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半導(dǎo)體制造，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

來源：整理 時(shí)間：2023-08-21 23:42:24 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

切片——磨片——拋光——清洗——外延——氧化——光刻——擴(kuò)散——....合金——測試——壓焊——封裝——成品測試

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

2，制作半導(dǎo)體芯片 都有什么工序

半導(dǎo)體芯片的前工序主要是氧化、擴(kuò)散和光刻；如果需要，還有外延和離子注入。
半導(dǎo)體芯片就是在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件

制作半導(dǎo)體芯片 都有什么工序

3，半導(dǎo)體制造技術(shù)的介紹

《半導(dǎo)體制造技術(shù)》是2009年電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是(美國)MichaelQuirk?！栋雽?dǎo)體制造技術(shù)》詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評價(jià)都很高。全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖的工藝模型概況，用流程圖將硅片制造的主要領(lǐng)域連接起來；具體講解每一個(gè)主要工藝；集成電路裝配和封裝的后部工藝概況。此外，各章為讀者提供了關(guān)于質(zhì)量測量和故障排除的問題，這些都是會在硅片制造中遇到的實(shí)際問題。

半導(dǎo)體制造技術(shù)的介紹

4，半導(dǎo)體工藝是什么

半導(dǎo)體工藝就是在IC各種器件、芯片等制造過程中一系列的單項(xiàng)工藝組成的，如光刻、氧化、擴(kuò)散、離子注入、刻蝕、薄膜沉淀和外延生長等單項(xiàng)工藝。(自己整理的) 近幾年全球集成電路市場發(fā)展緩慢，中國集成電路市場受到金融危機(jī)的影響,行業(yè)不景氣,發(fā)展逐年減緩。 長期來看，如果2010年全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展穩(wěn)定，在連續(xù)經(jīng)歷了多年的低迷發(fā)展之后，半導(dǎo)體行業(yè)有望在2010年出現(xiàn)反彈。隨著中國集成電路市場規(guī)模的不斷擴(kuò)大，中國市場的增速也會逐漸平穩(wěn)，而且和全球半導(dǎo)體市場的發(fā)展速度會愈發(fā)接近，最終二者市場的發(fā)展速度將基本保持一致。
電路

5，半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的主要指標(biāo)有哪些

半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的主要指標(biāo)只有一個(gè):良品率，其他:設(shè)備精度，人員的素養(yǎng)，程序的規(guī)范都以良品率為核心;
半導(dǎo)體存儲器的兩個(gè)技術(shù)指標(biāo)是：存儲容量和存取時(shí)間。 存儲容量：指該存儲器的大小，體現(xiàn)所能存儲數(shù)據(jù)的多少。 存取時(shí)間：對該存儲器讀寫的時(shí)間，時(shí)間越短，性能越好。在cpu執(zhí)行指令時(shí)，需要多次對存儲器讀寫，讀寫時(shí)間短可以提高cpu的性能。 半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory) 是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器。 按其制造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和mos晶體管存儲器。 按其存儲原理可分為：靜態(tài)和動態(tài)兩種。 其優(yōu)點(diǎn)是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。 主要用作高速緩沖存儲器、主存儲器、只讀存儲器、堆棧存儲器等。

6，半導(dǎo)體制造和半導(dǎo)體封裝的區(qū)別是什么

半導(dǎo)體制造簡介：半導(dǎo)體的制造是一個(gè)復(fù)雜且耗時(shí)的過程。 首先要利用設(shè)計(jì)自動化軟件開始電路設(shè)計(jì)，然后將集成電路設(shè)計(jì)的版圖轉(zhuǎn)印到石英玻璃上的鉻膜層形成光刻板或倍縮光刻板；另一方面，由石英砂提煉出的初級硅經(jīng)過純化后拉成單晶硅棒，然后切片做成晶圓。晶圓經(jīng)過邊緣化和表面處理，再與光刻板/倍縮光刻板一起送到半導(dǎo)體制造廠制造集成電路芯片。半導(dǎo)體封裝簡介:半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片（Die），然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤（Bond Pad）連接到基板的相應(yīng)引腳（Lead）,并構(gòu)成所要求的電路；然后再對獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及打印等工藝。封裝完成后進(jìn)行成品測試，通常經(jīng)過入檢（Incoming）、測試（Test）和包裝（Packing）等工序，最后入庫出貨。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測試 包裝出貨。
半導(dǎo)體發(fā)生簡并對應(yīng)一個(gè)溫度范圍：用圖解的方法可以求出半導(dǎo)體發(fā)生簡并時(shí)，對應(yīng)一個(gè)溫度范圍。這個(gè)溫度范圍的大小與發(fā)生簡并時(shí)的雜質(zhì)濃度及雜質(zhì)電離能有關(guān)：電離能一定時(shí)，雜質(zhì)濃度越大，發(fā)生簡并的溫度范圍越大；發(fā)生簡并的雜質(zhì)濃度一定時(shí)，雜質(zhì)電離能越小，簡并溫度范圍越大。簡并半導(dǎo)體的載流子濃度：對于n型半導(dǎo)體，施主濃度很高，使費(fèi)米能級接近或進(jìn)入導(dǎo)帶時(shí)，導(dǎo)帶底附近底量子態(tài)基本上已被電子占據(jù)，導(dǎo)帶中底電子數(shù)目很多的條件不能成立，必須考慮泡利不相容原理的作用。這時(shí)，不能再用玻耳茲曼分布函數(shù)，必須用費(fèi)米分布函數(shù)來分析導(dǎo)帶中電子的分布問題。這種情況稱為載流子的簡并化。發(fā)生載流子簡并化的半導(dǎo)體稱為基本半導(dǎo)體，對于p型半導(dǎo)體，其費(fèi)米能級接近價(jià)帶頂或進(jìn)入價(jià)帶，也必須用費(fèi)米分布函數(shù)來分析價(jià)帶中空穴的分布問題。簡并時(shí)的雜質(zhì)濃度：對n型半導(dǎo)體，半導(dǎo)體發(fā)生簡并時(shí)，摻雜濃度接近或大于導(dǎo)帶底有效狀態(tài)密度；對于雜質(zhì)電離能小的雜質(zhì)，則雜質(zhì)濃度較小時(shí)就會發(fā)生簡并。對于p型半導(dǎo)體，發(fā)生簡并的受主濃度接近或大于價(jià)帶頂有效狀態(tài)密度，如果受主電離能較小，受主濃度較小時(shí)就會發(fā)生簡并。
文章TAG：半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

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