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量子阱,量子阱是電子或空穴的勢阱

來源:整理 時間:2023-08-23 01:48:04 編輯:智能門戶 手機版

本文目錄一覽

1,量子阱是電子或空穴的勢阱

一般指電子,一個束縛電子的空間范圍
雖然我很聰明,但這么說真的難到我了

量子阱是電子或空穴的勢阱

2,什么叫做量子阱

量子阱(Top quantum well) 量子阱有著三明治一樣的結(jié)構(gòu),中間是很薄的一層半導(dǎo)體膜,外側(cè)是兩個隔離層。用激光朝量子阱閃一下,可以使中間的半導(dǎo)體層里產(chǎn)生電子和帶正電的空穴。通常情況下,電子會與空穴結(jié)合,放出光子。科學(xué)家將量子阱的上層制造得特別薄,厚度不足30埃,這樣就可迫使中間層產(chǎn)生的電子與空穴結(jié)合時,以變化的電場而不是光子的形式釋放能量。電場的作用使鄰近的量子點中產(chǎn)生新的電子和空穴,從而令它們結(jié)合并放出光子。 圖: http://www.oursci.org/magazine/200404/news/061502.htm

什么叫做量子阱

3,量子阱是怎么形成的

量子阱(QW)是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中,如果勢壘層足夠厚,以致相鄰勢阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小,則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分離的量子阱,稱為多量子阱(MQW)。
如果寫在physics里,對于3d的mos器件,由于橫向有特殊結(jié)構(gòu),在設(shè)置areafactor是應(yīng)該怎么弄呢? 程序會自動重復(fù)結(jié)構(gòu)嗎? 比如原始器件寬度為2um,設(shè)置areafactor=100,那么是將器件橫向重復(fù)排列100次,還是簡單的沿著器件橫向邊界 橫向延長至200um

量子阱是怎么形成的

4,量子阱的應(yīng)用

量子限制效應(yīng)使量子阱中形成分立能級。在雙勢壘量子阱結(jié)構(gòu)中,只有當(dāng)發(fā)射極電子的能量與量子阱中能級相等且橫向動量守恒時,共振隧穿才能發(fā)生。而進一步加大電場,使量子阱分立能級低于發(fā)射極帶邊,隧穿電流急劇減小,出現(xiàn)負微分電阻現(xiàn)象,這就是共振隧道二極管(RTD)的基本原理。RTD高峰-谷電流比的I-V特性曲線已應(yīng)用于高頻振蕩器和高速邏輯電路等器件。   量子阱中的激子也作準二維運動。由于量子限制效應(yīng),量子阱中的二維激子,其結(jié)合能接近半導(dǎo)體材料激子束縛能的4倍,使得在室溫下就可能觀察到由激子效應(yīng)引起的強吸收峰或強熒光峰。這一特性加上量子阱中態(tài)密度的二維特性以及能帶工程各種調(diào)控手段,可使量子阱激光器的閾值電流減小、發(fā)射波長可調(diào)、微分增益提高、特征溫度等性能得到改善。半導(dǎo)體量子阱在其他光電器件中也得到了廣泛的應(yīng)用。

5,什么是張應(yīng)變量子阱材料什么是壓應(yīng)變量子阱材料有什么區(qū)別呢

利用K·P方法計算了阱寬 10.0nm的InGaAs/InP應(yīng)變量子阱在1%壓縮應(yīng)變、無應(yīng)變和1%伸張應(yīng)變?nèi)N情況下的能帶結(jié)構(gòu)及其態(tài)密度.結(jié)果表明在阱寬較寬時,伸張應(yīng)變在 13.5~13.23meV能量范圍之內(nèi)子帶較少,而在13.32~-38meV能量內(nèi),具有比無應(yīng)變時較低的的態(tài)密度.從能帶角度考慮,在伸張應(yīng)變時, 利用增大阱寬可以改善器件性能
量子阱(top quantum well) 量子阱有著三明治一樣的結(jié)構(gòu),中間是很薄的一層半導(dǎo)體膜,外側(cè)是兩個隔離層。用激光朝量子阱閃一下,可以使中間的半導(dǎo)體層里產(chǎn)生電子和帶正電的空穴。通常情況下,電子會與空穴結(jié)合,放出光子??茖W(xué)家將量子阱的上層制造得特別薄,厚度不足30埃,這樣就可迫使中間層產(chǎn)生的電子與空穴結(jié)合時,以變化的電場而不是光子的形式釋放能量。電場的作用使鄰近的量子點中產(chǎn)生新的電子和空穴,從而令它們結(jié)合并放出光子。 圖: http://www.oursci.org/magazine/200404/news/061502.htm

6,誰能詳述量子阱效應(yīng)

量子阱有著三明治一樣的結(jié)構(gòu),中間是很薄的一層半導(dǎo)體膜,外側(cè)是兩個隔離層。用激光朝量子阱閃一下,可以使中間的半導(dǎo)體層里產(chǎn)生電子和帶正電的空穴。通常情況下,電子會與空穴結(jié)合,放出光子??茖W(xué)家將量子阱的上層制造得特別薄,厚度不足30埃,這樣就可迫使中間層產(chǎn)生的電子與空穴結(jié)合時,以變化的電場而不是光子的形式釋放能量。電場的作用使鄰近的量子點中產(chǎn)生新的電子和空穴,從而令它們結(jié)合并放出光子.以上是別人的,不是我自己的。經(jīng)典物理學(xué)認為,粒子不可能貫穿能量較低的勢阱,但量子力學(xué)的有關(guān)實驗發(fā)現(xiàn),粒子還是有小概率通過的。
量子阱(qw)是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。 量子阱的最基本特征是,由于量子阱寬度(只有當(dāng)阱寬尺度足夠小時才能形成量子阱)的限制,導(dǎo)致載流子波函數(shù)在一維方向上的局域化,量子阱中因為有源層的厚度僅在電子平均自由程內(nèi),阱壁具有很強的限制作用,使得載流子只在與阱壁平行的平面內(nèi)具有二維自由度,在垂直方向,使得導(dǎo)帶和價帶分裂成子帶。 在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中,如果勢壘層足夠厚,以致相鄰勢阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小,則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分
量子阱是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。量子肼的最基本特征是,由于量子阱寬度(只有當(dāng)阱寬尺度足夠小時才能形成量子阱)的限制,導(dǎo)致載流子波函數(shù)在一維方向上的局域化。在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中,如果勢壘層足夠厚,以致相鄰勢阱之間載流子渡函數(shù)之間耦合很小,則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分離的量子阱,稱為多量子阱。如果勢壘層很薄,相鄰阱之間的耦合很強,原來在各量子阱中分立的能級將擴展成能帶(微帶),能帶的寬度和位置與勢阱的深度、寬度及勢壘的厚度有關(guān),這樣的多層結(jié)構(gòu)稱為超晶格。具有超晶格特點的結(jié)構(gòu)有時稱為耦合的多量子阱。量子肼中的電子態(tài)、聲子態(tài)和其他元激發(fā)過程以及它們之間的相互作用,與三維體狀材料中的情況有很大差別。在具有二維自由度的量子阱中,電子和空穴的態(tài)密度與能量的關(guān)系為臺階形狀。而不是象三維體材料那樣的拋物線形狀。
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