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電子和空穴，自由電子與空穴在三極管內(nèi)會不會結(jié)合

來源：整理時(shí)間：2023-08-27 15:18:11 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，自由電子與空穴在三極管內(nèi)會不會結(jié)合
2，空穴導(dǎo)電與電子導(dǎo)電有什么不同
3，半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動的區(qū)別pn結(jié)電流方程中理想因子怎么用實(shí)
4，什么叫電子空穴氣
5，自由電子與空穴的復(fù)合中復(fù)合是什么意思
6，電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電有什么區(qū)別

1，自由電子與空穴在三極管內(nèi)會不會結(jié)合

當(dāng)然會結(jié)合了只要有自由電子和空穴就會發(fā)生復(fù)合。

自由電子與空穴在三極管內(nèi)會不會結(jié)合

2，空穴導(dǎo)電與電子導(dǎo)電有什么不同

一個(gè)用小&&穴導(dǎo)電一個(gè)在里面導(dǎo)

空穴導(dǎo)電與電子導(dǎo)電有什么不同

3，半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動的區(qū)別pn結(jié)電流方程中理想因子怎么用實(shí)

電子和空穴的運(yùn)動其實(shí)都是電子在運(yùn)動，空穴的運(yùn)動其實(shí)就是和電子的相對運(yùn)動和電流類似，就空穴來說，我們說的空穴的運(yùn)動就是電子反方向運(yùn)動的結(jié)果區(qū)別就在于，誰是多出來的，多出來的是電子么，就是電子流了，多出來的是空穴么，雖然是電子在運(yùn)動，但我們稱之為空穴流

你好！當(dāng)m=1時(shí)代表擴(kuò)散電流，m=2時(shí)代表復(fù)合電流，m的值怎么用實(shí)驗(yàn)測量出來？描述m=(q/kT)*(dV/d(lnI))， q/kT是常數(shù)，dV/d(lnI)可以通過PN結(jié)的IV如有疑問，請追問。

半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動的區(qū)別pn結(jié)電流方程中理想因子怎么用實(shí)

4，什么叫電子空穴氣

?說的是二維電子氣么？這是在異質(zhì)結(jié)才會出現(xiàn)的現(xiàn)象，由于形成PN的兩種材料不同，功函數(shù)不會相同，在交界面出的能帶不會像同種材料形成的PN結(jié)能帶那樣平滑,而是會出現(xiàn)尖峰，和能谷。在能谷中的電子（活價(jià)帶中空穴）便被限制在了這個(gè)能谷中，并且運(yùn)動方向只能是二維的（圖中只能上下，前后兩個(gè)方向，不能左右），因此叫二維電子氣。在該能谷中，根據(jù)深度的不同會聚集不同數(shù)量的電子，一般都會很大的。關(guān)于應(yīng)用舉個(gè)例子吧：HEMT晶體管就是用二維電子氣才實(shí)現(xiàn)的，高速度。因?yàn)槎S電子氣是形成在交界面附近（幾個(gè)納米吧）某一側(cè)的，如果該側(cè)是不參雜的材料，那樣就能避免了半導(dǎo)體中最討厭的雜質(zhì)散射了。電子多，散射少，當(dāng)然速度快咯！

5，自由電子與空穴的復(fù)合中復(fù)合是什么意思

指產(chǎn)生空穴和電子的PN結(jié)物質(zhì)回到原來狀態(tài)。（電子將空穴填上，電荷中和）　　PN結(jié)是由一個(gè)N型摻雜區(qū)和一個(gè)P型摻雜區(qū)緊密接觸所構(gòu)成的，冶金結(jié)界面?！　≡赑型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，在它們的交界處出現(xiàn)電子和空穴的濃度差。由于自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電（自由電子）的雜質(zhì)離子，N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電（空穴）的雜質(zhì)離子。在正負(fù)電荷之間的相互作用下，在空間電荷區(qū)形成了內(nèi)電場，其方向是從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)，這個(gè)電場的方向與載流子擴(kuò)散運(yùn)動的方向相反，阻止擴(kuò)散。當(dāng)移動和達(dá)到動態(tài)平衡時(shí)。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè)，留下離子薄層，這個(gè)離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)電場方向由N區(qū)指向P區(qū)。　　在給PN結(jié)加載正向電壓形成回路后，回路中的電子并不是直接流經(jīng)PN結(jié)形成回路。而是P區(qū)電子經(jīng)過外部回路到達(dá)N區(qū)將N區(qū)的電子將空穴填上（復(fù)合）。而PN結(jié)由于電子和空穴的減少平衡被打破，內(nèi)部載流子的擴(kuò)散運(yùn)動自行增強(qiáng)，產(chǎn)生新的自由電子和空穴維持平衡。

1）：你所說的“能級”是“能帶理論”。能帶理論中只有兩個(gè)能級可以導(dǎo)電，一個(gè)是導(dǎo)帶，一個(gè)是價(jià)帶。價(jià)帶和導(dǎo)帶中間叫做禁帶，禁帶里是不允許有電子或者空穴存在的。禁帶的禁也就是這個(gè)意思。2）電子運(yùn)動都是在導(dǎo)帶運(yùn)動的，空穴運(yùn)動都是在價(jià)帶。如果電子跑到價(jià)帶，就會和空穴復(fù)合。這時(shí)的能量變化是通過光發(fā)射出去，這就是發(fā)光二極管的原理。3）不是說金屬的電子連續(xù)，而是說金屬的導(dǎo)帶和價(jià)帶重合在一起，你也可以說只有導(dǎo)帶沒有價(jià)帶，所以金屬中只有電子運(yùn)動，沒有空穴運(yùn)動。4）如果你是指金屬和半導(dǎo)體接觸的話，金屬中的電子和半導(dǎo)體中的空穴是會復(fù)合的，能量差以發(fā)光的形式發(fā)出。但是前提條件是你如何把金屬的電子搞到半導(dǎo)體的導(dǎo)帶去呢？對于金屬和gan接觸是可能的，但是對于金屬和硅接觸是可能性不大的。

6，電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電有什么區(qū)別

塊不含有雜質(zhì)的、品格完整的半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體。因?yàn)樗犯裢暾?，如果有一個(gè)電子從共價(jià)鍵中釋放出來，必定留下一個(gè)空眾。所以本征半導(dǎo)體中電子和空眾總是成對地出現(xiàn)，它們的數(shù)日相等，稱為電子一空穴對。在常溫下，由于熱運(yùn)動的結(jié)果，在本征半導(dǎo)體中會產(chǎn)生一定數(shù)量的電子一空穴對，形成電子流和空穴流，總的電流是兩者之和。如沒有外界電場作用，電子和空穴的這種運(yùn)動是雜亂無章的，電子流和空穴流方向也是不定的，結(jié)果互相抵消，沒有凈電流出現(xiàn)。但在電場作用下，這種半導(dǎo)體兩端就出現(xiàn)電壓，電子向正端方向運(yùn)動，空穴向負(fù)端方向運(yùn)動，形成了定向電流，半導(dǎo)體內(nèi)就產(chǎn)生電流了。本征半導(dǎo)體因電場作用而產(chǎn)生的導(dǎo)電現(xiàn)象就叫本征導(dǎo)電。通常，我們很少見到本征半導(dǎo)體，大多遇到的都是P型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體前面說過，半導(dǎo)體中加進(jìn)了雜質(zhì)，電阻率就大大降低。這是因?yàn)榧舆M(jìn)雜質(zhì)后，空穴和電子的數(shù)目會大大增加。例如，在鍺晶休中摻入很少一點(diǎn)三價(jià)元素銦，由于銦的價(jià)電子只有三個(gè)，滲入鍺晶體后，它的三個(gè)價(jià)電子分別和相鄰的三個(gè)鍺原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵，而對相鄰的第四個(gè)鍺原子，它沒有電于拿出來和這個(gè)鍺原子“共有”了，這就留下了一個(gè)空穴(見圖1一3(c))。因?yàn)閾饺肓松倭康碾s質(zhì)銦，就會出現(xiàn)很多空穴；這是因?yàn)榧词故巧倭康模锩婧械脑訑?shù)目卻不少。雜質(zhì)半導(dǎo)體中空穴和電子數(shù)目不相等，在電場作用下，空穴導(dǎo)電是主要的，所以叫空穴型半導(dǎo)體或者說是P型半導(dǎo)體。換句話說，P型或空穴型半導(dǎo)體內(nèi)是有剩余空穴的，摻入的雜質(zhì)提供了剩余空穴。在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)，所以稱空穴為多數(shù)載流子；電子數(shù)目少，就叫少數(shù)裁流子。滲入的雜質(zhì)能產(chǎn)生空穴接受電子，我們叫這種雜質(zhì)為受主雜質(zhì)。如果把五價(jià)元素砷摻入鍺晶體中，砷原子中有5個(gè)價(jià)電于，它和四個(gè)鍺原子的價(jià)電子組成共價(jià)鍵后，留下一個(gè)剩余電子，這個(gè)剩余電子就在晶體中到處游蕩，在外電場作用下形成定向電子流。摻入少量的砷雜質(zhì)就會產(chǎn)生大量的剩余電子，所以稱這種半導(dǎo)體為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。在這種半導(dǎo)體中有剩余電子，這時(shí)電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子。因?yàn)樯槭鞘┙o剩余電子的雜質(zhì)，所以叫做施主雜質(zhì)。