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寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度會(huì)影響到半導(dǎo)體發(fā)光波長(zhǎng)嗎禁寬越大那么波長(zhǎng)越短嗎搜

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-19 06:11:04 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，禁帶寬度會(huì)影響到半導(dǎo)體發(fā)光波長(zhǎng)嗎禁寬越大那么波長(zhǎng)越短嗎搜
2，寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)
3，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么
4，MgO屬于寬禁帶半導(dǎo)體嗎
5，碳化硅晶片的介紹
6，達(dá)人幫忙解釋一下fermi level pinning

1，禁帶寬度會(huì)影響到半導(dǎo)體發(fā)光波長(zhǎng)嗎禁寬越大那么波長(zhǎng)越短嗎搜

當(dāng)然會(huì)，導(dǎo)帶回滿帶的時(shí)候釋放能量就是禁帶寬度，越大頻率越大，波長(zhǎng)應(yīng)該越小。

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禁帶寬度會(huì)影響到半導(dǎo)體發(fā)光波長(zhǎng)嗎禁寬越大那么波長(zhǎng)越短嗎搜

2，寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)

對(duì)于包括半導(dǎo)體在內(nèi)的晶體，其中的電子既不同于真空中的自由電子，也不同于孤立原子中的電子。真空中的自由電子具有連續(xù)的能量狀態(tài)，即可取任何大小的能量；而原子中的電子是處于所謂分離的能級(jí)狀態(tài)。

例如半導(dǎo)體si中的施主雜質(zhì)原子as，它有四個(gè)價(jià)電子用于構(gòu)成共價(jià)鍵，所多余的一個(gè)價(jià)電子仍然是受到該施主原子的束縛，這個(gè)電子的狀態(tài)就是束縛狀態(tài)，相應(yīng)的能級(jí)即為束縛能級(jí)，是在導(dǎo)帶底下面附近處（因?yàn)檫@個(gè)多余的一個(gè)價(jià)電子只要很小的能量即可激發(fā)到導(dǎo)帶而變成載流子，故該束縛能級(jí)離導(dǎo)帶底很近）。

寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)窄禁帶版代替有哪些特殊性質(zhì)

3，寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么

碳化硅(sic)和氮化鎵(gan)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料sic電力電子器件主要包括功率整流器(sbd、pin和jbs等)、單極型功率晶體管(mosfet、jfet和sit等)和雙極犁載流子功率晶體管(bjt、igbt和gto等)。sic微波功率晶體管包括sic mesfet、sic bjt和sic sit等gan功率整流器主要包括sbd和pin二極管基于gan的功率開(kāi)關(guān)器件主要包括a1gan／gan hemt(hfet)、gan mosfet和mis—hemt等結(jié)構(gòu)。

去半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家或研究所

寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件畢業(yè)后干什么

4，MgO屬于寬禁帶半導(dǎo)體嗎

在半導(dǎo)體工業(yè)中,人們習(xí)慣地把鍺(Ge)、硅(Si)為代表的元素半導(dǎo)體材料稱為第一代半導(dǎo)體材料,把砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的化合物半導(dǎo)體材料稱為第二代半導(dǎo)體材料,而把氮化鎵(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化鋅（ZnO）為代表的半導(dǎo)體材料稱為第三代半導(dǎo)體材料.由于這些材料的禁帶寬度較Si、GaAs等材料更寬,因而它們一般具有更高的擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻及大功率器件, 故稱這類材料為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)（通常指禁帶寬度大于2 . 2電子伏特的半導(dǎo)體材料）,也稱高溫半導(dǎo)體材料。

5，碳化硅晶片的介紹

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高化學(xué)穩(wěn)定性、抗輻射的性能，具有與氮化鎵(GaN)相近的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，不僅是制作高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)的理想襯底材料，也是制作高溫、高頻、高功率以及抗輻射電子器件的理想材料。碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。

碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場(chǎng)開(kāi)發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對(duì)領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級(jí)SiC2晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)工藝，達(dá)到國(guó)際2001年先進(jìn)水平。

天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)最早從事碳化硅研究和生產(chǎn)的企業(yè)。北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司依托于中國(guó)科學(xué)院物理所十余年在碳化硅領(lǐng)域的研究成果優(yōu)勢(shì)。是亞太地區(qū)碳化硅晶片制造的先行者。相關(guān)專利技術(shù)已被國(guó)內(nèi)和國(guó)際授權(quán)。打破了國(guó)外碳化硅行業(yè)的壟斷局面。

6，達(dá)人幫忙解釋一下fermi level pinning

費(fèi)米能級(jí)釘扎(Fermi Level Pinning) 是當(dāng)前半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一大熱點(diǎn)。費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)是半導(dǎo)體物理中的一個(gè)重要概念。本來(lái)半導(dǎo)體中的Fermi能級(jí)是容易發(fā)生位置變化的。例如，摻入施主雜質(zhì)即可使Fermi能級(jí)移向?qū)У?，半?dǎo)體變成為n型半導(dǎo)體；摻入受主雜質(zhì)即可使Fermi能級(jí)移向價(jià)帶頂，半導(dǎo)體變成為p型半導(dǎo)體。但是，若Fermi能級(jí)不能因?yàn)閾诫s等而發(fā)生位置變化的話，那么就稱這種情況為費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)。在這種效應(yīng)起作用的時(shí)候，往半導(dǎo)體中即使摻入很多的施主或者受主，但不能激活（即不能提供載流子），故也不能改變半導(dǎo)體的型號(hào)，也因此難于通過(guò)雜質(zhì)補(bǔ)償來(lái)制作出pn結(jié)。產(chǎn)生費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)的原因，與材料的本性有關(guān)。寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC等）就是一個(gè)典型的例子，這種半導(dǎo)體一般只能制備成n型或p型的半導(dǎo)體，摻雜不能改變其型號(hào)（即Fermi能級(jí)不能移動(dòng)），故稱為單極性半導(dǎo)體。一般，離子性較強(qiáng)的半導(dǎo)體（如Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體，CdS、ZnO、ZnSe、CdSe）就往往是單極性半導(dǎo)體。這主要是由于其中存在大量帶電缺陷，使得費(fèi)米能級(jí)被釘扎住所造成的。正因?yàn)槿绱?，采用GaN來(lái)制作發(fā)蘭光的二極管時(shí)，先前就遇到了很大的困難，后來(lái)通過(guò)特殊的退火措施才激活了摻入的施主或受主雜質(zhì)，獲得了pn結(jié)——制作出了發(fā)蘭色光的二極管。非晶態(tài)半導(dǎo)體也往往存在費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)。制作出的非晶態(tài)半導(dǎo)體多是高阻材料,Fermi能級(jí)不能因摻雜而移動(dòng)，這也是由于其中有大量缺陷的關(guān)系。此外，半導(dǎo)體表面態(tài)密度較大時(shí)也往往造成費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)。這在M-S系統(tǒng)和MOS系統(tǒng)中起著重要的作用。

不一樣，雜質(zhì)能級(jí)是引入的雜質(zhì)構(gòu)成的能級(jí)，對(duì)于p型半導(dǎo)體，雜質(zhì)能級(jí)可能構(gòu)成施主能級(jí)，介于費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶頂之間，而對(duì)于n型半導(dǎo)體，雜質(zhì)能級(jí)為受主能級(jí)，介于費(fèi)米能級(jí)和導(dǎo)帶底之間。費(fèi)米能級(jí)的物理意義是，該能級(jí)上的一個(gè)狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率是1/2。

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