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碳化硅襯底，LED襯底分哪幾種

來源：整理 時間：2025-05-14 01:53:32 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，LED襯底分哪幾種

GAN市場主流是使用藍(lán)寶石。而CREE是使用碳化硅襯底，國內(nèi)晶能也是用碳化硅襯底。如果是GaAs,它使用的襯底就是GaAs，紅光的GaAs襯底也是主流。

LED襯底分哪幾種

2，led襯底材料電阻率對LED的性能會有什么影響制作LED的碳化硅襯

如果是使用過的或者使用中的話 就是電流過大導(dǎo)致的 電流過大led工作時就會發(fā)熱 襯底是塑料。所以就燒黑了
從原理上講（在加工方面的要求暫不講），led的襯底材料要求1_有利于做外延時的晶格匹配，和2_有利于大功率LED工作時的散熱。對第一項(xiàng)的要求，當(dāng)然襯底材料的晶格越完整越好——缺陷越少越好，摻雜劑越少越好。從這點(diǎn)考慮的話，襯底的電阻率越高越好；對第二項(xiàng)的要求，摻雜劑越多，則導(dǎo)熱效果越好，同時電阻率會越低。所以第一和第二項(xiàng)要求有一點(diǎn)矛盾，只有在成本與性能之間找一個平衡點(diǎn)。如果制作LED用碳化硅做襯底。因?yàn)樘蓟璞旧硪揽柯曌訉?dǎo)熱的效果較好，所以就當(dāng)然選擇晶格越完整越好，即電阻率越高越好。（供參考）

led襯底材料電阻率對LED的性能會有什么影響制作LED的碳化硅襯

3，國內(nèi)生產(chǎn)碳化硅襯底的公司有哪些質(zhì)量怎么樣國內(nèi)生產(chǎn)的碳化硅襯

東天岳先進(jìn)材料科技有限公司是專業(yè)從事藍(lán)寶石和碳化硅單晶生長和加工的高新技術(shù)企業(yè)。公司的主要產(chǎn)品有2-6英寸藍(lán)寶石和2-4英寸碳化硅單晶襯底，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、高功率高頻電子器件等。公司同時建設(shè)了配套的藍(lán)寶石和碳化硅單晶襯底加工線，采用自有的襯底加工技術(shù)，可以向客戶提供開盒即用的藍(lán)寶石和碳化硅單晶襯底。是國內(nèi)目前少數(shù)能提供高質(zhì)量半導(dǎo)體照明LED外延襯底的供應(yīng)商。
上面幾個回答了 天科和山岳 另外聽說北京有一家。在國內(nèi)也就這幾家。質(zhì)量嘛 也就在國內(nèi)用用了，國際上只能做做實(shí)驗(yàn)，沒什么人用。
北京天科合達(dá)公司是國內(nèi)唯一一家可以生產(chǎn)碳化硅襯底的企業(yè)
瀚天泰成電子科技（廈門）有限公司一家在中國廈門注冊的中美合資企業(yè)。公司配備了可生產(chǎn)6英寸、4英寸和3英寸碳化硅外延晶片的外延生長系統(tǒng)、自動缺陷識別和掃描測試系統(tǒng)等，都是目前世界最先進(jìn)的儀器和設(shè)備，超凈間潔凈度達(dá)到100級?？商峁?biāo)準(zhǔn)的4英寸和3英寸的碳化硅外延晶片
現(xiàn)在做這個的很少 我知道山東天岳是做這一方面的但具體不是很了解再看看別人怎么說的。
只知道易成是最大的生產(chǎn)碳化硅微粉的~

國內(nèi)生產(chǎn)碳化硅襯底的公司有哪些質(zhì)量怎么樣國內(nèi)生產(chǎn)的碳化硅襯

4，sic 的摻雜物p 型n 型

本發(fā)明公開了利用基本上無深能級摻雜物的半絕緣SiC襯底的SiC MESFET。半絕緣襯底的利用可以減少M(fèi)ESFETs中的背柵效應(yīng)。還提供了具有兩個凹槽的柵極結(jié)構(gòu)的SiC MESFETs。還提供了具有選擇摻雜的p型緩沖層的MESFETs。這種緩沖層的利用可以在具有常規(guī)的p型緩沖層的SiC MESFETs之上降低到其三分之一的輸出電導(dǎo)并產(chǎn)生3db的功率增益。還可以提供到p型緩沖層的地接觸，p型緩沖層可以由兩種p型層形成，其具有在襯底上形成的較高摻雜物濃度的層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例SiC MESFETs還可以利用鉻作為肖特基柵極材料。此外，可以采用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)鈍化層以減少SiCMESFETs中的表面效應(yīng)。同樣，可以直接在n型溝道層上形成源和漏歐姆接觸，因此，不需要制造n+區(qū)域，有關(guān)這種制造的步驟可以從制造工藝中去除。還公開了制造這種SiC MESFETs和用于SiC FETs的柵極結(jié)構(gòu)以及鈍化層的方法。 專利主權(quán)項(xiàng) 權(quán)利要求書 1.一種金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，包括：半絕緣碳化硅襯底，其基本上無深能級摻雜物；在襯底上的n型導(dǎo)電性碳化硅的n型外延層；在n型外延層上的歐姆接觸，其分別確定源區(qū)和漏區(qū)；以及在n型外延層上的肖特基金屬接觸，其位于歐姆接觸之間并由此在源區(qū)和漏區(qū)之間，以便當(dāng)偏壓施加到肖特基金屬接觸時在n型外延層中的源區(qū)和漏區(qū)之間形成有源溝道。

5，LED襯底材料有哪些種類

目前市面上一般有三種材料可作為襯底：·藍(lán)寶石（Al2O3）·硅 (Si)·碳化硅（SiC）除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據(jù)設(shè)計的需要選擇使用。
對于制作led芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和led器件的要求進(jìn)行選擇?！　∧壳笆忻嫔弦话阌腥N材料可作為襯底： 藍(lán)寶石（al2o3）、硅 (si) 、碳化硅（sic）　　藍(lán)寶石襯底　　通常，gan基材料和器件的外延層主要生長在藍(lán)寶石襯底上。藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn)：首先， 藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長過程中；最后，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。因此，大多 數(shù)工藝一般都以藍(lán)寶石作為襯底。圖1示例了使用藍(lán)寶石襯底做成的led芯片。　　硅襯底　　目前有部分led芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是l接觸（laterial-contact , 水平接觸）和v接觸（vertical-contact，垂直接觸），以下簡稱為l型電極和v型電極。通過這兩種接觸方式，led芯片內(nèi)部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由于電流可以縱向流動，因此增大了led的發(fā)光面積，從而提高了led的出光效率。因?yàn)楣枋菬岬牧紝?dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性 能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命?！　√蓟枰r底　　碳化硅襯底（美國的cree公司專門采用sic材料作為襯底）的led芯片電極是l型電極，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。采用碳化硅襯底的led芯碳化硅襯底的導(dǎo)熱性能（碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490w/(m·k)）要比藍(lán)寶石襯底高出10倍 以上。藍(lán)寶石本身是熱的不良導(dǎo)體，并且在制作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的芯片電極為l型，兩個電極分布在器 件的表面和底部，所產(chǎn)生的熱量可以通過電極直接導(dǎo)出；同時這種襯底不需要電流擴(kuò)散層，因此光不會被電流擴(kuò)散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對 于藍(lán)寶石襯底而言，碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。

6，襯底的材料選用

對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：·藍(lán)寶石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底通常，GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍(lán)寶石襯底上。藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn)：首先，藍(lán)寶石襯底的生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；其次，藍(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長過程中；最后，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。因此，大多數(shù)工藝一般都以藍(lán)寶石作為襯底。圖1示例了使用藍(lán)寶石襯底做成的LED芯片。圖1藍(lán)寶石作為襯底的LED芯片使用藍(lán)寶石作為襯底也存在一些問題，例如晶格失配和熱應(yīng)力失配，這會在外延層中產(chǎn)生大量缺陷，同時給后續(xù)的器件加工工藝造成困難。藍(lán)寶石是一種絕緣體，常溫下的電阻率大于1011Ω·cm，在這種情況下無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件；通常只在外延層上表面制作n型和p型電極（如圖1所示）。在上表面制作兩個電極，造成了有效發(fā)光面積減少，同時增加了器件制造中的光刻和刻蝕工藝過程，結(jié)果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN摻雜困難，當(dāng)前普遍采用在p型GaN上制備金屬透明電極的方法，使電流擴(kuò)散，以達(dá)到均勻發(fā)光的目的。但是金屬透明電極一般要吸收約30%~40%的光，同時GaN基材料的化學(xué)性能穩(wěn)定、機(jī)械強(qiáng)度較高，不容易對其進(jìn)行刻蝕，因此在刻蝕過程中需要較好的設(shè)備，這將會增加生產(chǎn)成本。藍(lán)寶石的硬度非常高，在自然材料中其硬度僅次于金剛石，但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進(jìn)行減薄和切割（從400nm減到100nm左右）。添置完成減薄和切割工藝的設(shè)備又要增加一筆較大的投資。藍(lán)寶石的導(dǎo)熱性能不是很好（在100℃約為25W/（m·K））。因此在使用LED器件時，會傳導(dǎo)出大量的熱量；特別是對面積較大的大功率器件，導(dǎo)熱性能是一個非常重要的考慮因素。為了克服以上困難，很多人試圖將GaN光電器件直接生長在硅襯底上，從而改善導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能。硅襯底目前有部分LED芯片采用硅襯底。硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式，分別是L接觸（Laterial-contact,水平接觸）和V接觸（Vertical-contact，垂直接觸），以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式，LED芯片內(nèi)部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由于電流可以縱向流動，因此增大了LED的發(fā)光面積，從而提高了LED的出光效率。因?yàn)楣枋菬岬牧紝?dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。碳化硅襯底碳化硅襯底（美國的CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片電極是L型電極，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。采用碳化硅襯底的LED芯片如圖2所示。圖2采用藍(lán)寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片碳化硅襯底的導(dǎo)熱性能（碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/(m·K)）要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。藍(lán)寶石本身是熱的不良導(dǎo)體，并且在制作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的芯片電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產(chǎn)生的熱量可以通過電極直接導(dǎo)出；同時這種襯底不需要電流擴(kuò)散層，因此光不會被電流擴(kuò)散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對于藍(lán)寶石襯底而言，碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。三種襯底的性能比較前面的內(nèi)容介紹的就是制作LED芯片常用的三種襯底材料。這三種襯底材料的綜合性能比較可參見表1。表1三種襯底材料的性能比較除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據(jù)設(shè)計的需要選擇使用。
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