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PN結(jié),pn結(jié)是什么

來(lái)源:整理 時(shí)間:2023-08-26 00:48:36 編輯:智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1,pn結(jié)是什么

一邊參雜p元素一邊參雜n元素的半導(dǎo)體
 PN結(jié)(PN junction)一塊單晶半導(dǎo)體中 ,一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導(dǎo)體,另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導(dǎo)體時(shí) ,P 型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面附近的過(guò)渡區(qū)稱。PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種。用同一種半導(dǎo)體材料制成的 PN 結(jié)叫同質(zhì)結(jié) ,由禁帶寬度不同的兩種半導(dǎo)體材料制成的PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。制造PN結(jié)的方法有合金法、擴(kuò)散法、離子注入法和外延生長(zhǎng)法等。

pn結(jié)是什么

2,PN結(jié)是什么東東是什么作用用在哪里

是二級(jí)管或者三級(jí)管(晶體管)上的重要部分, 通常是在一塊N型(P型)半導(dǎo)體的局部再摻入濃度較大的三價(jià)(五價(jià))雜質(zhì),使其變?yōu)镻型(N型)半導(dǎo)體,在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的交界面就形成了一個(gè)特殊的薄層,稱為PN結(jié)。更詳細(xì)一點(diǎn)的解釋:把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,P區(qū)(P型半導(dǎo)體)中空穴濃度大,N區(qū)中電子濃度大。因此在兩者的結(jié)合面會(huì)發(fā)生電子與空穴的擴(kuò)散??昭ê碗娮訒?huì)相互越過(guò)交界面進(jìn)行復(fù)合,這樣就在N區(qū)靠近交接面處帶正電荷,在P區(qū)靠近交接面處帶負(fù)電荷,即在P區(qū).N區(qū)交界面的薄層區(qū)內(nèi)一邊帶正電荷,一邊帶負(fù)電荷,這個(gè)薄層稱之為PN結(jié)。
P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合處 是一種半導(dǎo)體 具有單向?qū)щ娦? 是做三極管的一種材料

PN結(jié)是什么東東是什么作用用在哪里

3,什么叫三極管的PN結(jié)

P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相互接觸時(shí),其交界區(qū)域稱為PN結(jié)。P區(qū)中的自由空穴和N區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散,造成正負(fù)電荷在 PN 結(jié)兩側(cè)的積累,形成電偶極層(圖4 )。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達(dá)到平衡時(shí),P區(qū)和N區(qū)之間形成一定的電勢(shì)差,稱為接觸電勢(shì)差。由于P 區(qū)中的空穴向N區(qū)擴(kuò)散后與N區(qū)中的電子復(fù)合,而N區(qū)中的電子向P區(qū)擴(kuò)散后與P 區(qū)中的空穴復(fù)合,這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層,故電偶極層也叫阻擋層,阻擋層的電阻值往往是組成PN結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,半?dǎo)體整流管就是利用PN結(jié)的這一特性制成的。PN結(jié)的另一重要性質(zhì)是受到光照后能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),稱光生伏打效應(yīng),可利用來(lái)制造光電池。半導(dǎo)體三極管、可控硅、PN結(jié)光敏器件和發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件均利用了PN結(jié)的特性。
P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相互接觸時(shí),其交界區(qū)域稱為PN結(jié)。

什么叫三極管的PN結(jié)

4,PN結(jié)工作原理是什么

PN結(jié)是構(gòu)成二極管的,而NPN或PNP是三極管,它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的。 這些在結(jié)構(gòu)在模擬電路里都有詳細(xì)的介紹,但是其內(nèi)部結(jié)構(gòu)只有有個(gè)了解認(rèn)識(shí)就行了,不用深入研究,沒(méi)有實(shí)際的用途。還是主要學(xué)習(xí)PN結(jié)的作用。 PN結(jié)作用:正向特性:正向?qū)裕唇oPN結(jié)一個(gè)正向的電壓它就導(dǎo)通,一般壓降為0.3-0.7V。 反向特性:可以做穩(wěn)壓管使用。即在反向電流允許的范圍內(nèi),可以起到穩(wěn)壓的作用,穩(wěn)壓二極管就是這個(gè)原理。 PNP或NPN的作用:也主要是三極管的應(yīng)用啦。 一般三極管有三個(gè)工作狀態(tài): 放大狀態(tài):即起信號(hào)放大的作用,主要用在放大電路中。功放電路常用到的。 截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài):這主要是起開(kāi)關(guān)的作用的。在截止?fàn)顟B(tài)下可以理解為三極管的CE間是開(kāi)路的,即斷開(kāi)的,而在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下可以理解為三極管的CE間是短路的。開(kāi)關(guān)作用也是常見(jiàn)到的,如在振蕩電路中,或開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)功率管都是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的。 以上只是基本的知識(shí),要想理解的深一點(diǎn),還是要多學(xué)習(xí)一下電路的。
空穴與電子帶相等的電荷量,并且一個(gè)帶正電一個(gè)帶負(fù)電。

5,誰(shuí)能幫我講一下二極管上的PN結(jié)的概念

PN結(jié)的形成 (1)當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí),由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ,這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散 。但是,電子和空穴都是帶電的,它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)和N區(qū)中原來(lái)的電中性條件破壞了。P區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ,它們集中在P區(qū)和N區(qū)交界面附近,形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū),這就是我們所說(shuō)的 PN結(jié) 。 PN結(jié) 采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?PN結(jié) (PN junction) 一塊單晶半導(dǎo)體中 ,一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導(dǎo)體,另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導(dǎo)體時(shí) ,P 型半導(dǎo)體和N型半 導(dǎo)體的交界面附近的過(guò)渡區(qū)稱。PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種。用同一種半導(dǎo)體材料制成的 PN 結(jié)叫同質(zhì)結(jié) ,由禁帶寬度不 同的兩種半導(dǎo)體材料制成的PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。制造PN結(jié)的方法有合金法、擴(kuò)散法、離子注入法和外延生長(zhǎng)法等。制造異質(zhì) 結(jié)通常采用外延生長(zhǎng)法。 P型半導(dǎo)體:由單晶硅通過(guò)特殊工藝摻入少量的三價(jià)元素組成,會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的空穴; N型半導(dǎo)體:由單晶硅通過(guò)特殊工藝摻入少量的五價(jià)元素組成,會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負(fù)電的自由電子。 在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下,空穴是可以移動(dòng)的,而電離雜質(zhì)(離子)是固定不動(dòng)的 。N 型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散,電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散??昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合,載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區(qū) 。P 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子 ,N 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場(chǎng),這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散 ,達(dá)到平衡。http://baike.baidu.com/view/49290.htm

6,什么是PN結(jié)

采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? PN結(jié) (PN junction) 一塊單晶半導(dǎo)體中 ,一部分摻有受主雜質(zhì)是P型半導(dǎo)體,另一部分摻有施主雜質(zhì)是N型半導(dǎo)體時(shí) ,P 型半導(dǎo)體和N型半 導(dǎo)體的交界面附近的過(guò)渡區(qū)稱。PN結(jié)有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)兩種。用同一種半導(dǎo)體材料制成的 PN 結(jié)叫同質(zhì)結(jié) ,由禁帶寬度不 同的兩種半導(dǎo)體材料制成的PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。制造PN結(jié)的方法有合金法、擴(kuò)散法、離子注入法和外延生長(zhǎng)法等。制造異質(zhì) 結(jié)通常采用外延生長(zhǎng)法。 在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下,空穴是可以移動(dòng)的,而電離雜質(zhì)(離子)是固定不動(dòng)的 。N 型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散,電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散。空穴和電子相遇而復(fù)合,載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區(qū) 。P 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子 ,N 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場(chǎng),這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散 ,達(dá)到平衡。 在PN結(jié)上外加一電壓 ,如果P型一邊接正極 ,N型一邊接負(fù)極,電流便從P型一邊流向N型一邊,空穴和電子都向界 面運(yùn)動(dòng),使空間電荷區(qū)變窄,甚至消失,電流可以順利通過(guò)。如果N型一邊接外加電壓的正極,P型一邊接負(fù)極,則空穴和 電子都向遠(yuǎn)離界面的方向運(yùn)動(dòng),使空間電荷區(qū)變寬,電流不能流過(guò)。這就是PN結(jié)的單向?qū)浴? PN結(jié)加反向電壓時(shí) ,空間電荷區(qū)變寬 , 區(qū)中電場(chǎng)增強(qiáng)。反向電壓增大到一定程度時(shí),反向電流將突然增大。如果外 電路不能限制電流,則電流會(huì)大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時(shí)的電壓稱擊穿電壓?;镜膿舸C(jī)構(gòu)有兩種,即隧 道擊穿和雪崩擊穿。 PN結(jié)加反向電壓時(shí),空間電荷區(qū)中的正負(fù)電荷構(gòu)成一個(gè)電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。 根據(jù)PN結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利 用PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開(kāi)關(guān)二極管,利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管;利用 高摻雜PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管;利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管。使半導(dǎo)體的光電效應(yīng)與PN結(jié)相結(jié) 合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質(zhì)結(jié)的載流子注入與復(fù)合可以制造半導(dǎo)體激光二極管與半導(dǎo)體發(fā)光二極 管;利用光輻射對(duì)PN結(jié)反向電流的調(diào)制作用可以制成光電探測(cè)器;利用光生伏特效應(yīng)可制成太陽(yáng)電池。此外,利用兩個(gè) PN結(jié)之間的相互作用可以產(chǎn)生放大,振蕩等多種電子功能 。PN結(jié)是構(gòu)成雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的核心,是現(xiàn)代電 子技術(shù)的基礎(chǔ)。在二級(jí)管中廣泛應(yīng)用。
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