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igbt模塊，IGBT是什么器件

來源：整理時(shí)間：2023-08-22 01:36:09 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，IGBT是什么器件
2，IGBT模塊的原理是什么
3，IGBT IGBT模塊是什么
4，IGBT具體怎么工作
5，IGBT模塊是什么東西有什么用
6，IGBT模塊與IGBT單管有什么不同

1，IGBT是什么器件

IGBT 我們一般稱其為“電力電子模塊”

IGBT是什么器件

2，IGBT模塊的原理是什么

是把需要數(shù)量IGBT單元組合到一個(gè)共同的絕緣基底上邊，這樣有利于減小絕緣和散熱系統(tǒng)的安裝和制作。一些性能更好的還把各個(gè)IGBT的驅(qū)動系統(tǒng)共同制作在里邊，這樣驅(qū)動信號只需考慮時(shí)序，不必注意電位的配合。

IGBT模塊的原理是什么

3，IGBT IGBT模塊是什么

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt

igbt模塊：從功能上簡單說就是實(shí)現(xiàn)逆變，把直流電轉(zhuǎn)換成可用的交流電?，F(xiàn)在好多節(jié)能減排的產(chǎn)品都有用到，像變頻器，逆變電源等！

三極管組成的逆變器

樓上提供的鏈接比較詳盡。

IGBT IGBT模塊是什么

4，IGBT具體怎么工作

IGBT模塊控制電路工作原理 1、PCB1板（主控制板） IGBT逆變模塊控制信號由脈寬調(diào)制電路（PCM+PFM）輸兩路脈沖波周期 50微秒脈寬調(diào) 序相差180度若用萬用表DVC檔測量測直流電壓值 2、PCB2板（驅(qū) 板） IGBT逆變模塊驅(qū) 信號驅(qū) 電路產(chǎn) 四路（全橋）相互隔離驅(qū) 信號周期、脈寬、序受PCB1控制別驅(qū) 四IGBT單元導(dǎo)通截止用萬用表DCV檔測量先測負(fù)電位延再測于負(fù)電位電壓值注意：能用雙通道示波器同測量兩路驅(qū) 信號 3、IGBT模塊逆變電路 IGBT模塊與主變壓器構(gòu) 逆變電路由濾波直流電經(jīng)控制信號使IGBT模塊內(nèi)部功率場效應(yīng)管交替導(dǎo)通工作逆變輸交流電（20KHZ）主變壓器降壓邊輸高頻電壓（70V）交流電再經(jīng) 續(xù)整流電路變 70V左右直流電電路故障請重點(diǎn)檢查IGBT性能及否擊穿損壞及PCB3板銅箔線沒腐蝕、燒斷希望能看懂并采納 ***** 到論壇,精華貼對你更有幫助的.車爸爸就是力量---->

5，IGBT模塊是什么東西有什么用

IGBT　　什么是 IGBT 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。　　圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。　　IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。 http://baike.baidu.com/view/115175.html

絕緣柵雙極型晶體管,...平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝參考資料： http://baike.baidu.com/view/115175.htm

6，IGBT模塊與IGBT單管有什么不同

IGBT單管為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。P+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。

他們都是在p型backgate中形成的n型區(qū)。在多數(shù)情況下;mosfet驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大。以金屬-氧化物-半導(dǎo)體（mos）場效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路mos管的source和drain是可以對調(diào)的，載流密度大igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。gtr飽和壓降低，載流密度小，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體，但驅(qū)動電流較大