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勢(shì)壘,勢(shì)壘與能壘有什么區(qū)別

來(lái)源:整理 時(shí)間:2024-11-10 10:28:35 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,勢(shì)壘與能壘有什么區(qū)別

勢(shì)壘 勢(shì)阱 能壘 都是勢(shì)場(chǎng) 不過(guò)是根據(jù)勢(shì)場(chǎng)“形狀”的不同的形象稱法。
沒(méi)有區(qū)別
有區(qū)別?

勢(shì)壘與能壘有什么區(qū)別

2,勢(shì)壘是什么

一般在談到半導(dǎo)體的PN結(jié)時(shí),就會(huì)聯(lián)系到勢(shì)壘,這涉及半導(dǎo)體的基礎(chǔ)內(nèi)容。簡(jiǎn)單地說(shuō),所謂勢(shì)壘也稱位壘,就是在PN結(jié)由于電子、空穴的擴(kuò)散所形成的阻擋層,兩側(cè)的電位差,就稱為勢(shì)壘。
勢(shì)壘就是勢(shì)能比附近的勢(shì)能都高的空間區(qū)域,基本上就是極值點(diǎn)附近的一小片區(qū)域。

勢(shì)壘是什么

3,金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘是什么

金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘是"肖特基勢(shì)壘"。它與其他半導(dǎo)體之間的接觸一樣,形成PN結(jié)、空間電荷區(qū)(耗盡層)和接觸勢(shì)壘;它與其他半導(dǎo)體之間的接觸不一樣之處是:它的空間電荷區(qū)(耗盡層)在金屬的一側(cè)特別薄。接觸勢(shì)壘也叫接觸電勢(shì)差,它阻止接觸雙方的多子,繼續(xù)向?qū)Ψ綌U(kuò)散。只有加上正向電壓時(shí),這種“擴(kuò)散”才可以繼續(xù)進(jìn)行,產(chǎn)生電流。

金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘是什么

4,半導(dǎo)體中勢(shì)壘有什么用

一方面,不同介質(zhì)(半導(dǎo)體、金屬之類)的禁帶寬度不同,費(fèi)米能級(jí)的位置也不同;另一方面即使相同的半導(dǎo)體由于摻雜的差異,其費(fèi)米能級(jí)所處的位置也不一樣。一般情況,結(jié)的形成會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)不同介質(zhì)的費(fèi)米能級(jí)處于同一水平,費(fèi)米能級(jí)位置不同卻最后處于同一水平,那么兩個(gè)介質(zhì)的價(jià)帶和導(dǎo)帶必然不處于同一能級(jí),這個(gè)能級(jí)的差距就是勢(shì)壘。所以你的理解在通常情況下還算準(zhǔn)確。勢(shì)壘就是個(gè)能量差,越大就需要粒子獲取或釋放更大的能量,比如可以讓載流子更易通過(guò),也可能不易通過(guò),也可能向隧穿器件一樣故意搞高勢(shì)壘從而引發(fā)隧穿效應(yīng),這個(gè)你要細(xì)了解真得看看書,太多了。上面說(shuō)的也只是通常的情況,還有很多特殊的器件不能這么簡(jiǎn)單解釋,而且電場(chǎng)也會(huì)影響能級(jí)和勢(shì)壘。
功函數(shù)的差別是基本因素。不同材料(甚至液體-固體,液體-液體)之間的接觸勢(shì)壘都可以根據(jù)其功函數(shù)差來(lái)確定。半導(dǎo)體的功函數(shù)是fermi能級(jí)與真空自由電子能級(jí)的差,同一種半導(dǎo)體的p型材料與n型材料接觸時(shí),因?yàn)閚型半導(dǎo)體的功函數(shù)小于p型半導(dǎo)體,所以電子將向p型一邊轉(zhuǎn)移....形成pn結(jié)勢(shì)壘。對(duì)于同一種材料(譬如n型si和p型si),也可以由載流子濃度的差別來(lái)考慮,但是最基本的還是功函數(shù)差。但是,對(duì)于不同種類半導(dǎo)體的接觸,不管它們之間的載流子濃度差別有多大,也必須由功函數(shù)差來(lái)確定其勢(shì)壘;這時(shí)就有可能電子從濃度低的一邊轉(zhuǎn)移到濃度高的一邊。

5,勢(shì)井勢(shì)壘是什么意思

假設(shè)空間中的勢(shì)能處處給定了,你可以把勢(shì)阱或勢(shì)壘理解成特定的空間區(qū)域,勢(shì)阱就是該空間區(qū)域的勢(shì)能比附近的勢(shì)能都低,勢(shì)壘就是該空間區(qū)域的勢(shì)能比附近的勢(shì)能都高?;旧暇褪菢O值點(diǎn)附件的一小片區(qū)域。比如在重力勢(shì)場(chǎng)中,如果你一個(gè)山谷里,你就在勢(shì)阱里,如果你在山頂上,你就在勢(shì)壘上。通常在勢(shì)阱中的物體(粒子),沒(méi)有足夠的動(dòng)能想要離開(kāi)勢(shì)阱的概率是比較小的。在制備愛(ài)因斯坦-玻色凝聚體過(guò)程中,一種方法的一個(gè)過(guò)程是利用磁場(chǎng)和激光構(gòu)造磁光(勢(shì))阱,限制粒子的運(yùn)動(dòng)。
街頭小混混
曾謹(jǐn)嚴(yán) 量子力學(xué)(卷一)3.3節(jié) 一維散射 具體方法計(jì)算方法書上都有
勢(shì)井,簡(jiǎn)單的說(shuō)就是電子的勢(shì)能圖像類似一個(gè)波的形狀,那么當(dāng)電子處于波谷,就好像處在一口井里,比較穩(wěn)定,很難跑出來(lái)。所以稱為勢(shì)井或勢(shì)阱。不單單是量子力學(xué)里有這個(gè)勢(shì)井,任何形式的勢(shì)只要具有這種樣子,我們都可以稱它有勢(shì)井/勢(shì)阱,比如重力勢(shì)井。量子力學(xué)與經(jīng)典物理的在這里有一個(gè)小小的差別,就是量子力學(xué)里,電子具有某些概率穿過(guò)勢(shì)井跑出來(lái),稱之為隧道效應(yīng)。隧道電子顯微鏡就是利用這個(gè)原理。
相當(dāng)于你掉進(jìn)一個(gè)陷阱里,只能用跳的,只要你有足夠的力量就能出來(lái);只要少點(diǎn)點(diǎn),你就別想出來(lái)--經(jīng)典力學(xué)的.如果是量子力學(xué),如果你不夠力,你還可以想辦法出來(lái),可能性比較小.勢(shì)壘要求的是能量

6,什么是勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容解釋的易懂一些謝謝

勢(shì)壘電容:在積累空間電荷的勢(shì)壘區(qū),當(dāng)PN結(jié)外加電壓變化時(shí),引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,這種現(xiàn)象與電容器的充、放電過(guò)程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢(shì)壘電容。擴(kuò)散電容:是p-n結(jié)在正偏時(shí)所表現(xiàn)出的一種微分電容效應(yīng)。PN結(jié)交界處存在勢(shì)壘區(qū),結(jié)兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變,從而顯現(xiàn)電容效應(yīng)。勢(shì)壘電容是p-n結(jié)所具有的一種電容,即是p-n結(jié)空間電荷區(qū)(勢(shì)壘區(qū))的電容;由于勢(shì)壘區(qū)中存在較強(qiáng)的電場(chǎng),其中的載流子基本上都被驅(qū)趕出去了——耗盡,則勢(shì)壘區(qū)可近似為耗盡層,故勢(shì)壘電容往往也稱為耗盡層電容。擴(kuò)展資料:應(yīng)用:在集成電路中,一般利用PN結(jié)的勢(shì)壘電容,即讓PN結(jié)反偏,只是改變電壓的大小,而不改變極性。根據(jù)普通二極管內(nèi)部PN結(jié)結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化制成變?nèi)荻O管。變?nèi)荻?jí)管用途:用于自動(dòng)頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管,在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電流上,實(shí)現(xiàn)低頻率信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上,并發(fā)射出去。參考資料來(lái)源:百度百科——?jiǎng)輭倦娙輩⒖假Y料來(lái)源:百度百科——擴(kuò)散電容
勢(shì)壘電容,是耗盡層寬窄變化所等效的電容,是二極管的兩極間的等效電容組成部分之一,具有非線性,其相應(yīng)于多數(shù)載流子電荷變化的一種電容效應(yīng)。在積累空間電荷的勢(shì)壘區(qū),當(dāng)PN結(jié)外加電壓變化時(shí),引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,這種現(xiàn)象與電容器的充、放電過(guò)程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢(shì)壘電容。勢(shì)壘電容具有非線性,它與結(jié)面積、耗盡層寬度、半導(dǎo)體的介電常數(shù)及外加電壓有關(guān)。勢(shì)壘電容是二極管的兩極間的等效電容組成部分之一,另一部分是擴(kuò)散電容。二極管的電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)表現(xiàn)出來(lái)。勢(shì)壘電容在正偏和反偏時(shí)均不能忽略。而反向偏置時(shí),由于少數(shù)載流子數(shù)目很少,可忽略擴(kuò)散電容。擴(kuò)散電容(Diffusion capacitance)是p-n結(jié)在正偏時(shí)所表現(xiàn)出的一種微分電容效應(yīng)。pn結(jié)擴(kuò)散電容是來(lái)自于非平衡少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱非平衡少子)在pn結(jié)兩邊的中性區(qū)內(nèi)的電荷存儲(chǔ)所造成的電容效應(yīng)(因?yàn)樵谥行詳U(kuò)散區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)有等量的非平衡電子和非平衡空穴的電荷,它們的數(shù)量受到結(jié)電壓控制)。這種由于注入載流子存儲(chǔ)電荷隨著電 壓變化所產(chǎn)生的擴(kuò)散電容將隨正向電壓而按指數(shù)式增大;擴(kuò)散電容也與直流偏壓有關(guān)(也是一種非線性電容),也將隨著直流偏壓的增大而指數(shù)式增大,故擴(kuò)散電容在正向偏壓下比較大。[2] 另外,由于pn結(jié)擴(kuò)散電容與少數(shù)載流子的積累有關(guān),而少數(shù)載流子的產(chǎn)生與復(fù)合都需要一個(gè)時(shí)間(稱為壽命τ)過(guò)程,所以擴(kuò)散電容在高頻下基本上不起作用。這就是說(shuō),擴(kuò)散電容還與外加結(jié)電壓的信號(hào)頻率ω有關(guān),并從而常常用乘積(ωτ)的大小來(lái)劃分器件工作頻率的高低 :在低頻(ωτ<<1, ωτ<<1)、即[外加信號(hào)的變化周期]>>[存儲(chǔ)電荷再分布的時(shí)間]時(shí),少數(shù)載流子存儲(chǔ)電荷的變化跟得上外加信號(hào)的變化, 則擴(kuò)散電容較大;在高頻 (ωτ >>1, ωτ>>1)、即存儲(chǔ)電荷跟不上外加信號(hào)的變化時(shí), 擴(kuò)散電容很小(隨著(ωτ)1/2下降),故擴(kuò)散電容在低頻下很重要。因?yàn)閜n結(jié)的開(kāi)關(guān)速度主要決定于在兩邊中性區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)的少數(shù)載流子,所以,從本質(zhì)上來(lái)說(shuō),也就是擴(kuò)散電容對(duì)開(kāi)關(guān)速度的影響??傊?,pn結(jié)的擴(kuò)散電容與其勢(shì)壘電容不同。前者是少數(shù)載流子引起的電容,對(duì)于pn結(jié)的開(kāi)關(guān)速度有很大影響,在正偏下起很大作用、在反偏下可以忽略,在低頻時(shí)很重要、在高頻時(shí)可以忽略;后者是多數(shù)載流子引起的電容,在反偏和正偏時(shí)都起作用,并且在低頻和高頻下都很重要。
勢(shì)壘電容:勢(shì)壘區(qū)荷的區(qū)域,當(dāng)電壓變化時(shí),就會(huì)引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化,這樣所表現(xiàn)出的電容是勢(shì)壘電容。 擴(kuò)散電容:為了形成正向電流(擴(kuò)散電流),注入P 區(qū)的少子(電子)在P 區(qū)有濃度差,越靠近PN結(jié)濃度越大,即在P 區(qū)有電子的積累。同理,在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大,積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴(kuò)散電容CD。 PN結(jié)勢(shì)壘電容主要研究的是多子,是由多子數(shù)量的變化引起電容的變化。而擴(kuò)散電容研究的是少子,外加正向電 壓時(shí),以擴(kuò)散電容為主,外加反向電 壓時(shí),以勢(shì)壘電容為主。
勢(shì)壘電容,是耗盡層寬窄變化所等效的電容,是二極管的兩極間的等效電容組成部分之一,具有非線性,其相應(yīng)于多數(shù)載流子電荷變化的一種電容效應(yīng)。在積累空間電荷的勢(shì)壘區(qū),當(dāng)PN結(jié)外加電壓變化時(shí),引起積累在勢(shì)壘區(qū)的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,這種現(xiàn)象與電容器的充、放電過(guò)程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢(shì)壘電容。勢(shì)壘電容具有非線性,它與結(jié)面積、耗盡層寬度、半導(dǎo)體的介電常數(shù)及外加電壓有關(guān)。勢(shì)壘電容是二極管的兩極間的等效電容組成部分之一,另一部分是擴(kuò)散電容。二極管的電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)表現(xiàn)出來(lái)。勢(shì)壘電容在正偏和反偏時(shí)均不能忽略。而反向偏置時(shí),由于少數(shù)載流子數(shù)目很少,可忽略擴(kuò)散電容。
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