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離子注入，離子注入的輻射對(duì)人體有沒(méi)有傷害

來(lái)源：整理時(shí)間：2024-11-29 15:35:47 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

1，離子注入的輻射對(duì)人體有沒(méi)有傷害

有幅射,但很小,嚴(yán)格操作鉛防護(hù)板隔離,設(shè)備嚴(yán)格接地,基本無(wú)問(wèn)題,因?yàn)閷?shí)際上并末發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體工廠離子注入工人,有明顯身體傷害區(qū)別....旭.

對(duì)皮膚，發(fā)質(zhì)，骨骼均有影響！

離子注入的輻射對(duì)人體有沒(méi)有傷害

2，離子注入

離子注入：將從離子源中引出的低能離子束加速成具有幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)電子伏的高能離子束后注入到固體材料表面，形成特殊物理、化學(xué)或力學(xué)性能表面改性層的過(guò)程，它具有原子冶金特征。

離子注入技術(shù)：把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方法。簡(jiǎn)單地說(shuō)，離子注入的過(guò)程，就是在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過(guò)加速的，要摻雜的原子的離子照射（注入）固體材料，從而在所選擇的（即被注入的）區(qū)域形成一個(gè)具有特殊性質(zhì)的表面層（注入層）。

離子注入

3，離子注入什么元素可以形成高阻區(qū)

離子注入什么元素可以形成高阻區(qū)長(zhǎng)期生活在自然環(huán)境中的人類(lèi)，對(duì)于自然物質(zhì)有較強(qiáng)的適應(yīng)能力。有人分析了人體中60多種常見(jiàn)元素的分布規(guī)律，發(fā)現(xiàn)其中絕大多數(shù)元素在人體血液中的百分含量與它們?cè)诘貧ぶ械陌俜趾繕O為相似。但是，人類(lèi)對(duì)人工合成的化學(xué)物質(zhì)，其耐受力則要小得多。所以區(qū)別污染物的自然或人工屬性，有助于估計(jì)它們對(duì)人類(lèi)的危害程度。鉛、鎘、汞、砷等重金屬，是由于工業(yè)活動(dòng)的發(fā)展，引起在人類(lèi)周?chē)h(huán)境中的富集，通過(guò)大氣、水、食品等進(jìn)入人體，在人體某些器官內(nèi)積累，造成慢性中毒，危害人體健康。

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離子注入什么元素可以形成高阻區(qū)

4，離子注入的應(yīng)用

在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個(gè)重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說(shuō)是一種必不可少的手段。離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速（對(duì)Si，電壓≥105 V），獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導(dǎo)體中；同時(shí)也會(huì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來(lái)消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以?xún)?nèi)的一定深度處。離子注入的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝（可防止原來(lái)雜質(zhì)的再擴(kuò)散等），同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)（以減小電容效應(yīng)）。

5，什么是離子注入什么是離子注入機(jī)

當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子，決定要注入離子的種類(lèi)和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子，當(dāng)外來(lái)電子的能量高于原子的電離電位時(shí)，通過(guò)碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外，還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子，再經(jīng)過(guò)加速器獲得較高能量，由四級(jí)透鏡聚焦后進(jìn)入靶室，進(jìn)行離子注入。

6，離子注入技術(shù)的基本信息

離子注入首先是作為一種半導(dǎo)體材料的摻雜技術(shù)發(fā)展起來(lái)的，它所取得的成功是其優(yōu)越性的最好例證。低溫?fù)诫s、精確的劑量控制、掩蔽容易、均勻性好這些優(yōu)點(diǎn)，使得經(jīng)離子注入摻雜所制成的幾十種半導(dǎo)體器件和集成電路具有速度快、功耗低、穩(wěn)定性好、成品率高等特點(diǎn)。對(duì)于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路來(lái)說(shuō)，離子注入更是一種理想的摻雜工藝。如前所述，離子注入層是極薄的，同時(shí)，離子束的直進(jìn)性保證注入的離子幾乎是垂直地向內(nèi)摻雜，橫向擴(kuò)散極其微小，這樣就有可能使電路的線(xiàn)條更加纖細(xì)，線(xiàn)條間距進(jìn)一步縮短，從而大大提高集成度。此外,離子注入技術(shù)的高精度和高均勻性,可以大幅度提高集成電路的成品率。隨著工藝上和理論上的日益完善，離子注入已經(jīng)成為半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)的關(guān)鍵工藝之一。在制造半導(dǎo)體器件和集成電路的生產(chǎn)線(xiàn)上，已經(jīng)廣泛地配備了離子注入機(jī)。70年代以后，離子注入在金屬表面改性方面的應(yīng)用迅速發(fā)展。在耐磨性的研究方面已取得顯著成績(jī)，并得到初步的應(yīng)用，在耐腐蝕性(包括高溫氧化和水腐蝕)的研究方面也已取得重要的進(jìn)展。注入金屬表面的摻雜原子本身和在注入過(guò)程中產(chǎn)生的點(diǎn)陣缺陷，都對(duì)位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)起“釘扎”作用，從而使金屬表面得到強(qiáng)化，提高了表面硬度。其次，適當(dāng)選擇摻雜元素，可以使注入層本身起著一種固體潤(rùn)滑劑的作用,使摩擦系數(shù)顯著降低。例如用錫離子注入En352軸承鋼，可以使摩擦系數(shù)減小一半。尤其重要的是，盡管注入層極薄，但是有效的耐磨損深度卻要比注入層深度大一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。實(shí)驗(yàn)結(jié)果業(yè)已證明，摻雜原子在磨損過(guò)程中不斷向基體內(nèi)部推移,相當(dāng)于注入層逐步內(nèi)移,因此可以相當(dāng)持久地保持注入層的耐磨性。離子注入后形成的表面合金，其耐腐蝕性相當(dāng)于相應(yīng)合金的性能，更重要的是，離子注入還可以獲得特殊的耐蝕性非晶態(tài)或亞穩(wěn)態(tài)表面合金，而且離子注入和離子束分析技術(shù)相結(jié)合，作為一種重要的研究手段，有助于表面合金化及其機(jī)制的研究。離子注入作為金屬材料改性的技術(shù)，還有一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)，即注入雜質(zhì)的深度分布接近于高斯分布，注入層和基體之間沒(méi)有明顯的界限，結(jié)合是極其緊密的。又因?yàn)樽⑷雽訕O薄，可以使被處理的樣品或工件的基體的物理化學(xué)性能保持不變,外形尺寸不發(fā)生宏觀的變化,適宜于作為一種最后的表面處理工藝。離子注入由于化學(xué)上純凈、工藝上精確可控，因此作為一種獨(dú)特的研究手段，還被廣泛應(yīng)用于改變光學(xué)材料的折射率、提高超導(dǎo)材料的臨界溫度，表面催化、改變磁性材料的磁化強(qiáng)度和提高磁泡的運(yùn)動(dòng)速度和模擬中子輻照損傷等等領(lǐng)域。