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光刻技術(shù)，掩膜板屬于光刻技術(shù)的范疇嗎

來源：整理 時間：2023-08-22 06:31:44 編輯：智能門戶 手機版

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1，掩膜板屬于光刻技術(shù)的范疇嗎

可以，掩膜版（光刻版）應(yīng)用的是光刻技術(shù)。

掩膜板屬于光刻技術(shù)的范疇嗎

2，簡述光刻的工藝過程步驟

1. wafer 表面處理； 2. 旋涂光刻膠（包括抗反射層） 3. 前烘； 4. 曝光； 5. 后烘； 6. 顯影，有的需要在顯影前進行堅膜； 7. 刻蝕

簡述光刻的工藝過程步驟

3，光刻技術(shù)的種類及介紹

你可以參看這些資料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm
我不會~~~但還是要微笑~~~：）

光刻技術(shù)的種類及介紹

4，光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個步驟的意義

光刻工藝主要步驟1. 基片前處理為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結(jié)合得很好的膜，必須進行表面準(zhǔn)備，保持表面干燥且干凈，2. 涂光刻膠涂膠的目標(biāo)是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。3. 前烘(軟烘焙)前烘的目的是去除膠層內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機械擦傷能力。4. 對準(zhǔn)和曝光(A＆E) 保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準(zhǔn)確對準(zhǔn)，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準(zhǔn)確定位或?qū)?zhǔn)。第二步是通過曝光將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。5. 顯影顯影是指把掩膜版圖案復(fù)制到光刻膠上。6. 后烘(堅膜)經(jīng)顯影以后的膠膜發(fā)生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結(jié)，必須繼續(xù)蒸發(fā)溶劑以固化光刻膠。 7. 刻蝕刻蝕是通過光刻膠暴露區(qū)域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。8. 去除光刻膠刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
顯影是把沒固化的料洗掉，它的圖案是不是掩模板的圖案和你用的正膠與負膠有光
毛毛 你好傻希望對你有所幫助，望采納。
毛毛 你好傻

5，光刻機中國能造嗎

暫時不能光刻機不是一項單一的技術(shù)，而是現(xiàn)代各項高科技技術(shù)的集成，成品背后需要無數(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈支持，以中國現(xiàn)在的科技水平暫時還不能造出。當(dāng)中國專家去荷蘭阿斯麥爾公司參觀光刻機的時候，阿斯麥爾的高管直接對中國的專家說：就算給你全套圖紙，你們中國也造不出光刻機。 很多中國人聽到這句話都非常的氣憤，憑什么中國就造不出光刻機？近年來關(guān)于國產(chǎn)光刻機彎道超車的新聞頻繁在各類媒體中出現(xiàn)，國人想要在光刻機技術(shù)上超越歐美發(fā)達國家的愛國情懷可以理解，但部分媒體為了博取眼球?qū)a(chǎn)光刻機過分的吹捧，不尊重事實的報道對普通大眾而言其實是一件特別不負責(zé)任的事情。理想很豐滿，現(xiàn)實很骨感，以中國現(xiàn)在的科技水平確實造不出光刻機，光刻機不是一項單一的技術(shù)，而是現(xiàn)代各項高科技技術(shù)的集成，光刻機的內(nèi)部十分復(fù)雜，可以說是人類知識集大成的產(chǎn)物之一，光刻機就像手機和汽車一樣，是由無數(shù)的零配件組裝合成的，最終實現(xiàn)某種功能，成品背后需要無數(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈支持，各式各樣的零配件都是行業(yè)內(nèi)頂級的技術(shù)體現(xiàn)，沒有長時間的深耕運作，國產(chǎn)光刻機在單一的某項技術(shù)上實現(xiàn)領(lǐng)先是沒問題的，但是想要在整體上實現(xiàn)彎道超車，基本上不現(xiàn)實。舉個例子：比如馬拉松長跑比賽，第二名與第一名的差距相差3公里，在某一個時間段，第二名選手的速度超過了第一名選手，這僅僅代表著第二名選手最終有超越第一名選手的可能，但是3公里路程的巨大差距卻不是一時半會可以趕上的，想要超越，時間跨度將非常大，因為你在努力向前跑的同時對手也在努力向前跑。荷蘭阿斯麥爾之所以能夠壟斷全球最頂尖的光刻機市場，不是因為荷蘭人聰明，單純靠荷蘭人也研發(fā)不出光刻機，光刻機的研發(fā)集合了全球優(yōu)勢資源加上半導(dǎo)體幾十年的技術(shù)積累，最終在數(shù)以萬計的專業(yè)的頂尖研發(fā)人員不斷技術(shù)突破下才成功，荷蘭的幸運在于目前只有荷蘭掌握光刻機最核心的技術(shù)“侵入式光刻技術(shù)”，所以現(xiàn)在頂級光刻機只有荷蘭有能力生產(chǎn)。技術(shù)是研發(fā)的外在體現(xiàn)，任何技術(shù)的突破都是厚積薄發(fā)的結(jié)果，光刻機需要的技術(shù)方向特別多，比如機械化層面，自動化層面，系統(tǒng)科學(xué)層面等一大堆方向都需要有人去攻關(guān)，有些地方是知道技術(shù)壁壘的，但是如何突破技術(shù)壁壘還沒有頭緒，有些地方連技術(shù)壁壘在什么地方都沒找到，更別談技術(shù)突破了，而且任何一項技術(shù)的突破都需要長年累月技術(shù)投入，資金投入，人員投入。技術(shù)積累并不是錢能夠解決的，目前國內(nèi)在光刻機領(lǐng)域做得比較好的是上海微電子裝備和中科院的某個研究所，它們目前還停留在90nm研發(fā)產(chǎn)品階段，而荷蘭阿斯麥爾7nm的光刻機已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，當(dāng)然這并不代表國產(chǎn)光刻機沒有超越的機會，目前國內(nèi)對光刻機的重視程度越來越高，大量的資金和頂尖的人才都在光刻機領(lǐng)域深耕研究。國產(chǎn)光刻機其實只要在某些關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，就算得上是彎道超車了，就好比荷蘭阿斯麥爾在光刻機“侵入式光刻技術(shù)”上領(lǐng)先全球一樣，沒有這項關(guān)鍵性技術(shù)，就無法制造更頂級的光刻機，所以目前只有荷蘭才有資格制造頂級光刻機。

6，光刻技術(shù)的原理是什么

光刻工藝是利用類似照相制版的原理，在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細圖形的表面加工技術(shù)。也就是使用可見光和紫外光線把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再經(jīng)過蝕刻工藝去除無用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。光刻是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的關(guān)鍵工藝。自20世紀(jì)60年代以來，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導(dǎo)體芯片表面，制作出半導(dǎo)體器件的不同工作區(qū)。隨著集成電路所包含的器件越來越多，要求單個器件尺寸及其間隔越來越小，所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來標(biāo)志集成電路的工藝水平。國際上較先進的集成電路生產(chǎn)線是1微米線，即光刻的分辨線寬為1微米。日本兩家公司成功地應(yīng)用加速器所產(chǎn)生的同步輻射X射線進行投影式光刻，制成了線寬為0.1微米的微細布線，使光刻技術(shù)達到新的水平。
芯片納米光刻機究竟是什么，原理是怎樣的呢？今天算長見識了
光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)?！　」饪碳夹g(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護下不會受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。
概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時適用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用時可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色 磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(熱板)曝光 60-100mj/cm2顯影 0.8% KOHx60sec后烤 熱板120℃×120sec蝕刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離 4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存） 6個月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4% NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剝離：23℃ 4-6% NaOH
集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細加工技術(shù)。兩種工藝：①光復(fù)印工藝②刻蝕工藝
文章TAG：光刻技術(shù)掩膜板屬于光刻技術(shù)的范疇嗎

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