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雙極性晶體管，什么是雙極晶體管是不是就是三極管

來源：整理 時(shí)間：2023-08-26 14:30:59 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，什么是雙極晶體管是不是就是三極管

是的這是歷史原因，最早的是點(diǎn)接觸型的，后來發(fā)展到雙PN結(jié)型的，就是雙極型晶體管

什么是雙極晶體管是不是就是三極管

2，什么叫雙極性晶體管與單極性晶體管有什么區(qū)別

雙極性晶體管（又稱雙極性三極管，Bipolar Junction Transistor）根據(jù)不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)P-N結(jié)。可分成PNP Image:BJT symbol PNP.png和 NPN Image:BJT symbol NPN.svg 兩大類。 http://www.ed-china.com/ARTP_8800013823_400011_500009_OT.HTM

什么叫雙極性晶體管與單極性晶體管有什么區(qū)別

3，雙極晶體管的工作原理

雙極型晶體管是由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。 利用晶體管的放大效應(yīng)，配合電阻、電容等元件，組成放大電路，可以對(duì)電信號(hào)進(jìn)行放大。

雙極晶體管的工作原理

4，請(qǐng)問雙極型晶體管是什么意思呀那雙極型

雙極型就是電子和孔穴都參加電流形成的意思。反義詞呢就是單極型，這個(gè)是電子和孔穴之中只有一個(gè)參加電流形成的意思。晶體管是擁有三個(gè)電極和兩個(gè)pn結(jié)的半導(dǎo)體器件，有兩種雙極型晶體管就是npn和pnp。
雙極型和單極型的差別主要看有幾種載流子參與導(dǎo)電。在雙極型晶體管中，多子和少子（也就是空穴、電子，兩種不同極性的載流子）都參與導(dǎo)電；而在單極型晶體管中只有多子（或空穴，或電子，只有一種，單一極性，或正或負(fù)）參與導(dǎo)電。

5，什么是單極型晶體管和雙極型晶體管

一、單極型晶體管單極型晶體管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱FET(Field Effect Transistor)。它是一種電壓控制型器件，由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時(shí)只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。 特點(diǎn)：輸入電阻高，可達(dá)107 ~ 1015 Ω，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET) 可高達(dá) 1015 Ω。噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡(jiǎn)單，易集成，器件特性便于控制，功耗小，體積小，成本低。 分類：根據(jù)材料的不同可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET (Junction Field Effect Transistor)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、雙極型晶體管雙極型晶體管也稱晶體三極管，它是一種電流控制型器件，由輸入電流控制輸出電流，其本身具有電流放大作用。它工作時(shí)有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電過程，故稱為雙極型三極管。 特點(diǎn)：三極管可用來對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行放大和作無觸點(diǎn)開關(guān)。它具有結(jié)構(gòu)牢固、壽命長、體積小、耗電省等一系列獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，故在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 分類：根據(jù)材料的不同晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。硅三極管的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，且能在較高的溫度下工作和承受較大的功率損耗。鍺三極管的增益大，頻率響應(yīng)好，尤其適用于低壓線路。

6，雙極晶體管的工作原理

雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度慢，輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管：用不同的摻雜方式在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管.
n溝型的 igbt工作是通過柵極－發(fā)射極間加閥值電壓vth以上的（正）電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道），開始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。工作時(shí)的等效電路如圖1（b）所示，igbt的符號(hào)如圖1（c）所示。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停止供給電流。通過輸出信號(hào)已不能進(jìn)行控制。一般將這種狀態(tài)稱為閉鎖狀態(tài)。為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作igbt采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施。具體地來說，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計(jì)為0.5以下。 igbt的閉鎖電流il為額定電流（直流）的3倍以上。igbt的驅(qū)動(dòng)原理與電力mosfet基本相同，通斷由柵射極電壓uge決定。 當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒有空穴注入n-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果mosfet電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開始后，在n層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、ic 和vce密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的，尾流特性與vce、ic和 tc有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，mosfet內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，igbt關(guān)斷。 igbt在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生pnpn晶閘管。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效mosfet的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為igbt閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。通常情況下，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí)，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生npn和pnp晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止npn部分接通，分別改變布局和摻雜級(jí)別。二是降低npn和pnp晶體管的總電流增益。此外，閂鎖電流對(duì)pnp和npn器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下，p基區(qū)的電阻率會(huì)升高，破壞了整體特性。因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。
igbt
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