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先進(jìn)封裝，長點(diǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)員是一直在車間里的么夜班也是這樣么

來源：整理時(shí)間：2023-09-01 23:49:57 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，長點(diǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)員是一直在車間里的么夜班也是這樣么
2，先進(jìn)晶圓封裝領(lǐng)域和集成電路有區(qū)別嗎
3，長電先進(jìn)封裝電子技術(shù)員在里面是干什么的
4，封裝技術(shù)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)
5，tflash卡是什么
6，封裝技術(shù)的3D封裝技術(shù)

1，長點(diǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)員是一直在車間里的么夜班也是這樣么

是的，基本上都在車間里，除了開會。

我是來看評論的

長點(diǎn)先進(jìn)封裝技術(shù)員是一直在車間里的么夜班也是這樣么

2，先進(jìn)晶圓封裝領(lǐng)域和集成電路有區(qū)別嗎

封裝是集成電路制造的一個(gè)工序我們看到的集成電路都是封裝好的未封裝的集成電路就是個(gè)裸的硅片

有的

先進(jìn)晶圓封裝領(lǐng)域和集成電路有區(qū)別嗎

3，長電先進(jìn)封裝電子技術(shù)員在里面是干什么的

CAM (computer Aided Manufacturing，計(jì)算機(jī)輔助制造). 簡單點(diǎn)說CAM工程師一般都需要: 1：懂gerber的構(gòu)成，明白gerber內(nèi)含每組數(shù)據(jù)的意思 2：懂cam軟件，方便簡單如cam350，快捷如v2001，功能強(qiáng)大如pcrcam或ucam或 genesis 3：懂設(shè)計(jì)軟件，如paotel,powerpcb,等一些設(shè)計(jì)軟件的基本屬性 4：要有一定的元器件知識及電路原理知識 5：要清楚工廠的制程能力，明白pcb是怎樣做出來的， 6：要明白哪些cam制作能夠有效的協(xié)助研發(fā)部門進(jìn)行新產(chǎn)品的開發(fā) 7：要懂電腦知識，能夠處理一些電腦的基本故障 8：要懂英文，能夠?qū)σ恍┨崾居行Ю斫獠⒖稍谲浖f明里查清原因 9：要懂編程，能夠自已編一些宏命令以方便軟件操作

先進(jìn)，好不好的？

長電先進(jìn)封裝電子技術(shù)員在里面是干什么的

4，封裝技術(shù)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)

半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和高級封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)。總體說來，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了三次重大革新：第一次是在20世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，它極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在20世紀(jì)90年代球型矩陣封裝的出現(xiàn)，滿足了市場對高引腳的需求，改善了半導(dǎo)體器件的性能；芯片級封裝、系統(tǒng)封裝等是現(xiàn)在第三次革新的產(chǎn)物，其目的就是將封裝面積減到最小。所謂封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁—芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接。因此，封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。新一代CPU的出現(xiàn)常常伴隨著新的封裝形式的使用。芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了好幾代的變遷，從DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來越接近于1，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。

5，tflash卡是什么

-flash是一種體積非常小巧的存儲卡，在手機(jī)領(lǐng)域目前僅被少數(shù)機(jī)型支持，其中包括摩托羅拉e-398/a1000，三星sgh-m339等。t-flash卡當(dāng)前的最大容量為256mb，且價(jià)格較高，僅有sandisk等少量廠商生產(chǎn)。同時(shí)，通過一個(gè)適配器，t-flash卡可以轉(zhuǎn)成標(biāo)準(zhǔn)的sd卡，同時(shí)支持sd卡的所有特性。另外，t-flash卡即將被sda組織納為新標(biāo)準(zhǔn)，官方稱呼為“micro sd”。 tranflash卡，簡稱t-flash卡或tf卡。tranflash卡主要應(yīng)用在手機(jī)上，一般都是隨手機(jī)附送的，例如摩托羅拉。tf卡可經(jīng)sd卡轉(zhuǎn)換器后，當(dāng)sd卡使用。 t－flash卡是體積最小的存儲卡，只有手指甲般大小，它使用了最先進(jìn)的封裝工藝，是一種低成本、高容量的生產(chǎn)工藝。這種新型的專為手機(jī)設(shè)計(jì)的存儲卡比以往的任何存儲卡都要小，尺寸只有11x15mm，比sim卡還要小

TranFlash卡，簡稱T-flash卡或TF卡。TranFLASH卡主要應(yīng)用在手機(jī)上，一般都是隨手機(jī)附送的，例如摩托羅拉。TF卡可經(jīng)SD卡轉(zhuǎn)換器后，當(dāng)SD卡使用。 T－Flash卡是體積最小的存儲卡，只有手指甲般大小，它使用了最先進(jìn)的封裝工藝，是一種低成本、高容量的生產(chǎn)工藝。這種新型的專為手機(jī)設(shè)計(jì)的存儲卡比以往的任何存儲卡都要小，尺寸只有11x15mm，比SIM卡還要小。

6，封裝技術(shù)的3D封裝技術(shù)

由于電子整機(jī)和系統(tǒng)在航空、航天、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、輕型化、薄型化等高密度組裝要求的不斷提高，在MCM的基礎(chǔ)上，對于有限的面積，電子組裝必然在二維組裝的基礎(chǔ)上向z方向發(fā)展，這就是所謂的三維(3D)封裝技術(shù)，這是今后相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)組裝的有效手段。實(shí)現(xiàn)3D封裝主要有三種方法。一種是埋置型，即將元器件埋置在基板多層布線內(nèi)或埋置、制作在基板內(nèi)部。電阻和電容一般可隨多層布線用厚、薄膜法埋置于多層基板中，而IC芯片一般要緊貼基板。還可以在基板上先開槽，將IC芯片嵌入，用環(huán)氧樹脂固定后與基板平面平齊，然后實(shí)施多層布線，最上層再安裝IC芯片，從而實(shí)現(xiàn)3D封裝。第二種方法是有源基板型，這是用硅圓片IC(WSI)作基板時(shí)，先將WSI用一般半導(dǎo)體IC制作方法作一次元器件集成化，這就成了有源基板。然后再實(shí)施多層布線，頂層仍安裝各種其他lC芯片或其他元器件，實(shí)現(xiàn)3D封裝。這一方法是人們最終追求并力求實(shí)現(xiàn)的一種3D封裝技術(shù)。第三種方法是疊層法，即將兩個(gè)或多個(gè)裸芯片或封裝芯片在垂直芯片方向上互連成為簡單的3D封裝。更多的是將各個(gè)已單面或雙面組裝的MCM疊裝在一起，再進(jìn)行上下多層互連，就可實(shí)現(xiàn)3D封裝。其上下均可加熱沉，這種3D結(jié)構(gòu)又稱為3D．MCM。由于3D的組裝密度高，功耗大，基板多為導(dǎo)熱性好的高導(dǎo)熱基板，如硅、氮化鋁和金剛石薄膜等。還可以把多個(gè)硅圓片層疊在一起，形成3D封裝。先進(jìn)的疊層式3D封裝技術(shù)近幾年來，先進(jìn)的封裝技術(shù)已在IC制造行業(yè)開始出現(xiàn)，如多芯片模塊（MCM）就是將多個(gè)IC芯片按功能組合進(jìn)行封裝，特別是三維（3D）封裝首先突破傳統(tǒng)的平面封裝的概念，組裝效率高達(dá)200%以上。它使單個(gè)封裝體內(nèi)可以堆疊多個(gè)芯片，實(shí)現(xiàn)了存儲容量的倍增，業(yè)界稱之為疊層式3D封裝；其次，它將芯片直接互連，互連線長度顯著縮短，信號傳輸?shù)酶烨宜芨蓴_更?。辉賱t，它將多個(gè)不同功能芯片堆疊在一起，使單個(gè)封裝體實(shí)現(xiàn)更多的功能，從而形成系統(tǒng)芯片封裝新思路；最后，采用3D封裝的芯片還有功耗低、速度快等優(yōu)點(diǎn)，這使電子信息產(chǎn)品的尺寸和重量減小數(shù)十倍。正是由于3D封裝擁有無可比擬的技術(shù)優(yōu)勢，加上多媒體及無線通信設(shè)備的使用需求，才使這一新型的封裝方式擁有廣闊的發(fā)展空間。最常見的裸芯片疊層3D封裝先將生長凸點(diǎn)的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，這種薄膜基板的材質(zhì)為陶瓷或環(huán)氧玻璃，其上有導(dǎo)體布線，內(nèi)部也有互連焊點(diǎn)，兩側(cè)還有外部互連焊點(diǎn)，然后再將多個(gè)薄膜基板進(jìn)行疊裝互連。裸芯片疊層的工藝過程為：第一步，在芯片上生長凸點(diǎn)并進(jìn)行倒扣焊接。如果采用金凸點(diǎn)，則由金絲成球的方式形成凸點(diǎn)，在250～400 ℃下，加壓力使芯片與基板互連；若用鉛錫凸點(diǎn)，則采用 Pb95Sn5（重量比）的凸點(diǎn)，這樣的凸點(diǎn)具有較高的熔點(diǎn)，而不致在下道工藝過程中熔化。具體方法，先在低于凸點(diǎn)熔點(diǎn)的溫度（180～250 ℃）下進(jìn)行芯片和基板焊接，在這一溫度下它們靠金屬擴(kuò)散來焊接；然后加熱到250～400 ℃，在這一溫度下焊料球熔化，焊接完畢。第一步的溫度是經(jīng)過成品率試驗(yàn)得到的，當(dāng)?shù)陀?50 ℃時(shí)斷路現(xiàn)象增加；而當(dāng)高于300 ℃時(shí)，則相鄰焊點(diǎn)的短路現(xiàn)象增多。第二步，在芯片與基板之間0.05 mm的縫隙內(nèi)填入環(huán)氧樹脂膠，即進(jìn)行下填料。第三步，將生長有凸點(diǎn)的基板疊裝在一起，該基板上的凸點(diǎn)是焊料凸點(diǎn)，其成分為Pb/Sn或Sn/Ag，熔點(diǎn)定在200～240 ℃。這最后一步是將基板疊裝后，再在230～250 ℃的溫度下進(jìn)行焊接。MCM疊層的工藝流程與裸芯片疊層的工藝流程基本一致。除上述邊緣導(dǎo)體焊接采用互連方式外，疊層3D封裝還有多種互連方式，例如引線鍵合疊層芯片就是一種采用引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層互連的，該方法的適用范圍比較廣。此外，疊層互連工藝還有疊層載帶、折疊柔性電路等方式。疊層載帶是用載帶自動鍵合（TAB）實(shí)現(xiàn)IC互連，可進(jìn)而分為印刷電路板（PCB）疊層TAB和引線框架TAB。折疊柔性電路方式是先將裸芯片安裝在柔性材料上，然后將其折疊，從而形成三維疊層的封裝形式。

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