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1，巨磁阻效應(yīng)的具體解釋
2，什么是巨磁電阻它的特性是什么
3，什么是巨磁電阻效應(yīng)
4，巨磁電阻傳感器是如何實(shí)現(xiàn)的
5，巨磁阻的薄膜相變
6，巨磁電阻效應(yīng)是怎么一回事阿

1，巨磁阻效應(yīng)的具體解釋

巨磁阻效應(yīng)的具體解釋

2，什么是巨磁電阻它的特性是什么

巨磁電阻（GMR）效應(yīng)是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在顯著變化的現(xiàn)象，一般將其定義為gmr＝其中（h）為在磁場(chǎng)h作用下材料的電阻率（0）指無外磁場(chǎng)作用下材料的電阻率。根據(jù)這一效應(yīng)開發(fā)的小型大容量計(jì)算機(jī)硬盤已得到廣泛應(yīng)用。　　磁性金屬和合金一般都有磁電阻現(xiàn)象，所謂磁電阻是指在一定磁場(chǎng)下電阻改變的現(xiàn)象，人們把這種現(xiàn)象稱為磁電阻。所謂巨磁阻就是指在一定的磁場(chǎng)下電阻急劇減小，一般減小的幅度比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻數(shù)值約高10余倍。它具有功耗小，可靠性高，體積小，能工作于惡劣的工作條件等特點(diǎn)。

什么是巨磁電阻它的特性是什么

3，什么是巨磁電阻效應(yīng)

指很小的磁場(chǎng)變化可以引起該種電阻值的巨大變化的一種效應(yīng)

形容磁電阻效應(yīng)大小的具有顯著磁電阻效應(yīng)的磁性材料。強(qiáng)磁性材料在受到外加磁場(chǎng)作用時(shí)引起的電阻變化，稱為磁電阻效應(yīng)。不論磁場(chǎng)與電流方向平行還是垂直，都將產(chǎn)生磁電阻效應(yīng)。前者（平行）稱為縱磁場(chǎng)效應(yīng)，后者（垂直）稱為橫磁場(chǎng)效應(yīng)。一般強(qiáng)磁性材料的磁電阻率（磁場(chǎng)引起的電阻變化與未加磁場(chǎng)時(shí)電阻之比）在室溫下小于8％，在低溫下可增加到10％以上。已實(shí)用的磁電阻材料主要有鎳鐵系和鎳鈷系磁性合金。室溫下鎳鐵系坡莫合金的磁電阻率約1％～3％，若合金中加入銅、鉻或錳元素，可使電阻率增加；鎳鈷系合金的電阻率較高，可達(dá)6％。與利用其他磁效應(yīng)相比，利用磁電阻效應(yīng)制成的換能器和傳感器，其裝置簡(jiǎn)單，對(duì)速度和頻率不敏感。磁電阻材料已用于制造磁記錄磁頭、磁泡檢測(cè)器和磁膜存儲(chǔ)器的讀出器等。

做題時(shí)曾了解到，巨磁電阻效應(yīng)與磁場(chǎng)方向無關(guān)

什么是巨磁電阻效應(yīng)

4，巨磁電阻傳感器是如何實(shí)現(xiàn)的

GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻效應(yīng)）。是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當(dāng)鐵磁層的磁矩相互平行時(shí)，載流子與自旋有關(guān)的散射最小，材料有最小的電阻。當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時(shí)，與自旋有關(guān)的散射最強(qiáng)，材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料，中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場(chǎng)控制的，因而較小的磁場(chǎng)也可以得到較大電阻變化的材料。

巨磁電阻傳感器采用惠斯通電橋和磁屏蔽技術(shù)，傳感器基片上鍍了一層很厚的磁性材料，這層材料對(duì)其下方的巨磁電阻形成屏蔽，不讓任何外加磁場(chǎng)進(jìn)入屏蔽的電阻器?；菟沟请姌蛴杏芍幌嗤木薮烹娮杞M成，其中R1和R3在磁性材料上方，受外加磁場(chǎng)影響是電阻減少，而R2和R4在磁性材料下方，被屏蔽阻值不變。

通過改變磁場(chǎng)的大小及方向來實(shí)現(xiàn)的吧。

5，巨磁阻的薄膜相變

中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家(聯(lián)合)實(shí)驗(yàn)室詹倩、于榮、賀連龍、李斗星與新加坡大學(xué)學(xué)者合作，通過高分辨像和電子衍射的原位觀察和計(jì)算模擬相結(jié)合，在la－sr－mn－o巨磁阻薄膜精細(xì)結(jié)構(gòu)的研究中，發(fā)現(xiàn)了電子束輻照誘發(fā)的可逆性相變，并解釋了其轉(zhuǎn)變機(jī)制。近日出版的美國(guó)《物理評(píng)論快報(bào)》刊出了他們的研究結(jié)果。通常情況下，在lao襯底上外延生長(zhǎng)的巨磁阻lsmo薄膜為菱面體結(jié)構(gòu)。但經(jīng)會(huì)聚電子束輻照后，在垂直于界面方向出現(xiàn)反常的周期加倍襯度，相應(yīng)的電子衍射譜中也出現(xiàn)附加的衍射斑點(diǎn)，且晶格參數(shù)顯著增大，即發(fā)生了結(jié)構(gòu)相變，空間群由rc轉(zhuǎn)變?yōu)閕12/a1。而當(dāng)電子束移開后，轉(zhuǎn)變后的結(jié)構(gòu)又恢復(fù)到原來的菱面體結(jié)構(gòu)。分析認(rèn)為，這種可逆性結(jié)構(gòu)相變是襯底誘導(dǎo)失配應(yīng)力和電子束誘導(dǎo)熱應(yīng)力聯(lián)合作用的結(jié)果。由于lsmo的點(diǎn)陣常數(shù)大于lao，lao上生長(zhǎng)的外延lso薄膜中會(huì)形成壓應(yīng)力分布。在電子束輻照下，lsmo薄膜晶格膨脹，導(dǎo)致壓應(yīng)力增強(qiáng)。由于薄膜在平行于界面方向的應(yīng)變受到襯底的約束，它將沿垂直于界面方向膨脹，從而破壞電子束輻照前建立的jahn－teller效應(yīng)與彈性應(yīng)變之間的平衡，伴隨著mno6八面體的畸變和扭轉(zhuǎn)，發(fā)生結(jié)構(gòu)相變。相反，移走會(huì)聚電子束后，薄膜內(nèi)溫度和熱應(yīng)力逐漸降低，又導(dǎo)致菱面體結(jié)構(gòu)的恢復(fù)。該研究揭示了巨磁阻錳氧化物晶體結(jié)構(gòu)的應(yīng)力敏感特性，為深入地理解這種材料的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性及結(jié)構(gòu)與性能間關(guān)系提供了有價(jià)值的信息。

1、在弱磁場(chǎng)下，與半導(dǎo)體磁敏元件相比有較高的靈敏度； 2、具方向性，當(dāng)外加磁場(chǎng)平行于薄膜時(shí)，器件靈敏度最大，而垂直于薄膜平面時(shí)，靈敏度最小。此特性可用來檢測(cè)外加磁場(chǎng)大小和方向，如磁性編碼器。 3、飽和特性，磁阻元件阻值隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，當(dāng)外加磁場(chǎng)強(qiáng)度大于飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，其阻值不再增加并達(dá)到飽和，利用該特性檢測(cè)磁場(chǎng)方向的變化，如0ps導(dǎo)航系統(tǒng)、地磁場(chǎng)角度的變化等。 4、具較寬工作頻率特性和倍頻特性 5、寬工作溫度范圍、較低溫度系數(shù)（以上為佳順偉業(yè)薄膜磁阻傳感器的產(chǎn)品介紹）

6，巨磁電阻效應(yīng)是怎么一回事阿

所謂巨磁阻效應(yīng)，是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當(dāng)鐵磁層的磁矩相互平行時(shí)，載流子與自旋有關(guān)的散射最小，材料有最小的電阻。當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時(shí)，與自旋有關(guān)的散射最強(qiáng)，材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料，中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場(chǎng)控制的，因而較小的磁場(chǎng)也可以得到較大電阻變化的材料。眾所周知，計(jì)算機(jī)硬盤是通過磁介質(zhì)來存儲(chǔ)信息的。一塊密封的計(jì)算機(jī)硬盤內(nèi)部包含若干個(gè)磁盤片，磁盤片的每一面都被以轉(zhuǎn)軸為軸心、以一定的磁密度為間隔劃分成多個(gè)磁道，每個(gè)磁道又被劃分為若干個(gè)扇區(qū)。磁盤片上的磁涂層是由數(shù)量眾多的、體積極為細(xì)小的磁顆粒組成，若干個(gè)磁顆粒組成一個(gè)記錄單元來記錄1比特（bit）信息，即0或1。磁盤片的每個(gè)磁盤面都相應(yīng)有一個(gè)磁頭。當(dāng)磁頭“掃描”過磁盤面的各個(gè)區(qū)域時(shí)，各個(gè)區(qū)域中記錄的不同磁信號(hào)就被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，電信號(hào)的變化進(jìn)而被表達(dá)為“0”和“1”，成為所有信息的原始譯碼。最早的磁頭是采用錳鐵磁體制成的，該類磁頭是通過電磁感應(yīng)的方式讀寫數(shù)據(jù)。然而，隨著信息技術(shù)發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)容量的要求不斷提高，這類磁頭難以滿足實(shí)際需求。因?yàn)槭褂眠@種磁頭，磁致電阻的變化僅為1％～2％之間，讀取數(shù)據(jù)要求一定的強(qiáng)度的磁場(chǎng)，且磁道密度不能太大，因此使用傳統(tǒng)磁頭的硬盤最大容量只能達(dá)到每平方英寸20兆位。硬盤體積不斷變小，容量卻不斷變大時(shí)，勢(shì)必要求磁盤上每一個(gè)被劃分出來的獨(dú)立區(qū)域越來越小，這些區(qū)域所記錄的磁信號(hào)也就越來越弱。 1997年，全球首個(gè)基于巨磁阻效應(yīng)的讀出磁頭問世。正是借助了巨磁阻效應(yīng)，人們才能夠制造出如此靈敏的磁頭，能夠清晰讀出較弱的磁信號(hào)，并且轉(zhuǎn)換成清晰的電流變化。新式磁頭的出現(xiàn)引發(fā)了硬盤的“大容量、小型化”革命。如今，筆記本電腦、音樂播放器等各類數(shù)碼電子產(chǎn)品中所裝備的硬盤，基本上都應(yīng)用了巨磁阻效應(yīng)，這一技術(shù)已然成為新的標(biāo)準(zhǔn)。

搜一下：巨磁電阻效應(yīng)是怎么一回事阿？

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巨磁阻，巨磁阻效應(yīng)的具體解釋

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1，巨磁阻效應(yīng)的具體解釋

2，什么是巨磁電阻它的特性是什么

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4，巨磁電阻傳感器是如何實(shí)現(xiàn)的

5，巨磁阻的薄膜相變

6，巨磁電阻效應(yīng)是怎么一回事阿

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巨磁阻，巨磁阻效應(yīng)的具體解釋

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4，巨磁電阻傳感器是如何實(shí)現(xiàn)的

5，巨磁阻的薄膜相變

6，巨磁電阻效應(yīng)是怎么一回事阿

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