越大，而內(nèi)存的種類也越來(lái)越多。內(nèi)存新技術(shù) 計(jì)算機(jī)指令的存取時(shí)間主要取決于內(nèi)存。對(duì)于現(xiàn)今的大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，內(nèi)存的存取時(shí)間都是一個(gè)主要的制約系統(tǒng)性能提高的因素。因此在判斷某一系統(tǒng)的性能時(shí)，就不能單憑內(nèi)存數(shù)量的大小，還要看一看其所用內(nèi)存的種類，工作速度。有關(guān)內(nèi)存的名詞關(guān)于內(nèi)存的名詞眾多。為了便于讀者查閱，下面集中進(jìn)行介紹。 ROM：只讀存儲(chǔ)器 RAM（Random Access Memory）：隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM（Dynamic RAM）：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 PM RAM（Page Mode RAM）：頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器（即普通內(nèi)存） FPM RAM（Fast Page Mode RAM）：快速頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器 EDO RAM（Extended Data Output RAM）擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器 BEDO RAM（Burst Extended Data Output RAM）：突發(fā)擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器 SDRAM（Sychronous Dynamic RAM）：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SRAM（Static RAM）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 Async SRAM（Asynchronous Static RAM）：異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 Sync Burst SRAM（Synchronous Burst Stacic RAM）：同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 PB SRAM（Pipelined Burst SRAM）：管道（流水線）突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 Cache：高速緩存 L2 Cache（Level 2 Cache）：二級(jí)高速緩存（通常由SRAM組成） VRAM（Video RAM）：視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器 CVRAM（Cached Vedio RAM）：緩存型視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器 SVRAM（Synchronous VRAM）：同步視頻隨機(jī)存儲(chǔ)器 CDRAM（Cached DRAM）：緩存型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 EDRAM（Enhanced DRAM）：增強(qiáng)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器各種內(nèi)存及技術(shù)特點(diǎn) DRAM 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM主要用作主存儲(chǔ)器。長(zhǎng)期以來(lái)，我們所用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器都是PM RAM，稍晚些的為FPM RAM。為了跟上CPU越來(lái)越快的速度，一些新類型的主存儲(chǔ)器被研制出來(lái)。它們是EDO RAM、BEDO RAM、SDRAM等。 DRAM芯片設(shè)計(jì)得象一個(gè)二進(jìn)制位的矩陣，每一個(gè)位有一個(gè)行地址一個(gè)列地址。內(nèi)存控制器要給出芯片地址才能從芯片中讀出指定位的數(shù)據(jù)。一個(gè)標(biāo)明為70ns的芯片要用70ns的時(shí)間讀出一個(gè)位的數(shù)據(jù)。并且還要用額外的時(shí)間從CPU得到地址信息設(shè)置下一條指令。芯片制作技術(shù)的不斷進(jìn)步使這種處理效率越來(lái)越高。 FPM RAM 快速頁(yè)模式隨機(jī)存儲(chǔ)器這里的所謂“頁(yè)”，指的是DRAM芯片中存儲(chǔ)陣列上的2048位片斷。FPM RAM是最早的隨機(jī)存儲(chǔ)器，在過(guò)去一直是主流PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)配置，以前我們?cè)谡務(wù)搩?nèi)存速度時(shí)所說(shuō)的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取時(shí)間為70ns，60ns。60ns的FPM RAM可用于總線速度為66MHz（兆赫茲）的奔騰系統(tǒng)（CPU主頻為100，133，166和200MHz）。快速頁(yè)模式的內(nèi)存常用于視頻卡，通常我們也叫它“DRAM”。其中一種經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的內(nèi)存的存取時(shí)間僅為48ns，這時(shí)我們就叫它VRAM。這種經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的內(nèi)存具有“雙口”，其中一個(gè)端口可直接被CPU存取，而另一個(gè)端口可獨(dú)立地被RAM“直接存取通道”存取，這樣存儲(chǔ)器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同時(shí)工作，從而比一般的DRAM要快些。 EDO RAM 擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出隨機(jī)存儲(chǔ)器在DRAM芯片之中，除存儲(chǔ)單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)在，人們已注意到RAM芯片的附加邏輯電路，通過(guò)增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即所謂的增加帶寬。EDO正是在這個(gè)方面作出的嘗試。擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出(Extended data out??EDO，有時(shí)也稱為超頁(yè)模式??hyper－page－mode打字不易，如滿意，望采納。

嗨！非常感謝您對(duì)小米的關(guān)注，關(guān)于其他品牌這邊是不方便為您推薦和評(píng)價(jià)的。目前官網(wǎng)已經(jīng)停售米一和米二，您可以選擇購(gòu)買性能更加強(qiáng)悍的2s。小米手機(jī)2s采用4.3英寸342超高ppi觸摸屏，處理器采用 28納米四核1.7ghz處理器，配備2gb ram和16gb/32g機(jī)身內(nèi)存，新一代背照式800萬(wàn)像素主攝像頭（32g至尊版使用了1300萬(wàn)的攝像頭），200萬(wàn)像素前置攝像頭，硬件配置極其震撼。詳情介紹：http://www.xiaomi.com/mi2s更詳細(xì)的描述問(wèn)題有助于網(wǎng)友理解你遇到的麻煩，幫助你更準(zhǔn)確的解決問(wèn)題。謝謝你支持小米手機(jī)！