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1，干刻工程師是干什么的
2，集成電路中的相關(guān)問題
3，sti隔離技術(shù)中為什么采用干法離子刻蝕形成槽
4，光刻機和刻蝕機的區(qū)別
5，相對于濕法蝕刻干法蝕刻的最大優(yōu)點在于什么
6，光刻濕刻干法刻蝕有何不同

1，干刻工程師是干什么的

干法刻蝕工藝工程師1.負責(zé)干刻設(shè)備評估，與設(shè)備廠商仔細討論，完成設(shè)備規(guī)格書，設(shè)備評估比對表，配合完成相應(yīng)設(shè)備招投標(biāo)工作。 2.負責(zé)干刻線材料評估，針對工藝需求，完成材料選定及供應(yīng)商選定工作。 3.與設(shè)備廠商緊密合作，負責(zé)干刻設(shè)備，保證其按期順利投入運行。 4.負責(zé)干刻設(shè)備的技術(shù)開發(fā)并將其導(dǎo)入制造環(huán)節(jié)，以及良率的提升。

干刻工程師是干什么的

2，集成電路中的相關(guān)問題

集成電路是采用專門的設(shè)計技術(shù)和特殊的集成工藝，把構(gòu)成半導(dǎo)體電路的晶體管、二極管、電阻、電容等基本元器件，制作在一塊半導(dǎo)體單晶片（例如硅或砷化鎵）或絕緣基片上，能完成特定功能或者系統(tǒng)功能的電路集合。大規(guī)模集成電路：LSI (Large Scale Integration ) 通常指含邏輯門數(shù)為100門～9999門(或含元件數(shù)1000個～99999個

集成電路中的相關(guān)問題

3，sti隔離技術(shù)中為什么采用干法離子刻蝕形成槽

STI是英文 shallow trench isolation的簡稱，翻譯過來為淺槽隔離工藝。 STI通常用于0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經(jīng)過淀積、圖形化、刻蝕硅后形成槽，并在槽中填充淀積氧化物，用于與硅隔離。下面詳細介紹一下淺槽隔離的步驟，主要包括：槽刻蝕、氧化物填充和氧化物平坦化。槽刻蝕隔離氧化層。硅表面生長一層厚度約150埃氧化層；可以做為隔離層保護有源區(qū)在去掉氮化物的過程中免受化學(xué)沾污。氮化物淀積。硅表面生長一薄層氮化硅：a)由于氮化硅是堅固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀積過程中保護有源區(qū) b)在CMP時充當(dāng)拋光的阻擋材料。掩膜，淺槽隔離STI槽刻蝕。在經(jīng)過上面的光刻之后把沒有被光刻膠保護的區(qū)域用離子和強腐蝕性的化學(xué)物質(zhì)刻蝕掉氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是會在溝槽傾斜的側(cè)壁及圓滑的底面有助于提高填充的質(zhì)量和隔離結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性氧化物填充溝槽襯墊氧化硅硅片再次清洗和去氧化物等清洗工藝后，高溫下在曝露的隔離槽側(cè)壁上生長150埃的氧化層，用以阻止氧分子向有源區(qū)擴散。同時墊氧層也改善硅與溝槽填充氧化物之間的界面特性溝槽CVD氧化物填充氧化物平坦化化學(xué)機械拋光氮化物去除其實沒有那么復(fù)雜的也可以自己查閱下資料

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sti隔離技術(shù)中為什么采用干法離子刻蝕形成槽

4，光刻機和刻蝕機的區(qū)別

刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分?！肮饪獭笔侵冈谕繚M光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕。“刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。擴展資料：光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動1.手動：指的是對準的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；2.半自動：指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧；3.自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。參考資料：搜狗百科-光刻機，搜狗百科-刻蝕

我打個比方吧，光刻相當(dāng)于制作模板，刻蝕相當(dāng)于按照模板去刻印東西。光刻指的是將光刻膠鋪在光刻板上，然后對著光刻板用某種光線（紫外光、紅外光等）有選擇性的去照射光刻膠，光刻膠有正性光刻膠和負性光刻膠兩種?？涛g是指將已經(jīng)光刻后的光刻膠+光刻板用溶液沖洗，如果是正性光刻膠，被光照射的部分則會被清洗掉，如果是負性光刻膠，未被光照射的地方則會被清洗掉，清洗完就會出現(xiàn)想要的形狀

刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分

光刻機和刻蝕機的區(qū)別主要表現(xiàn)為3各個方面：一、難易度：光刻機難度大，刻蝕機難度小二、原理：光刻機把圖案印上去，刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案/無圖的部分，留下剩余的部分。三、工藝操作不同（1）、光刻機：利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將掩膜版上的電路圖形傳遞到單晶的表面或介質(zhì)層上，形成有效的圖形窗口或功能圖形。由于在晶圓的表面上，電路設(shè)計圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻工藝也是芯片制造中最核心的環(huán)節(jié)。（2）、刻蝕機：用化學(xué)和物理方法，在經(jīng)顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料?？涛g工藝的方法有兩大類，濕法蝕刻和干法蝕刻。擴展資料：光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。參考資料：搜狗百科-等離子蝕刻機搜狗百科-光刻機

5，相對于濕法蝕刻干法蝕刻的最大優(yōu)點在于什么

基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發(fā)生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，對環(huán)境污染少，適用于工業(yè)生產(chǎn)。濕法刻蝕這是傳統(tǒng)的刻蝕方法。把硅片浸泡在一定的化學(xué)試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而被除去例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態(tài)環(huán)境中進行刻蝕的工藝稱為“濕法”工藝，其優(yōu)點是操作簡便、對設(shè)備要求低、易于實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，并且刻蝕的選擇性也好。但是，化學(xué)反應(yīng)的各向異性較差，橫向鉆蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形（見圖）。這不僅使圖形剖面發(fā)生變化，而且當(dāng)稍有過刻蝕時剖面會產(chǎn)生如圖中的虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2 ,并且隨過刻蝕時間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法刻蝕的另一問題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對于那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須采用更為復(fù)雜的掩蔽方案。對于采用微米級和亞微米量級線寬的超大規(guī)模集成電路，刻蝕方法必須具有較高的各向異性特性，才能保證圖形的精度，但濕法刻蝕不能滿足這一要求。干法刻蝕 70年代末研究出一系列所謂干法刻蝕工藝。干法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕三種主要方法。① 離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產(chǎn)生的離子加速后入射到薄膜表面，裸露的薄膜被濺射而除去。由于刻蝕是純物理作用，各向異性程度很高，可以得到分辨率優(yōu)于 1微米的線條。這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學(xué)器件等制造中得到應(yīng)用。但是，這種方法的刻蝕選擇性極差，須采用專門的刻蝕終點監(jiān)測技術(shù)，而且刻蝕速率也較低。② 等離子刻蝕：利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電，產(chǎn)生能與薄膜發(fā)生離子化學(xué)反應(yīng)的分子或分子基團，生成的反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的。它在低氣壓的真空室中被抽走，從而實現(xiàn)刻蝕。通過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但刻蝕精度不高，一般僅用于大于4～5微米線條的工藝中。③ 反應(yīng)離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學(xué)兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生化學(xué)刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側(cè)向反應(yīng)，大大提高了刻蝕的各向異性特性。反應(yīng)離子刻蝕是超大規(guī)模集成電路工藝中很有發(fā)展前景的一種刻蝕方法?，F(xiàn)代化的干法刻蝕設(shè)備包括復(fù)雜的機械、電氣和真空裝置，同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。因此這種工藝的設(shè)備投資是昂貴的。

任務(wù)占坑

6，光刻濕刻干法刻蝕有何不同

呵呵，我以前在半導(dǎo)體做了兩年啊！懂一點點吧！以前我在的是蝕刻區(qū)！半導(dǎo)體制蝕刻(Etching) (三)蝕刻(Etching) 蝕刻的機制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部份。整個蝕刻的時間，等于是擴散與化學(xué)反應(yīng)兩部份所費時間的總和。二者之中孰者費時較長，整個蝕刻之快慢也卡在該者，故有所謂「reaction limited」與「diffusion limited」兩類蝕刻之分。 1、濕蝕刻最普遍、也是設(shè)備成本最低的蝕刻方法，其設(shè)備如圖2-10所示。其影響被蝕刻物之蝕刻速率 (etching rate) 的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 (stirring) 之有無。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。舉例來說，以49%的HF蝕刻SiO2，當(dāng)然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢！濕蝕刻的配方選用是一項化學(xué)的專業(yè)，對于一般不是這方面的研究人員，必須向該化學(xué)專業(yè)的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity)，意指進行蝕刻時，對被蝕物去除速度與連帶對其他材質(zhì) (如蝕刻掩膜；etching mask，或承載被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統(tǒng)，應(yīng)該只對被加工薄膜有腐蝕作用，而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。 (1)等向性蝕刻 (isotropic etching) 大部份的濕蝕刻液均是等向性，換言之，對蝕刻接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好蝕刻掩膜的圖案，暴露出來的區(qū)域，便是往下腐蝕的所在；只要蝕刻配方具高選擇性，便應(yīng)當(dāng)止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當(dāng)其被蝕出某深度時，蝕刻掩膜圖案邊緣的部位漸與蝕刻液接觸，故蝕刻液也開始對蝕刻掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側(cè)向侵蝕現(xiàn)象 (undercut)。該現(xiàn)象造成的圖案側(cè)向誤差與被蝕薄膜厚度同數(shù)量級，換言之，濕蝕刻技術(shù)因之而無法應(yīng)用在類似「次微米」線寬的精密制程技術(shù)！ (2)非等向性蝕刻 (anisotropic etching) 先前題到之濕蝕刻「選擇性」觀念，是以不同材料之受蝕快慢程度來說明。然而自1970年代起，在諸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，發(fā)表了許多有關(guān)堿性或有機溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蝕速率小一到兩個數(shù)量級！因此，腐蝕速率最慢的晶面，往往便是腐蝕后留下的特定面。這部份將在體型微細加工時再詳述。 2、干蝕刻干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿 (plasma) 來進行半導(dǎo)體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干蝕刻采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高，均能達成蝕刻的目的。干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學(xué)反應(yīng)」(chemical reaction) 兩部份蝕刻機制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏「化學(xué)反應(yīng)」效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其最重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高蝕刻率兩種優(yōu)點，換言之，本技術(shù)中所謂「活性離子蝕刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」線寬制程技術(shù)的要求，而正被大量使用中。

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干法刻蝕，干刻工程師是干什么的

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1，干刻工程師是干什么的

2，集成電路中的相關(guān)問題

3，sti隔離技術(shù)中為什么采用干法離子刻蝕形成槽

4，光刻機和刻蝕機的區(qū)別

5，相對于濕法蝕刻干法蝕刻的最大優(yōu)點在于什么

6，光刻濕刻干法刻蝕有何不同

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干法刻蝕，干刻工程師是干什么的

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1，干刻工程師是干什么的

2，集成電路中的相關(guān)問題

3，sti隔離技術(shù)中為什么采用干法離子刻蝕形成槽

4，光刻機和刻蝕機的區(qū)別

5，相對于濕法蝕刻干法蝕刻的最大優(yōu)點在于什么

6，光刻 濕刻干法刻蝕有何不同

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4，光刻機和刻蝕機的區(qū)別

5，相對于濕法蝕刻干法蝕刻的最大優(yōu)點在于什么

6，光刻濕刻干法刻蝕有何不同