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1，可控硅工作原理工作電壓
2，可控硅到底是如何工作的是串聯(lián)還是并聯(lián)工作的時(shí)候是怎樣的
3，可控硅和固態(tài)繼電器的區(qū)別是什么可控硅的工作原理
4，可控硅的工作原理和作用還有檢測辦法我老婆叫什么名字
5，可控硅的工作原理
6，可控硅的工作原理和主要作用

1，可控硅工作原理工作電壓

直流電路中，控制極加正電后導(dǎo)通，導(dǎo)通后控制極開路也會維持導(dǎo)通。截止有兩個(gè)辦法：1.控制極加負(fù)電壓；2.源極電壓小于維持電壓。交流電路中會在過零時(shí)關(guān)斷?，F(xiàn)在發(fā)展有很多種，如：絕緣柵、光電隔離柵、雙向等。

可控硅的工作原理是；它的觸發(fā)極受觸發(fā)信號控制通和斷及導(dǎo)通角度，得有一套觸發(fā)信號形成電路控制它才行，用它控制電壓和電流，也可以用在逆變等等，它的工作電壓是；高低壓都有，大小電流都有，規(guī)格很全的，不知你想哪里用？

可控硅工作原理工作電壓

2，可控硅到底是如何工作的是串聯(lián)還是并聯(lián)工作的時(shí)候是怎樣的

可控硅可以并聯(lián)也可以串聯(lián)使用，可以用作調(diào)壓電路，靠改變導(dǎo)通角來調(diào)節(jié)輸出電壓，一般附帶著整流的功能?？煽毓枰部梢杂脕碜鲩_關(guān)，由不同的電路來組成。其工作原理是通過改變觸發(fā)極的電壓，來決定陰極和陽極的導(dǎo)通程度。還有雙向可控硅就不一一介紹了。我看了你的追問，你圖中那個(gè)可控硅方框內(nèi)只有一個(gè)可控硅不行，應(yīng)該是有可控硅組成的開關(guān)電路，舉個(gè)例子：像是我們樓道中的延時(shí)開關(guān)。你的條件是幾毫安觸發(fā)，應(yīng)該采用可控硅電路，但成本大概在15元上下，如果用微型繼電器，電流要20毫安左右，成本10元以下。但你還要考慮控制對象是多大電流，或者說多大容量，容量大，成本肯定會增加。

可控硅到底是如何工作的是串聯(lián)還是并聯(lián)工作的時(shí)候是怎樣的

3，可控硅和固態(tài)繼電器的區(qū)別是什么可控硅的工作原理

區(qū)別就在于，可控硅就是可控硅，固態(tài)繼電器則是可控硅+同步觸發(fā)驅(qū)動。工作原理：可控硅實(shí)際上就是一個(gè)大功率的二極管,它與普通二極管的不同之處在于它多了一個(gè)控制極.普通二極管是正向電壓就導(dǎo)通,反向電壓就截止;而可控硅則是靠控制極的信號導(dǎo)通的.固態(tài)繼電器（Solid State Relay,縮寫SSR），是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點(diǎn)開關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號，達(dá)到直接驅(qū)動大電流負(fù)載。固態(tài)繼電器是具有隔離功能的無觸點(diǎn)電子開關(guān)，在開關(guān)過程中無機(jī)械接觸部件，因此固態(tài)繼電器除具有與電磁繼電器一樣的功能外，還具有邏輯電路兼容，耐振耐機(jī)械沖擊，安裝位置無限制，具有良好的防潮防霉防腐蝕性能，在防爆和防止臭氧污染方面的性能也極佳，輸入功率小，靈敏度高，控制功率小，電磁兼容性好，噪聲低和工作頻率高等特點(diǎn)?？煽毓?，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。

可控硅和固態(tài)繼電器的區(qū)別是什么可控硅的工作原理

4，可控硅的工作原理和作用還有檢測辦法我老婆叫什么名字

可控硅元件—可控硅元件的工作原理及基本特性三、可控硅元件的工作原理及基本特性 1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1 表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài) 條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通 1、陽極電位高于是陰極電位 2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通 1、陽極電位高于陰極電位 2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷 1、陽極電位低于陰極電位 2、陽極電流小于維持電流任一條件即可 2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性見圖2 （1）反向特性當(dāng)控制極開路，陽極加上反向電壓時(shí)（見圖3），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，圖3的特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會發(fā)生永久性反向擊穿。（2）正向特性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時(shí)（見圖4），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，圖3的特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性，見圖3的虛線AB段。這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似，見圖2中的BC段 3、觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)（見圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。

5，可控硅的工作原理

可控硅是把交流電轉(zhuǎn)換為大小可以調(diào)節(jié)的直流的無觸點(diǎn)的開關(guān),廣泛運(yùn)用于電力切換領(lǐng)域(高速切換=每秒種上萬次),普通可控硅因?yàn)闊o觸點(diǎn),噪音低,無火花,安全耐用,常用在電機(jī)調(diào)速,燈光調(diào)光領(lǐng)域.鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個(gè)極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。 2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞.

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成?！　‘?dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通?！　∮捎贐G1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。　　由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化

1.可控硅是p1n1p2n2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)pn結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)pnp管和一個(gè)npn管所組成　當(dāng)陽極a加上正向電壓時(shí)，bg1和bg2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極g輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號，bg2便有基流ib2流過，經(jīng)bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)閎g2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)bg1放大，于是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。　由于bg1和bg2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極g的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。　由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化　2,觸發(fā)導(dǎo)通　在控制極g上加入正向電壓時(shí)（見圖5）因j3正偏，p2區(qū)的空穴時(shí)入n2區(qū)，n2區(qū)的電子進(jìn)入p2區(qū)，形成觸發(fā)電流igt。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2）的基礎(chǔ)上，加上igt的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。

6，可控硅的工作原理和主要作用

一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu) 可控硅又叫晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對外有三個(gè)電極〔圖(a)〕：第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、可控硅的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識可控硅的工作特性，大家先看這塊示教板(圖)。可控硅VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型可控硅，若采用KP1型，應(yīng)接在1.5V直流電源的正極)?？煽毓枧c電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給可控硅陽極和控制極所加的都是正向電壓?，F(xiàn)在我們合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明可控硅沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明可控硅導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢? 這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使可控硅導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓?？煽毓鑼?dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。可控硅的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，可控硅就不能導(dǎo)通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使可控硅導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷，可以斷開陽極電源(圖中的開關(guān)S)或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值(稱為維持電流)。如果可控硅陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時(shí)，可控硅會自行關(guān)斷。三、用萬用表可以區(qū)分可控硅的三個(gè)電極，測試可控硅的好壞普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測?？煽毓鐶、K之間是一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽極A了。測試可控硅的好壞：歐姆擋R×1，黑表筆（＋）接陽極A，紅表筆（－）接陰極K，同時(shí)將控制極G與黑表筆碰觸（相當(dāng)于加一正觸發(fā)電壓）一下，若能保持導(dǎo)通，則可控硅是好的。注：特大電流的可控硅，有可能不被觸發(fā)，得用低阻表（可提供較大的觸發(fā)電流）測量。四、可控硅在電路中的主要用途普通可控硅最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。一個(gè)最簡單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。Ug到來得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在橋式整流電路中，只需要把兩個(gè)二極管換成可控硅就能構(gòu)成全波可控整流電路了。五、可控硅控制極所需觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生可控硅觸發(fā)電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小可控硅觸發(fā)大可控硅的觸發(fā)電路，等等。今天大家制作的可控硅調(diào)壓器，多采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。六、單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管（圖中BT-33)，是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。在一塊N型硅片兩端，制作兩個(gè)電極，分別叫做第一基極B1和第二基極B2；硅片的另一側(cè)靠近B2處制作了一個(gè)PN結(jié)，相當(dāng)于一只二極管，在P區(qū)引出的電極叫發(fā)射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區(qū)域等效為一個(gè)純電阻RBB，稱為基區(qū)電阻，并可看作是兩個(gè)電阻RB2、RB1的串聯(lián)。值得注意的是RB1的阻值會隨發(fā)射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個(gè)基極B2、B1之間加上一個(gè)直流電壓UBB，則A點(diǎn)的電壓UA為：若發(fā)射極電壓UE<UA，二極管VD截止；當(dāng)UE大于單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP(UP=UD＋UA)時(shí)，二極管VD導(dǎo)通，發(fā)射極電流IE注入RB1，使RB1的阻值急劇變小，E點(diǎn)電位UE隨之下降，出現(xiàn)了IE增大UE反而降低的現(xiàn)象，稱為負(fù)阻效應(yīng)。發(fā)射極電流IE繼續(xù)增加，發(fā)射極電壓UE不斷下降，當(dāng)UE下降到谷點(diǎn)電壓UV以下時(shí)，單結(jié)晶體管就進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。七、利用單結(jié)晶體管組成可控硅觸發(fā)電路單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路在可控硅調(diào)壓器中已經(jīng)具體應(yīng)用了。它是由單結(jié)晶體管和RC充放電電路組成的。合上電源開關(guān)S后，電源UBB經(jīng)電位器RP向電容器C充電，電容器上的電壓UC按指數(shù)規(guī)律上升。當(dāng)UC上升到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管突然導(dǎo)通，基區(qū)電阻RB1急劇減小，電容器C通過PN結(jié)向電阻R1迅速放電，使R1兩端電壓Ug發(fā)生一個(gè)正跳變，形成陡峭的脈沖前沿。隨著電容器C的放電，UE按指數(shù)規(guī)律下降，直到低于谷點(diǎn)電壓UV時(shí)單結(jié)晶體管截止。這樣，在R1兩端輸出的是尖頂觸發(fā)脈沖。此時(shí)，電源UBB又開始給電容器C充電，進(jìn)入第二個(gè)充放電過程。這樣周而復(fù)始，電路中進(jìn)行著周期性的振蕩。調(diào)節(jié)RP可以改變振蕩周期。八、在可控整流電路的波形圖中，發(fā)現(xiàn)可控硅正向電壓的每半個(gè)周期內(nèi)，發(fā)出第一個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，也就是控制角α和導(dǎo)通角θ都相等，那么，單結(jié)晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準(zhǔn)確地配合以實(shí)現(xiàn)有效的控制呢? 為了實(shí)現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”，必須使可控硅承受正向電壓的每半個(gè)周期內(nèi)，觸發(fā)電路發(fā)出第一個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在可控硅沒有導(dǎo)通時(shí)，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負(fù)載RL上有交流電壓和電流，與此同時(shí)，導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過零瞬間，可控硅VS被迫關(guān)斷，張弛振蕩器得電，又開始給電容器C充電，重復(fù)以上過程。這樣，每次交流電壓過零后，張弛振蕩器發(fā)出第一個(gè)觸發(fā)脈沖的時(shí)刻都相同，這個(gè)時(shí)刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時(shí)間，也就改變了第一個(gè)Ug發(fā)出的時(shí)刻，相應(yīng)地改變了可控硅的控制角，使負(fù)載RL上輸出電壓的平均值發(fā)生變化，達(dá)到調(diào)壓的目的。雙向可控硅的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關(guān)的控制電路。1958年，從美國通用電氣公司研制成功第一個(gè)工業(yè)用可控硅開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組、靜止的離子變流器進(jìn)入以電力半導(dǎo)體器件組成的變流器時(shí)代?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓枧c雙向可控硅。單向可控硅一般用于彩電的過流、過壓保護(hù)電路。雙向可控硅一般用于交流調(diào)節(jié)電路，如調(diào)光臺燈及全自動洗衣機(jī)中的交流電源控制?！　‰p向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開關(guān)器件，一直為家電行業(yè)中主要的功率控制器件。近幾年，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大功率雙向可控硅不斷涌現(xiàn)，并廣泛應(yīng)用在變流、變頻領(lǐng)域，可控硅應(yīng)用技術(shù)日益成熟。本文主要探討廣泛應(yīng)用于家電行業(yè)的雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用。雙向可控硅特點(diǎn)　　雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。圖1為雙向可控硅的基本結(jié)構(gòu)及其等效電路，它有兩個(gè)主電極T1和T2，一個(gè)門極G，門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。