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ddr4頻率，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

來源：整理時間：2023-09-08 10:20:37 編輯：智能門戶手機版

本文目錄一覽

1，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133
2，DDR4內(nèi)存頻率多少合適
3，ddr4的標準寬帶和主頻
4，內(nèi)存的addr4 是什么它有哪些頻率
5，DDR4 2400頻與2133頻有什么區(qū)別
6，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

1，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

基本沒有區(qū)別，至少人感覺不出來

不大，建議買2400的

DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

2，DDR4內(nèi)存頻率多少合適

至少2133頻率，因為六代I3 I5 I7 E3內(nèi)存控制支持是2133頻率的。不能或不超頻的CPU 平臺，你上2133就可以了，想要超頻能超頻的就上更高頻率的。還有就是，只要是主板支持2133以上頻率，就隨便你上。

現(xiàn)在的配置支持ddr4內(nèi)存的。不超頻的話默認最高就是支持到2133頻率。一般買這個頻率的內(nèi)存就行了。如果再高頻率的價格也不高也可以選性價比更高。

DDR4內(nèi)存頻率多少合適

3，ddr4的標準寬帶和主頻

如果你的主板和CPU支持，當然越高越好不過，越高的主頻有越高的延遲，具體是多少就不清楚了反正2600Mhz沒問題再高就是技術(shù)問題了，可能會像顯卡那樣出DDR4和DDR5

是它的頻率！其實就是333mhz 。說的簡單點就是它的工作頻率！像667 800也都是頻率！至于ddr2說明的是內(nèi)存條的類型版本！現(xiàn)在最新的內(nèi)存是ddr 3當然區(qū)別就是它的頻率會更高！可以超過一千！是1033來著還是什么。你想加內(nèi)存條，如果你的內(nèi)存是ddr2 333那你加的內(nèi)存條也還得是一樣的，包過內(nèi)存條的揣禒編溉妝防表獅勃餞大小都要是一樣的！不然會不兼容！我的回答絕對專業(yè)，希望能幫到你！

ddr4的標準寬帶和主頻

4，內(nèi)存的addr4 是什么它有哪些頻率

我不會~~~但還是要微笑~~~：）

內(nèi)存（RAM)是計算機的核心部件），計算機軟件都要經(jīng)過內(nèi)存才能運行，內(nèi)存的頻率（內(nèi)存最大運行頻率）一定程度上代表了內(nèi)存的性能，內(nèi)存頻率越大計算機運行速度（處理能力，不考慮其他因素）越強大；同時內(nèi)存容量越大，計算機性能也越強。目前市面上主流的是DDR3的內(nèi)存條（新一代的DDR4，支持少，價格高，但是有著更高的主頻，更大的容量）。如果需要提升計算機運行能力，可以采用雙通道的方式（兩根同頻率和容量的內(nèi)存條）常見的DDR4內(nèi)存條的頻率有：1、2133MHZ2、2400MHz3、2666MHz4、2800MHz5、3000MHz6、3200MHZ7、3300MHZ

5，DDR4 2400頻與2133頻有什么區(qū)別

你好，最高運行頻率不一樣，2400的可以運行的更快。但是內(nèi)存的運行頻率只是他本身的支持頻率，實際運行頻率，和主板的內(nèi)存插槽支持頻率有關(guān)。主板插槽的頻率和內(nèi)存支持頻率，哪個低就會按哪個運行。也就是說如果你的主板最大支持到2133，那么你插2400的內(nèi)存運行速度也是2133.擴展資料：內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。參考資料：百度百科——內(nèi)存頻率

當然會有所區(qū)別的。在性能上2400的略高于2133的。不過也高不了多少。

2400和2133代表的是運行頻率，2400比2133快一點點，不用軟件測性能的話基本感覺不出來區(qū)別。

兩者都是DDR4內(nèi)存，相互兼容，可以混用。 2400的內(nèi)存，全速工作時，提供的數(shù)據(jù)帶寬比2133的更大，所以理論上性能也更好。

最高運行頻率不一樣，2400的可以運行的更快。但是內(nèi)存的運行頻率只是他本身的支持頻率，實際運行頻率，和主板的內(nèi)存插槽支持頻率有關(guān)。主板插槽的頻率和內(nèi)存支持頻率，哪個低就會按哪個運行。也就是說如果你的主板最大支持到2133，那么你插2400的內(nèi)存運行速度也是2133.

6，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

【概括而言，區(qū)別如下】：1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低【詳細區(qū)別包括以下5方面】：一、頻率和電壓在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達到4266MHz。這個頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當大的提升。在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2V。二、傳輸機制相對于DDR3，DDR4的一大改進就體現(xiàn)在信號傳輸機制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號( 傳統(tǒng)SE信號)外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號技術(shù) )技術(shù)。三、訪問機制對于DDR3內(nèi)存來說，目前數(shù)據(jù)讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問機制已經(jīng)改為了點對點技術(shù)，這是DDR4整個存儲系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計。點對點相當于一條主管道只對應(yīng)一個水箱（這種機制的改變其實并不會對傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因為主管道的大小并沒有改變），這樣設(shè)計的好處可以大大簡化內(nèi)存模塊的設(shè)計、更容易達到更高的頻率。四、封裝技術(shù)DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。五、外觀DDR3內(nèi)存金手指是240個，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。

ddr4與ddr3內(nèi)存差異一：處理器每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。haswell-e平臺的內(nèi)存同ivb-e/snb-e一樣為四通道設(shè)計，ddr4內(nèi)存頻率原生支持2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持ddr3和ddr4內(nèi)存，所以增加了ddr4普及的門檻。ddr4與ddr3內(nèi)存差異二：外型一直一來，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設(shè)計既可以保證ddr4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩(wěn)定的同時，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。接口位置同時也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近中央。在金手指觸點數(shù)量方面，普通ddr4內(nèi)存有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。ddr4與ddr3內(nèi)存差異三：參數(shù) ddr4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。ddr4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的帶寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。 ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8gb（單顆芯片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來制造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。