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ddr4頻率，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-08 10:20:37 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133
2，DDR4內(nèi)存頻率多少合適
3，ddr4的標(biāo)準(zhǔn)寬帶和主頻
4，內(nèi)存的addr4 是什么它有哪些頻率
5，DDR4 2400頻與2133頻有什么區(qū)別
6，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

1，DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

基本沒(méi)有區(qū)別，至少人感覺(jué)不出來(lái)

不大，建議買2400的

DDR4不同頻率區(qū)別有多大比如2666和2133

2，DDR4內(nèi)存頻率多少合適

至少2133頻率，因?yàn)榱鶬3 I5 I7 E3內(nèi)存控制支持是2133頻率的。不能或不超頻的CPU 平臺(tái) ，你上2133就可以了，想要超頻能超頻的就上更高頻率的。還有就是，只要是主板支持2133以上頻率，就隨便你上。

現(xiàn)在的配置支持ddr4內(nèi)存的。不超頻的話默認(rèn)最高就是支持到2133頻率。一般買這個(gè)頻率的內(nèi)存就行了。如果再高頻率的價(jià)格也不高也可以選性價(jià)比更高。

DDR4內(nèi)存頻率多少合適

3，ddr4的標(biāo)準(zhǔn)寬帶和主頻

如果你的主板和CPU支持，當(dāng)然越高越好不過(guò)，越高的主頻有越高的延遲，具體是多少就不清楚了反正2600Mhz沒(méi)問(wèn)題再高就是技術(shù)問(wèn)題了，可能會(huì)像顯卡那樣出DDR4和DDR5

是它的頻率！其實(shí)就是333mhz 。說(shuō)的簡(jiǎn)單點(diǎn)就是它的工作頻率！像667 800也都是頻率！至于ddr2說(shuō)明的是內(nèi)存條的類型版本！現(xiàn)在最新的內(nèi)存是ddr 3當(dāng)然區(qū)別就是它的頻率會(huì)更高！可以超過(guò)一千！是1033來(lái)著還是什么。你想加內(nèi)存條，如果你的內(nèi)存是ddr2 333那你加的內(nèi)存條也還得是一樣的，包過(guò)內(nèi)存條的揣禒編溉妝防表獅勃餞大小都要是一樣的！不然會(huì)不兼容！我的回答絕對(duì)專業(yè)，希望能幫到你！

ddr4的標(biāo)準(zhǔn)寬帶和主頻

4，內(nèi)存的addr4 是什么它有哪些頻率

我不會(huì)~~~但還是要微笑~~~：）

內(nèi)存（RAM)是計(jì)算機(jī)的核心部件），計(jì)算機(jī)軟件都要經(jīng)過(guò)內(nèi)存才能運(yùn)行，內(nèi)存的頻率（內(nèi)存最大運(yùn)行頻率）一定程度上代表了內(nèi)存的性能，內(nèi)存頻率越大計(jì)算機(jī)運(yùn)行速度（處理能力，不考慮其他因素）越強(qiáng)大；同時(shí)內(nèi)存容量越大，計(jì)算機(jī)性能也越強(qiáng)。目前市面上主流的是DDR3的內(nèi)存條（新一代的DDR4，支持少，價(jià)格高，但是有著更高的主頻，更大的容量）。如果需要提升計(jì)算機(jī)運(yùn)行能力，可以采用雙通道的方式（兩根同頻率和容量的內(nèi)存條）常見的DDR4內(nèi)存條的頻率有：1、2133MHZ2、2400MHz3、2666MHz4、2800MHz5、3000MHz6、3200MHZ7、3300MHZ

5，DDR4 2400頻與2133頻有什么區(qū)別

你好，最高運(yùn)行頻率不一樣，2400的可以運(yùn)行的更快。但是內(nèi)存的運(yùn)行頻率只是他本身的支持頻率，實(shí)際運(yùn)行頻率，和主板的內(nèi)存插槽支持頻率有關(guān)。主板插槽的頻率和內(nèi)存支持頻率，哪個(gè)低就會(huì)按哪個(gè)運(yùn)行。也就是說(shuō)如果你的主板最大支持到2133，那么你插2400的內(nèi)存運(yùn)行速度也是2133.擴(kuò)展資料：內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。參考資料：百度百科——內(nèi)存頻率

當(dāng)然會(huì)有所區(qū)別的。在性能上2400的略高于2133的。不過(guò)也高不了多少。

2400和2133代表的是運(yùn)行頻率，2400比2133快一點(diǎn)點(diǎn)，不用軟件測(cè)性能的話基本感覺(jué)不出來(lái)區(qū)別。

兩者都是DDR4內(nèi)存，相互兼容，可以混用。 2400的內(nèi)存，全速工作時(shí)，提供的數(shù)據(jù)帶寬比2133的更大，所以理論上性能也更好。

最高運(yùn)行頻率不一樣，2400的可以運(yùn)行的更快。但是內(nèi)存的運(yùn)行頻率只是他本身的支持頻率，實(shí)際運(yùn)行頻率，和主板的內(nèi)存插槽支持頻率有關(guān)。主板插槽的頻率和內(nèi)存支持頻率，哪個(gè)低就會(huì)按哪個(gè)運(yùn)行。也就是說(shuō)如果你的主板最大支持到2133，那么你插2400的內(nèi)存運(yùn)行速度也是2133.

6，DDR4與DDR3有什么區(qū)別

【概括而言，區(qū)別如下】：1.DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低【詳細(xì)區(qū)別包括以下5方面】：一、頻率和電壓在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達(dá)到4266MHz。這個(gè)頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當(dāng)大的提升。在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預(yù)計(jì)最低可以做到1.2V。二、傳輸機(jī)制相對(duì)于DDR3，DDR4的一大改進(jìn)就體現(xiàn)在信號(hào)傳輸機(jī)制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號(hào)( 傳統(tǒng)SE信號(hào))外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù) )技術(shù)。三、訪問(wèn)機(jī)制對(duì)于DDR3內(nèi)存來(lái)說(shuō)，目前數(shù)據(jù)讀取訪問(wèn)的機(jī)制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問(wèn)機(jī)制已經(jīng)改為了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)技術(shù)，這是DDR4整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計(jì)。點(diǎn)對(duì)點(diǎn)相當(dāng)于一條主管道只對(duì)應(yīng)一個(gè)水箱（這種機(jī)制的改變其實(shí)并不會(huì)對(duì)傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因?yàn)橹鞴艿赖拇笮〔](méi)有改變），這樣設(shè)計(jì)的好處可以大大簡(jiǎn)化內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)、更容易達(dá)到更高的頻率。四、封裝技術(shù)DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來(lái)增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。五、外觀DDR3內(nèi)存金手指是240個(gè)，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個(gè)，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。

ddr4與ddr3內(nèi)存差異一：處理器每次內(nèi)存升級(jí)換代時(shí)，必須支持的就是處理器。haswell-e平臺(tái)的內(nèi)存同ivb-e/snb-e一樣為四通道設(shè)計(jì)，ddr4內(nèi)存頻率原生支持2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點(diǎn)一個(gè)是6核升級(jí)8核，另一點(diǎn)是對(duì)ddr4的支持。上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會(huì)同時(shí)支持ddr3和ddr4內(nèi)存，所以增加了ddr4普及的門檻。ddr4與ddr3內(nèi)存差異二：外型一直一來(lái)，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個(gè)問(wèn)題，ddr4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證ddr4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號(hào)傳輸確保信號(hào)穩(wěn)定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。接口位置同時(shí)也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通ddr4內(nèi)存有284個(gè)，而ddr3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。ddr4與ddr3內(nèi)存差異三：參數(shù) ddr4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。ddr4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的帶寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過(guò)70％。另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。 ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來(lái)說(shuō)，目前常見的大容量?jī)?nèi)存單條容量為8gb（單顆芯片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達(dá)到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會(huì)使用20nm以下的工藝來(lái)制造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動(dòng)版的so-dimmd dr4的電壓還會(huì)降得更低。