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半導(dǎo)體工藝，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

來源：整理 時間：2023-09-04 12:16:16 編輯：智能門戶 手機版

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1，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

切片——磨片——拋光——清洗——外延——氧化——光刻——擴散——....合金——測試——壓焊——封裝——成品測試

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

2，制作半導(dǎo)體芯片 都有什么工序

半導(dǎo)體芯片的前工序主要是氧化、擴散和光刻；如果需要，還有外延和離子注入。
半導(dǎo)體芯片就是在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件

制作半導(dǎo)體芯片 都有什么工序

3，IC工藝是指

IC，是integrated circuit的縮寫，集成電路的意思 廣義的講,IC就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,包括: 1.集成電路(integrated circuit,縮寫:IC) 2.二,三極管. 3.特殊電子元件. 再廣義些講還涉及所有的電子元件,象電阻,電容,電路版/PCB版,等許多相關(guān)產(chǎn)品. IC工藝也就是電路方面的工藝

IC工藝是指

4，半導(dǎo)體工藝是什么

半導(dǎo)體工藝就是在IC各種器件、芯片等制造過程中一系列的單項工藝組成的，如光刻、氧化、擴散、離子注入、刻蝕、薄膜沉淀和外延生長等單項工藝。(自己整理的) 近幾年全球集成電路市場發(fā)展緩慢，中國集成電路市場受到金融危機的影響,行業(yè)不景氣,發(fā)展逐年減緩。 長期來看，如果2010年全球經(jīng)濟發(fā)展穩(wěn)定，在連續(xù)經(jīng)歷了多年的低迷發(fā)展之后，半導(dǎo)體行業(yè)有望在2010年出現(xiàn)反彈。隨著中國集成電路市場規(guī)模的不斷擴大，中國市場的增速也會逐漸平穩(wěn)，而且和全球半導(dǎo)體市場的發(fā)展速度會愈發(fā)接近，最終二者市場的發(fā)展速度將基本保持一致。
電路

5，集成電路工藝

集成電路工藝（integrated circuit technique ）是把電路所需要的晶體管、二極管、電 阻器和電容器等元件用一定工藝方式制作在一小塊硅片、玻璃或陶瓷襯底上，再用適當?shù)墓? 藝進行互連，然后封裝在一個管殼內(nèi)，使整個電路的體積大大縮小，引出線和焊接點的數(shù)目 也大為減少。集成的設(shè)想出現(xiàn)在50年代末和60年代初，是采用硅平面技術(shù)和薄膜與厚膜技術(shù) 來實現(xiàn)的。電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù) 為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發(fā)等一整套平面工藝技術(shù)，在一小塊硅 單晶片上同時制造晶體管、二極管、電阻和電容等元件，并且采用一定的隔離技術(shù)使各元件 在電性能上互相隔離。然后在硅片表面蒸發(fā)鋁層并用光刻技術(shù)刻蝕成互連圖形，使元件按需 要互連成完整電路，制成半導(dǎo)體單片集成電路。隨著單片集成電路從小、中規(guī)模發(fā)展到大規(guī) 模、超大規(guī)模集成電路，平面工藝技術(shù)也隨之得到發(fā)展。例如，擴散摻雜改用離子注入摻雜 工藝；紫外光常規(guī)光刻發(fā)展到一整套微細加工技術(shù)，如采用電子束曝光制版、等離子刻蝕、 反應(yīng)離子銑等；外延生長又采用超高真空分子束外延技術(shù)；采用化學(xué)汽相淀積工藝制造多晶 硅、二氧化硅和表面鈍化薄膜；互連細線除采用鋁或金以外，還采用了化學(xué)汽相淀積重摻雜 多晶硅薄膜和貴金屬硅化物薄膜，以及多層互連結(jié)構(gòu)等工藝。

6，半導(dǎo)體材料的材料工藝

半導(dǎo)體材料特性參數(shù)的大小與存在于材料中的雜質(zhì)原子和晶體缺陷有很大關(guān)系。例如電阻率因雜質(zhì)原子的類型和數(shù)量的不同而可能作大范圍的變化，而載流子遷移率和非平衡載流子壽命一般隨雜質(zhì)原子和晶體缺陷的增加而減小。另一方面，半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)又離不開各種雜質(zhì)原子的作用。而對于晶體缺陷，除了在一般情況下要盡可能減少和消除外，有的情況下也希望控制在一定的水平，甚至當已經(jīng)存在缺陷時可以經(jīng)過適當?shù)奶幚矶右岳谩榱艘_到對半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)原子和晶體缺陷這種既要限制又要利用的目的，需要發(fā)展一套制備合乎要求的半導(dǎo)體材料的方法，即所謂半導(dǎo)體材料工藝。這些工藝大致可概括為提純、單晶制備和雜質(zhì)與缺陷控制。半導(dǎo)體材料的提純“主要是除去材料中的雜質(zhì)。提純方法可分化學(xué)法和物理法?；瘜W(xué)提純是把材料制成某種中間化合物以便系統(tǒng)地除去某些雜質(zhì)，最后再把材料（元素）從某種容易分解的化合物中分離出來。物理提純常用的是區(qū)域熔煉技術(shù)，即將半導(dǎo)體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區(qū)域。利用雜質(zhì)在凝固過程中的分凝現(xiàn)象，當此熔區(qū)從一端至另一端重復(fù)移動多次后，雜質(zhì)富集于錠條的兩端。去掉兩端的材料，剩下的即為具有較高純度的材料（見區(qū)熔法晶體生長）。此外還有真空蒸發(fā)、真空蒸餾等物理方法。鍺、硅是能夠得到的純度最高的半導(dǎo)體材料，其主要雜質(zhì)原子所占比例可以小于百億分之一。
在市場經(jīng)濟中，是否被取代不但看性能，還要看成本。 比硅材料參數(shù)好的半導(dǎo)體很多，但是硅在地球上普遍存在，甚至不被列為礦物，成本極低。 而且硅半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)形成龐大的產(chǎn)業(yè)鏈，有效地降低了成本。 目前其他半導(dǎo)體材料在民用領(lǐng)域很難與硅抗衡。只有在航天、軍事等不惜成本的領(lǐng)域才能應(yīng)用。
文章TAG：半導(dǎo)體工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

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