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寬禁帶半導體，禁帶寬度會影響到半導體發(fā)光波長嗎禁寬越大那么波長越短嗎 搜

來源：整理 時間：2023-08-19 06:11:04 編輯：智能門戶 手機版

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1，禁帶寬度會影響到半導體發(fā)光波長嗎禁寬越大那么波長越短嗎 搜

當然會，導帶回滿帶的時候釋放能量就是禁帶寬度，越大頻率越大，波長應該越小。
支持一下感覺挺不錯的

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2，寬禁帶半導體相對窄禁帶版代替有哪些特殊性質

對于包括半導體在內的晶體，其中的電子既不同于真空中的自由電子，也不同于孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續(xù)的能量狀態(tài)，即可取任何大小的能量；而原子中的電子是處于所謂分離的能級狀態(tài)。
例如半導體si中的施主雜質原子as，它有四個價電子用于構成共價鍵，所多余的一個價電子仍然是受到該施主原子的束縛，這個電子的狀態(tài)就是束縛狀態(tài)，相應的能級即為束縛能級，是在導帶底下面附近處（因為這個多余的一個價電子只要很小的能量即可激發(fā)到導帶而變成載流子，故該束縛能級離導帶底很近）。

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3，寬禁帶半導體材料和器件畢業(yè)后干什么

碳化硅(sic)和氮化鎵(gan)為代表的寬禁帶半導體材料sic電力電子器件主要包括功率整流器(sbd、pin和jbs等)、單極型功率晶體管(mosfet、jfet和sit等)和雙極犁載流子功率晶體管(bjt、igbt和gto等)。sic微波功率晶體管包括sic mesfet、sic bjt和sic sit等gan功率整流器主要包括sbd和pin二極管基于gan的功率開關器件主要包括a1gan／gan hemt(hfet)、gan mosfet和mis—hemt等結構。
去半導體生產(chǎn)廠家或研究所

寬禁帶半導體材料和器件畢業(yè)后干什么

4，MgO屬于寬禁帶半導體嗎

在半導體工業(yè)中,人們習慣地把鍺(Ge)、硅(Si)為代表的元素半導體材料稱為第一代半導體材料,把砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的化合物半導體材料稱為第二代半導體材料,而把氮化鎵(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化鋅（ZnO）為代表的半導體材料稱為第三代半導體材料.由于這些材料的禁帶寬度較Si、GaAs等材料更寬,因而它們一般具有更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻及大功率器件, 故稱這類材料為寬禁帶半導體材料(WBG)（通常指禁帶寬度大于2 . 2電子伏特的半導體材料）,也稱高溫半導體材料。

5，碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學穩(wěn)定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，不僅是制作高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)的理想襯底材料，也是制作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要應用領域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用有著不可替代的優(yōu)勢。
碳化硅晶片的主要應用領域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用有著不可替代的優(yōu)勢。國內獨家碳化硅單晶供應商，在研發(fā)、技術、市場開發(fā)及商業(yè)運作等方面處絕對領先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級SiC2晶體生長核心技術工藝，達到國際2001年先進水平。
天科合達是國內最早從事碳化硅研究和生產(chǎn)的企業(yè)。北京天科合達半導體股份有限公司成立于2006年9月，專業(yè)從事第三代半導體碳化硅晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。公司依托于中國科學院物理所十余年在碳化硅領域的研究成果優(yōu)勢。是亞太地區(qū)碳化硅晶片制造的先行者。相關專利技術已被國內和國際授權。打破了國外碳化硅行業(yè)的壟斷局面。

6，達人幫忙解釋一下fermi level pinning

費米能級釘扎(Fermi Level Pinning) 是當前半導體科學和技術領域的一大熱點。費米能級釘扎效應是半導體物理中的一個重要概念。本來半導體中的Fermi能級是容易發(fā)生位置變化的。例如，摻入施主雜質即可使Fermi能級移向導帶底，半導體變成為n型半導體；摻入受主雜質即可使Fermi能級移向價帶頂，半導體變成為p型半導體。但是，若Fermi能級不能因為摻雜等而發(fā)生位置變化的話，那么就稱這種情況為費米能級釘扎效應。在這種效應起作用的時候，往半導體中即使摻入很多的施主或者受主，但不能激活（即不能提供載流子），故也不能改變半導體的型號，也因此難于通過雜質補償來制作出pn結。產(chǎn)生費米能級釘扎效應的原因，與材料的本性有關。寬禁帶半導體（GaN、SiC等）就是一個典型的例子，這種半導體一般只能制備成n型或p型的半導體，摻雜不能改變其型號（即Fermi能級不能移動），故稱為單極性半導體。一般，離子性較強的半導體（如Ⅱ-Ⅵ族半導體，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是單極性半導體。這主要是由于其中存在大量帶電缺陷，使得費米能級被釘扎住所造成的。正因為如此，采用GaN來制作發(fā)蘭光的二極管時，先前就遇到了很大的困難，后來通過特殊的退火措施才激活了摻入的施主或受主雜質，獲得了pn結——制作出了發(fā)蘭色光的二極管。非晶態(tài)半導體也往往存在費米能級釘扎效應。制作出的非晶態(tài)半導體多是高阻材料,Fermi能級不能因摻雜而移動，這也是由于其中有大量缺陷的關系。此外，半導體表面態(tài)密度較大時也往往造成費米能級釘扎效應。這在M-S系統(tǒng)和MOS系統(tǒng)中起著重要的作用。
不一樣，雜質能級是引入的雜質構成的能級，對于p型半導體，雜質能級可能構成施主能級，介于費米能級和價帶頂之間，而對于n型半導體，雜質能級為受主能級，介于費米能級和導帶底之間。費米能級的物理意義是，該能級上的一個狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率是1/2。
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