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熱載流子效應(yīng)，什么是載流子熱效應(yīng)

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-08-21 23:18:44 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，什么是載流子熱效應(yīng)

Keithley4200-SCS型熱載流子效應(yīng)測(cè) 量系統(tǒng)允許在晶片生產(chǎn)完畢后，進(jìn)行精確的熱載流子衰變測(cè)試。它將快速、低噪聲測(cè)量?jī)x表同靈活、方便的分析工具快速簡(jiǎn)易地結(jié) 合起來(lái)。當(dāng)該系統(tǒng)與適當(dāng)?shù)奶结樑_(tái)配對(duì)使用時(shí)，可以使用同樣的電壓應(yīng)力條件與測(cè)試溫度（一般是室溫或低于室溫的條件）用于測(cè) 試晶體管器件。
你好！載流子熱效應(yīng)即電子熱效應(yīng)或空穴熱效應(yīng)僅代表個(gè)人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。

什么是載流子熱效應(yīng)

2，請(qǐng)教 如何解釋玻璃被電擊穿的機(jī)理

一、電擊穿。固體介質(zhì)在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，內(nèi)部少量可自由移動(dòng)的載流子劇烈運(yùn)動(dòng)，與晶格上的原子發(fā)生碰撞使之游離，并迅速擴(kuò)展而導(dǎo)致?lián)舸Ｌ攸c(diǎn)是：電壓作用時(shí)間短，擊穿電壓高，與電場(chǎng)均勻度密切相關(guān)，但與環(huán)境溫度及電壓作用時(shí)間幾乎無(wú)關(guān)。二、熱擊穿。電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，由于漏電流、電損耗或孔隙局部氣體電離放電產(chǎn)生放熱，材料溫度逐步升高，隨著時(shí)間延續(xù)，積熱增多，當(dāng)達(dá)到一定溫度時(shí)，材料即行開(kāi)裂、玻璃化或熔化，絕緣性能被破壞而導(dǎo)致?lián)舸┑默F(xiàn)象。這是介質(zhì)材料常見(jiàn)的破壞原因之一。熱擊穿與介質(zhì)的導(dǎo)致系數(shù)、強(qiáng)度、內(nèi)部缺陷、摻雜物（雜質(zhì)）、氣孔、形狀及散熱條件等多種因素有關(guān)。 固體電介質(zhì)的擊穿有電擊穿、熱擊穿、電化學(xué)擊穿、放電擊穿等形式。絕緣結(jié)構(gòu)發(fā)生擊穿，往往是電、熱、放電、電化學(xué)等多種形式同時(shí)存在，很難截然分開(kāi)。一般來(lái)說(shuō)，在采用tanδ值大、耐熱性差的電介質(zhì)的低壓電氣設(shè)備，在工作溫度高、散熱條件差時(shí)，熱擊穿較為多見(jiàn)。而在高壓電氣設(shè)備中，放電擊穿的概率就大些。脈沖電壓下的擊穿一般屬于電擊穿。當(dāng)電壓作用時(shí)間達(dá)數(shù)十小時(shí)乃至數(shù)年時(shí)，大多數(shù)屬于電化學(xué)擊穿。

請(qǐng)教 如何解釋玻璃被電擊穿的機(jī)理

3，物理學(xué)研究生

我是今年剛剛考入湖南大學(xué)物理學(xué)專業(yè)的研究生，我是調(diào)劑過(guò)去的，剛剛跟導(dǎo)師了解的情況是微電子比較好，其實(shí)只要知識(shí)學(xué)的扎實(shí)，哪個(gè)方向都是可以的。其實(shí)現(xiàn)在的理科都偏向于工科的方向了，為的就是實(shí)際應(yīng)用。希望我的回答對(duì)你有所幫助
1、物理學(xué)類的研究生有工科方向嗎？ 工程物理、熱物理、力學(xué) 2、固體物理與微電子專業(yè)可能會(huì)考數(shù)電模電，半導(dǎo)體物理這些課，這個(gè)具體你要問(wèn)你想報(bào)考的學(xué)校； 《半導(dǎo)體物理學(xué)》(科目代碼450)考試大綱 1． 考研建議參考書(shū)目 劉恩科等著《半導(dǎo)體物理學(xué)》，國(guó)防工業(yè)出版社; 或西安交通大學(xué)出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2． 基本要求 （1） 掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；本征半導(dǎo)體中的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和空穴；半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量；硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)和ⅲ－ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。 （2） 掌握半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)；重點(diǎn)掌握硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)和ⅲ－ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)。 （3） 掌握半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布理論以及簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的基礎(chǔ)理論；并掌握本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度和一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。 （4） 掌握半導(dǎo)體的導(dǎo)電性理論；載流子的散射；遷移率、電阻率及其雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；強(qiáng)電場(chǎng)下的熱載流子效應(yīng)和耿氏效應(yīng)。 （5） 掌握非平衡載流子的注入、復(fù)合、壽命；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；復(fù)合理論。并掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；漂移運(yùn)動(dòng)和愛(ài)因斯坦關(guān)系式及連續(xù)性方程。 （6） 掌握p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容和p-n結(jié)擊穿與隧道效應(yīng)的基礎(chǔ)知識(shí)。 （7） 掌握金屬與半導(dǎo)體的接觸及其能帶圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論基礎(chǔ)知識(shí)。 （8） 掌握半導(dǎo)體表面和表面電場(chǎng)效應(yīng)；mis結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，硅－二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)。 （9） 掌握異質(zhì)結(jié)及其能帶圖，異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)基礎(chǔ)知識(shí)。

物理學(xué)研究生

4，物理學(xué)研究生怎么樣

物理學(xué)考研研究方向很多，舉例：理論物理 主要研究方向 1、高溫超導(dǎo)體機(jī)理、BEC理論及自旋電子學(xué)相關(guān)理論研究。2、凝聚態(tài)理論；3、原子分子物理、量子光學(xué)和量子信息理論；4、統(tǒng)計(jì)物理和數(shù)學(xué)物理。5、凝聚態(tài)物理理論、計(jì)算材料、納米物理理論6、自旋電子學(xué)，Kondo效應(yīng)。7、凝聚態(tài)理論、第一原理計(jì)算、材料物性的大規(guī)模量子模擬。8、玻色-愛(ài)因斯坦凝聚, 分子磁體, 表面物理，量子混沌。 物理學(xué)考研還是不錯(cuò)的，在實(shí)際的生活應(yīng)用中很廣泛，接觸面也廣。希望幫到你
1、物理學(xué)類的研究生有工科方向嗎？ 工程物理、熱物理、力學(xué) 2、固體物理與微電子專業(yè)可能會(huì)考數(shù)電模電，半導(dǎo)體物理這些課，這個(gè)具體你要問(wèn)你想報(bào)考的學(xué)校； 《半導(dǎo)體物理學(xué)》(科目代碼450)考試大綱 1． 考研建議參考書(shū)目 劉恩科等著《半導(dǎo)體物理學(xué)》，國(guó)防工業(yè)出版社; 或西安交通大學(xué)出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2． 基本要求 （1） 掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；本征半導(dǎo)體中的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和空穴；半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量；硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)和ⅲ－ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。 （2） 掌握半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)；重點(diǎn)掌握硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)和ⅲ－ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)。 （3） 掌握半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布理論以及簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的基礎(chǔ)理論；并掌握本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度和一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。 （4） 掌握半導(dǎo)體的導(dǎo)電性理論；載流子的散射；遷移率、電阻率及其雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；強(qiáng)電場(chǎng)下的熱載流子效應(yīng)和耿氏效應(yīng)。 （5） 掌握非平衡載流子的注入、復(fù)合、壽命；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；復(fù)合理論。并掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；漂移運(yùn)動(dòng)和愛(ài)因斯坦關(guān)系式及連續(xù)性方程。 （6） 掌握p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容和p-n結(jié)擊穿與隧道效應(yīng)的基礎(chǔ)知識(shí)。 （7） 掌握金屬與半導(dǎo)體的接觸及其能帶圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論基礎(chǔ)知識(shí)。 （8） 掌握半導(dǎo)體表面和表面電場(chǎng)效應(yīng)；mis結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，硅－二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)。 （9） 掌握異質(zhì)結(jié)及其能帶圖，異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)基礎(chǔ)知識(shí)。

5，物理學(xué)研究生有那些方向

物理學(xué)太博大了。物理學(xué)的研究生可以大致分成以下幾個(gè)大類：力學(xué)（例如工程力學(xué)等）光學(xué)（光學(xué)材料與器件、物理光學(xué)、激光器件等）電磁學(xué)（電子學(xué)、無(wú)線電電子學(xué)、電磁場(chǎng)與微波技術(shù)等）材料學(xué)（有偏性能研究和生產(chǎn)制造等不同的方向）凝聚態(tài)物理學(xué)表面物理等離子體物理熱學(xué)（熱能工程、傳熱學(xué)、統(tǒng)計(jì)力學(xué)等）機(jī)械學(xué)（流體傳動(dòng)與控制（有的學(xué)校還細(xì)分為氣體和液體兩類））宏觀物理（天體物理、相對(duì)論）地球物理聲學(xué)（聲音處理（偏電子）、聲學(xué)工程、還有偏藝術(shù)方向的錄音技術(shù)或錄音藝術(shù)專業(yè)）物理學(xué)史物理學(xué)的大部分專業(yè)，都與應(yīng)用密切相關(guān)。
1、物理學(xué)類的研究生有工科方向嗎？ 工程物理、熱物理、力學(xué) 2、固體物理與微電子專業(yè)可能會(huì)考數(shù)電模電，半導(dǎo)體物理這些課，這個(gè)具體你要問(wèn)你想報(bào)考的學(xué)校； 《半導(dǎo)體物理學(xué)》(科目代碼450)考試大綱 1． 考研建議參考書(shū)目 劉恩科等著《半導(dǎo)體物理學(xué)》，國(guó)防工業(yè)出版社; 或西安交通大學(xué)出版社 isbn 7-5605-1010-8/tn.54。 2． 基本要求 （1） 掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；本征半導(dǎo)體中的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和空穴；半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量；硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)和ⅲ－ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。 （2） 掌握半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)；重點(diǎn)掌握硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)和ⅲ－ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)。 （3） 掌握半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布理論以及簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的基礎(chǔ)理論；并掌握本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度和一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布。 （4） 掌握半導(dǎo)體的導(dǎo)電性理論；載流子的散射；遷移率、電阻率及其雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；強(qiáng)電場(chǎng)下的熱載流子效應(yīng)和耿氏效應(yīng)。 （5） 掌握非平衡載流子的注入、復(fù)合、壽命；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)；復(fù)合理論。并掌握載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；漂移運(yùn)動(dòng)和愛(ài)因斯坦關(guān)系式及連續(xù)性方程。 （6） 掌握p-n結(jié)及其能帶圖，p-n結(jié)電流電壓特性，p-n結(jié)電容和p-n結(jié)擊穿與隧道效應(yīng)的基礎(chǔ)知識(shí)。 （7） 掌握金屬與半導(dǎo)體的接觸及其能帶圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論基礎(chǔ)知識(shí)。 （8） 掌握半導(dǎo)體表面和表面電場(chǎng)效應(yīng)；mis結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性，硅－二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)。 （9） 掌握異質(zhì)結(jié)及其能帶圖，異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)基礎(chǔ)知識(shí)。

6，什么是光致發(fā)光

用光激發(fā)發(fā)光體引起的發(fā)光現(xiàn)象。它大致經(jīng)過(guò)吸收、能量傳遞及光發(fā)射三個(gè)主要階段。光的吸收及發(fā)射都發(fā)生于能級(jí)之間的躍遷，都經(jīng)過(guò)激發(fā)態(tài)。而能量傳遞則是由于激發(fā)態(tài)的運(yùn)動(dòng)?！　〖ぐl(fā)態(tài)的分布按能量的高低可以分為三個(gè)區(qū)域。低于禁帶寬度的激發(fā)態(tài)主要是分立中心的激發(fā)態(tài)。關(guān)于這些激發(fā)態(tài)能譜項(xiàng)及其性質(zhì)的研究，涉及到雜質(zhì)中心與點(diǎn)陣的相互作用，可利用晶體場(chǎng)理論進(jìn)行分析。隨著這一相互作用的加強(qiáng)，吸收及發(fā)射譜帶都由窄變寬，溫度效應(yīng)也由弱變強(qiáng)，特別是猝滅現(xiàn)象變強(qiáng)，使一部分激發(fā)能變?yōu)辄c(diǎn)陣振動(dòng)。在相互作用較強(qiáng)的情況下，激發(fā)態(tài)或基態(tài)都只能表示中心及點(diǎn)陣作為一個(gè)統(tǒng)一系統(tǒng)的狀態(tài)。通常用位形坐標(biāo)曲線表示。電子躍遷一般都在曲線的極小值附近發(fā)生。但是，近年關(guān)于過(guò)熱發(fā)光的研究，證明發(fā)光也可以從比較高的振動(dòng)能級(jí)起始，這在分時(shí)光譜中可得到直觀的圖像，反映出參與躍遷的聲子結(jié)構(gòu)?！　〗咏麕挾鹊募ぐl(fā)態(tài)是比較豐富的，包括自由激子、束縛激子及施主-受主對(duì)等。當(dāng)激發(fā)密度很高時(shí),還可出現(xiàn)激子分子，而在間接帶隙半導(dǎo)體內(nèi)甚至觀察到電子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成電磁激子(excitonic polariton)。束縛激子的發(fā)光是常見(jiàn)的現(xiàn)象，它在束縛能上的微小差異常被用來(lái)反映束縛中心的特征。在有機(jī)分子晶體中，最低的電子激發(fā)態(tài)是三重激子態(tài)，而單態(tài)激子的能量幾乎是三重態(tài)激子能量的兩倍。分子晶體中的分子由于近鄰?fù)惙肿拥拇嬖?會(huì)出現(xiàn)兩種效應(yīng)：“紅移”(約幾百cm)及“達(dá)維多夫劈裂”。這兩種效應(yīng)對(duì)單態(tài)的影響都大于對(duì)三重態(tài)的影響。　　能量更高的激發(fā)態(tài)是導(dǎo)帶中的電子，包括熱載流子所處的狀態(tài)。后者是在能量較高的光學(xué)激發(fā)下。載流子被激發(fā)到高出在導(dǎo)帶（或價(jià)帶）中熱平衡態(tài)的情況，通常可用電子（或空穴）溫度（不同于點(diǎn)陣溫度）描述它們的分布。實(shí)驗(yàn)證明，熱載流子不需要和點(diǎn)陣充分交換能量直至達(dá)到和點(diǎn)陣處于熱平衡的狀態(tài)即可復(fù)合發(fā)光，盡管它的復(fù)合截面較后者小。熱載流子也可在導(dǎo)帶（或價(jià)帶）內(nèi)部向低能躍遷。這類發(fā)光可以反映能帶結(jié)構(gòu)及有關(guān)性質(zhì)。　　激發(fā)態(tài)的運(yùn)動(dòng)是發(fā)光中的重要過(guò)程，能量傳遞是它的一個(gè)重要途徑。分子之間的能量傳遞幾率很大，處于激發(fā)態(tài)的分子被看作是激子態(tài)。無(wú)機(jī)材料中的能量傳遞也非常重要，在技術(shù)上已得到應(yīng)用。無(wú)輻射躍遷是激發(fā)態(tài)弛豫中的另一重要途徑。對(duì)發(fā)光效率有決定性的影響?！　」庵掳l(fā)光最普遍的應(yīng)用為日光燈。它是燈管內(nèi)氣體放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)管壁上的發(fā)光粉而發(fā)出可見(jiàn)光的。其效率約為白熾燈的5倍。此外,“黑光燈”及其他單色燈的光致發(fā)光廣泛地用于印刷、復(fù)制、醫(yī)療、植物生長(zhǎng)、誘蟲(chóng)及裝飾等技術(shù)中。上轉(zhuǎn)換材料則可將紅外光轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光，可用于探測(cè)紅外線，例如紅外激光的光場(chǎng)等?！　」庵掳l(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息，是一種非破壞性的、靈敏度高的分析方法。激光的應(yīng)用更使這類分析方法深入到微區(qū)、選擇激發(fā)及瞬態(tài)過(guò)程的領(lǐng)域，使它又進(jìn)一步成為重要的研究手段，應(yīng)用到物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等領(lǐng)域，逐步出現(xiàn)新的邊緣學(xué)科。
用光激發(fā)發(fā)光體引起的發(fā)光現(xiàn)象。它大致經(jīng)過(guò)吸收、能量傳遞及光發(fā)射三個(gè)主要階段。光的吸收及發(fā)射都發(fā)生于能級(jí)之間的躍遷，都經(jīng)過(guò)激發(fā)態(tài)。而能量傳遞則是由于激發(fā)態(tài)的運(yùn)動(dòng)。激發(fā)態(tài)的分布按能量的高低可以分為三個(gè)區(qū)域。低于禁帶寬度的激發(fā)態(tài)主要是分立中心的激發(fā)態(tài)。關(guān)于這些激發(fā)態(tài)能譜項(xiàng)及其性質(zhì)的研究，涉及到雜質(zhì)中心與點(diǎn)陣的相互作用，可利用晶體場(chǎng)理論進(jìn)行分析。隨著這一相互作用的加強(qiáng)，吸收及發(fā)射譜帶都由窄變寬，溫度效應(yīng)也由弱變強(qiáng)，特別是猝滅現(xiàn)象變強(qiáng)，使一部分激發(fā)能變?yōu)辄c(diǎn)陣振動(dòng)。在相互作用較強(qiáng)的情況下，激發(fā)態(tài)或基態(tài)都只能表示中心及點(diǎn)陣作為一個(gè)統(tǒng)一系統(tǒng)的狀態(tài)。通常用位形坐標(biāo)曲線表示。電子躍遷一般都在曲線的極小值附近發(fā)生。但是，近年關(guān)于過(guò)熱發(fā)光的研究，證明發(fā)光也可以從比較高的振動(dòng)能級(jí)起始，這在分時(shí)光譜中可得到直觀的圖像，反映出參與躍遷的聲子結(jié)構(gòu)。接近禁帶寬度的激發(fā)態(tài)是比較豐富的，包括自由激子、束縛激子及施主-受主對(duì)等。當(dāng)激發(fā)密度很高時(shí),還可出現(xiàn)激子分子，而在間接帶隙半導(dǎo)體內(nèi)甚至觀察到電子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成電磁激子(excitonic polariton)。束縛激子的發(fā)光是常見(jiàn)的現(xiàn)象，它在束縛能上的微小差異常被用來(lái)反映束縛中心的特征。在有機(jī)分子晶體中，最低的電子激發(fā)態(tài)是三重激子態(tài)，而單態(tài)激子的能量幾乎是三重態(tài)激子能量的兩倍。分子晶體中的分子由于近鄰?fù)惙肿拥拇嬖?會(huì)出現(xiàn)兩種效應(yīng)：“紅移”(約幾百cm)及“達(dá)維多夫劈裂”。這兩種效應(yīng)對(duì)單態(tài)的影響都大于對(duì)三重態(tài)的影響。能量更高的激發(fā)態(tài)是導(dǎo)帶中的電子，包括熱載流子所處的狀態(tài)。后者是在能量較高的光學(xué)激發(fā)下。載流子被激發(fā)到高出在導(dǎo)帶（或價(jià)帶）中熱平衡態(tài)的情況，通?？捎秒娮樱ɑ蚩昭ǎ囟龋ú煌邳c(diǎn)陣溫度）描述它們的分布。實(shí)驗(yàn)證明，熱載流子不需要和點(diǎn)陣充分交換能量直至達(dá)到和點(diǎn)陣處于熱平衡的狀態(tài)即可復(fù)合發(fā)光，盡管它的復(fù)合截面較后者小。熱載流子也可在導(dǎo)帶（或價(jià)帶）內(nèi)部向低能躍遷。這類發(fā)光可以反映能帶結(jié)構(gòu)及有關(guān)性質(zhì)。激發(fā)態(tài)的運(yùn)動(dòng)是發(fā)光中的重要過(guò)程，能量傳遞是它的一個(gè)重要途徑。分子之間的能量傳遞幾率很大，處于激發(fā)態(tài)的分子被看作是激子態(tài)。無(wú)機(jī)材料中的能量傳遞也非常重要，在技術(shù)上已得到應(yīng)用。無(wú)輻射躍遷是激發(fā)態(tài)弛豫中的另一重要途徑。對(duì)發(fā)光效率有決定性的影響。光致發(fā)光最普遍的應(yīng)用為日光燈。它是燈管內(nèi)氣體放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)管壁上的發(fā)光粉而發(fā)出可見(jiàn)光的。其效率約為白熾燈的5倍。此外,“黑光燈”及其他單色燈的光致發(fā)光廣泛地用于印刷、復(fù)制、醫(yī)療、植物生長(zhǎng)、誘蟲(chóng)及裝飾等技術(shù)中。上轉(zhuǎn)換材料則可將紅外光轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光，可用于探測(cè)紅外線，例如紅外激光的光場(chǎng)等。
文章TAG：熱載流子效應(yīng)什么是載流子熱效應(yīng)

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