首頁(yè) > 廠商 > 問(wèn)答 > LDMOS，LDMOS中B點(diǎn)是不是會(huì)有一個(gè)峰值

LDMOS，LDMOS中B點(diǎn)是不是會(huì)有一個(gè)峰值

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-26 21:51:39 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，LDMOS中B點(diǎn)是不是會(huì)有一個(gè)峰值
2，LDMOS功率放大器什么是LDMOS功率放大器
3，ldmos的onresistance大概是多少
4，相比LDMOS及碳化硅基硅基氮化鎵在無(wú)線通信方面的能效怎樣
5，無(wú)線數(shù)字電視是怎么回事
6，什么是半導(dǎo)體功率器件

1，LDMOS中B點(diǎn)是不是會(huì)有一個(gè)峰值

這么基礎(chǔ)的問(wèn)題不是論文講解的范疇，而是教科書(shū)講解的范疇。

LDMOS中B點(diǎn)是不是會(huì)有一個(gè)峰值

2，LDMOS功率放大器什么是LDMOS功率放大器

在通信設(shè)備中，一個(gè)多級(jí)放大器的最后一級(jí)總要帶上一定的負(fù)載，例如使揚(yáng)聲器發(fā)出聲音，或者接到長(zhǎng)途線路上使信號(hào)能作遠(yuǎn)距離的傳輸?shù)?，這就要求放大器輸出一定的信號(hào)功率。因此這一級(jí)放大器就稱為功率放大器。

我是來(lái)看評(píng)論的

LDMOS功率放大器什么是LDMOS功率放大器

3，ldmos的onresistance大概是多少

Static Drain To Source On State Resistance　源漏開(kāi)態(tài)電阻===========================================柳浪聞鶯各位芝麻竭誠(chéng)為您解答您的是我們堅(jiān)持百度的動(dòng)力

同問(wèn)。。。

ldmos的onresistance大概是多少

4，相比LDMOS及碳化硅基硅基氮化鎵在無(wú)線通信方面的能效怎樣

與LDMOS相比，硅基氮化鎵提高了 10% 能效，并且結(jié)合多個(gè)性能優(yōu)勢(shì)，提供更佳更遠(yuǎn)的路徑；另一方面，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵的規(guī)模生產(chǎn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。適當(dāng)利用，10% 的能效提升即可極大程度上減少無(wú)線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商的基站運(yùn)營(yíng)成本。據(jù)半導(dǎo)體供應(yīng)商 MACOM 的有關(guān)估計(jì)，假設(shè)平均能效為 0.1 美元/千瓦時(shí)，僅將一年內(nèi)部署的宏基站轉(zhuǎn)換為硅基氮化鎵，就可節(jié)省超過(guò) 1 億美元電費(fèi)。通過(guò)將LDMOS半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)換為硅基氮化鎵功率放大器后，不僅可以提高能效，同時(shí)也減少了二氧化碳的排放——這不管是無(wú)線營(yíng)運(yùn)商還是客戶，都是令人振奮的。

支持一下感覺(jué)挺不錯(cuò)的

5，無(wú)線數(shù)字電視是怎么回事

無(wú)線數(shù)字電視是指廣播電視臺(tái)通過(guò)地面發(fā)射塔發(fā)射數(shù)字微波信號(hào)，經(jīng)空中傳播。接收設(shè)備有天線和接收機(jī)+用戶卡組成，天線一般為網(wǎng)狀天線，直徑在0.4-0.9M之間，接收機(jī)的作用是把天線接收的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行解碼。而用戶卡的作用是識(shí)別用戶合法的身份，上面記載著用戶的付費(fèi)等信息。無(wú)線數(shù)字電視和數(shù)字衛(wèi)星電視的原理差不多，只不過(guò)發(fā)射源不同罷了。

無(wú)線數(shù)字電視的信號(hào)質(zhì)量要求在16db左右，覆蓋范圍大約在30里地，在鄉(xiāng)鎮(zhèn).農(nóng)村是收不到信號(hào)的。離縣城越近，信號(hào)越好，離縣城越遠(yuǎn)，是沒(méi)有信號(hào)的。

1.關(guān)閉機(jī)頂盒，將智能卡從機(jī)頂盒取出，用嘴向智能卡芯片（黃色銅片）哈氣，再用軟布將其擦拭一下，在裝上試試。（最常見(jiàn)）2.將電視和機(jī)頂盒連接的所有音頻、視頻、有線輸入線重插一遍。點(diǎn)機(jī)頂盒遙控器上的“狀態(tài)”鍵，看看信號(hào)質(zhì)量不能低于50% 3.以上如果都不行，就將電視切換至tv頻段，去試一下原模擬電視信號(hào)免費(fèi)贈(zèng)送的那幾個(gè)臺(tái)，要是不行，有可能是電視壞了。4.要是原模擬電視信號(hào)免費(fèi)贈(zèng)送的那幾個(gè)臺(tái)可以看，撥打數(shù)字電視服務(wù)熱線，報(bào)修。

無(wú)線網(wǎng)絡(luò)數(shù)字電視是采用數(shù)字電視技術(shù)，通過(guò)無(wú)線發(fā)射、地面接收的方法進(jìn)行電視節(jié)目傳播，移動(dòng)數(shù)字電視便是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)數(shù)字電視系統(tǒng)的應(yīng)用，在任何安裝了接收裝置的巴士、軌道交通等移動(dòng)載體就能收看到清晰的電視畫(huà)面?！　∠到y(tǒng)特點(diǎn)　　為了適應(yīng) 發(fā)射的市場(chǎng)發(fā)展，電視發(fā)射技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越重要。隨著各國(guó)數(shù)字電視業(yè)務(wù)的開(kāi)播和全球掀起的數(shù)字電視熱潮，電視發(fā)射技術(shù)也取得了較大的進(jìn)步。數(shù)字mmds發(fā)射系統(tǒng)由數(shù)字發(fā)射機(jī)、頻率基準(zhǔn)源、頻率合成器、饋線與天線構(gòu)成。早期的數(shù)字電視發(fā)射機(jī)是用外接的cofdm或8-vsb激勵(lì)器簡(jiǎn)單取代模擬vision/sound激勵(lì)器，用射頻波段濾波器取代射頻輸出濾波器和vision/sound雙工器。已有新的數(shù)字電視發(fā)射機(jī)產(chǎn)生，新的發(fā)射機(jī)有幾個(gè)特點(diǎn)?！　。?）數(shù)字自適應(yīng)預(yù)校正技術(shù)（dap或trac）是指在不須人工干預(yù)的情況下在剛剛啟動(dòng)發(fā)射機(jī)的幾分鐘內(nèi)將發(fā)射機(jī)調(diào)整到最佳狀態(tài)。　　（2）大功率ldmos晶體管應(yīng)用于功放中 ldmos管的增益可達(dá)14db以上，采用ldmos管的pa模塊的增益可達(dá)60db左右，增大功放的可靠性。ldmos晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負(fù)數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響?！　。?）采用n+1系統(tǒng)用1部發(fā)射機(jī)給多部（n部）做備份，使得擁有多部發(fā)射機(jī)的臺(tái)站更經(jīng)濟(jì)。

6，什么是半導(dǎo)體功率器件

功率半導(dǎo)體器件，嘿嘿，本人的本行。功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。給個(gè)數(shù)量吧，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來(lái)，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛啦，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車電子為代表的4C行業(yè)（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導(dǎo)體器件可以說(shuō)是越來(lái)越火，現(xiàn)在不是要節(jié)能環(huán)保嗎，低碳生活，那就需要對(duì)能量的處理進(jìn)行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 嗎，所以就需要對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分！功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱為電源管理IC）已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速噢！功率半導(dǎo)體器件，在大多數(shù)情況下，是被作為開(kāi)關(guān)使用（switch），開(kāi)關(guān)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是用來(lái)控制電流的通過(guò) 和截?cái)唷?那么，一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，應(yīng)該具有兩個(gè)基本的特性： 1，電流通過(guò)的時(shí)候，這個(gè)理想開(kāi)關(guān)兩端的電壓降是零 2，電流截?cái)嗟臅r(shí)候，這個(gè)理想開(kāi)關(guān)兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無(wú)窮大因此，功率半導(dǎo)體器件的研究和發(fā)展，就是圍繞著這個(gè)目標(biāo)不斷前進(jìn)的。現(xiàn)在的功率半導(dǎo)體器件，已經(jīng)具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內(nèi)，可以接近一個(gè)比較理想的開(kāi)關(guān)。好了，扯了這么多，舉幾個(gè)功率半導(dǎo)體器件的例子吧，剛才已經(jīng)說(shuō)了，功率二極管，晶閘管，還有功率BJT（就是功率雙極型晶體管）這些都是第一代產(chǎn)品了，比較老的了，第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。 VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是縱向器件，多用于分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是橫向器件，其三個(gè)電極均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成電路領(lǐng)域。 IGBT 即（Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非?；鸢?，國(guó)內(nèi)才剛剛起步，大量需要IGBT的高技術(shù)人才，這個(gè)有錢途的。扯了好多啊，先就這么多吧，要細(xì)說(shuō)的話，可以說(shuō)一天。希望我的回答對(duì)你有幫助，一字一句都是原創(chuàng)，望采納