mos管驅(qū)動(dòng)電路，BUCK開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路怎么做

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1，BUCK開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路怎么做
2，MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
3，MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路
4，誰(shuí)可以解釋一下下圖MOSFET驅(qū)動(dòng)電路畢業(yè)設(shè)計(jì)要用到
5，這個(gè)電路圖MOS管是怎么驅(qū)動(dòng)的
6，MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理以IR2110為例

1，BUCK開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路怎么做

建議你采用IC來(lái)設(shè)計(jì)，這樣可以提高效率，降低紋波，你這個(gè)電路本身就有問(wèn)題，Q1的開關(guān)是靠PWM來(lái)控制的

BUCK開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路怎么做

2，MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

我采用si4800和si4435試驗(yàn)后完全可用，效果很好。我沒有用下面的光電耦合電路，直接輸入的單片機(jī)io口3.3v控制。

控制2個(gè)電機(jī)a 和b的電路，每個(gè)電機(jī)1組h橋需要4個(gè)mos 管，所以有8個(gè)。

MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

3，MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路

目前主要采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)，不少IC內(nèi)部也是這結(jié)構(gòu)，這種推動(dòng)可精確控制上升下降時(shí)間，再就是變壓器驅(qū)動(dòng)，只要達(dá)到灌、吸輸入電容電荷的目的就行，根據(jù)不同的電路拓?fù)渥约哼x擇驅(qū)動(dòng)。這個(gè)做不好會(huì)燒管的，不同的負(fù)荷狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)電路的取值也不一樣，建議參考部分書，或者找現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)IC，模塊化設(shè)計(jì)電路，成功率高，研發(fā)速度快

MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路

4，誰(shuí)可以解釋一下下圖MOSFET驅(qū)動(dòng)電路畢業(yè)設(shè)計(jì)要用到

左邊的PWM5、PWM6是驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生電路，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)mosfet所需要的波形，緊接著的是兩個(gè)光耦，一般用于隔離控制部分和驅(qū)動(dòng)部分，因?yàn)樾枰?qū)動(dòng)的mosfet一般電壓都比數(shù)字邏輯部分要高，通常的數(shù)字邏輯電路電壓在5V以內(nèi)，而mosfet驅(qū)動(dòng)部分基本都在10V以上（一般mosfet的開啟電壓需要在10V以上才能完全導(dǎo)通，完全導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通電阻低，導(dǎo)通損耗就?。?然后是去耦電路部分。接下來(lái)是兩輸出mosfet/IGBT專用驅(qū)動(dòng)芯片IR2110S，其中電容C23是根據(jù)IR2110S的Datasheet需要接的。 R40/R41是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電阻，用于調(diào)節(jié)柵極導(dǎo)通關(guān)斷時(shí)間，減小mosfet被噪聲擊穿的可能。 C26、D14是自舉升壓電路，用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)mosfet。 C27是去耦電容，這個(gè)0.01uf應(yīng)該是給比較高的頻率用的，一般的電路0.1uf就夠了，推薦瓷片或鉭電容，因?yàn)殡姼行　?/section>

5，這個(gè)電路圖MOS管是怎么驅(qū)動(dòng)的

1. Q5為NMOS管，R12為限流電阻（或是偏置電阻），源漏之間的二極管為保護(hù)二極管。 2. 源極接地，電壓為0，當(dāng)柵極（即圖中右眼驅(qū)動(dòng)1）的電壓大于開啟電壓Vth（一般為0.7V）時(shí)，就可在源漏之間形成導(dǎo)電溝道，產(chǎn)生電流。 3. 柵極未加電壓（或電壓小于Vth）時(shí)，管子關(guān)閉，電阻很大，12V電壓基本全部加在管子上，R12上電壓很小，電路電流為幾乎為0；柵極電壓大于開啟電壓時(shí)，管子導(dǎo)通，電阻迅速變小，R12分得部分電壓，電路中產(chǎn)生電流。此電流大小既滿足歐姆定律（電阻電流電壓方程），也滿足薩支唐方程（管子電流電壓方程），即上下電流相同，滿足電流一致性。 4. 二極管起保護(hù)作用。當(dāng)漏源電壓較大時(shí)，在管子發(fā)生源漏穿通之前，二極管先發(fā)生反向擊穿，從而保護(hù)了管子。 5. 如果二極管為穩(wěn)壓管的話，就是用來(lái)恒定漏源電壓的，從而通過(guò)選擇穩(wěn)壓管可以設(shè)置電流的大小。此時(shí)流過(guò)R12的電流等于流過(guò)二極管的電流與流過(guò)管子的電流之和，滿足基爾霍夫電流定律，即流入節(jié)點(diǎn)的電流等于流出節(jié)點(diǎn)的電流。

6，MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理以IR2110為例

摘要：簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn)，工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。關(guān)鍵詞：小信號(hào)放大器；雙脈寬調(diào)制；懸浮驅(qū)動(dòng)；高壓大功率 0 引言現(xiàn)有的很多小信號(hào)放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構(gòu)成，其功率有限，不能把電路的功率做得很大。隨著現(xiàn)代逆變技術(shù)的逐步成熟，尤其是SPWM逆變技術(shù)，使信號(hào)波形能夠很好地在輸出端重現(xiàn)，并且可以做到高電壓，大電流，大功率。SPWM技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法有兩種，一種是采用模擬集成電路完成正弦調(diào)制波與三角波載波的比較，產(chǎn)生SPWM信號(hào)；另一種是采用數(shù)字方法。隨著應(yīng)用的深入和集成技術(shù)的發(fā)展，已商品化的專用集成電路（ASIC）和專用單片機(jī)（8X196/MC/MD/MH）以及DSP，可以使控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，集成度高。由于數(shù)字芯片一般價(jià)格比較高，所以在此采用模擬集成電路。主電路采用全橋逆變結(jié)構(gòu)，SPWM波的產(chǎn)生采用UC3637雙PWM控制芯片，并采用美國(guó)IR公司推出的高壓浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)集成模塊IR2110，從而減小了裝置的體積，降低了成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。經(jīng)本電路放大后，信號(hào)可達(dá)3kV，并保持了良好的輸出波形。 1 UC3637的原理與基本功能 UC3637的原理框圖如圖1所示。其內(nèi)部包含有一個(gè)三角波振蕩器，誤差放大器，兩個(gè)PWM比較器，輸出控制門，逐個(gè)脈沖限流比較器等。圖1 UC3637原理框圖 UC3637可單電源或雙電源工作，工作電壓范圍±（2.5～20）V，特別有利于雙極性調(diào)制；雙路PWM信號(hào)，圖騰柱輸出，供出或吸收電流能力100mA；逐個(gè)脈沖限流；內(nèi)藏線性良好的恒幅三角波振蕩器；欠壓封鎖；有溫度補(bǔ)償；2.5V閾值控制。 UC3637最具特色的是三角波振蕩器，三角波產(chǎn)生電路如圖2所示。三角波參數(shù)按式（1）及式（2）計(jì)算。 Is=（1） f=（2）式中：VTH為三角波峰值的轉(zhuǎn)折（閾值）電壓； Vs為電源電壓； RT為定時(shí)電阻； CT為定時(shí)電容； Is為恒流充電電流； f為振蕩頻率。圖2 三角波產(chǎn)生電路 UC3637具有一個(gè)高速、帶寬為1MHz、輸出低阻抗的誤差放大器，既可以作為一般的快速運(yùn)放，亦可作為反饋補(bǔ)償運(yùn)放。UC3637實(shí)現(xiàn)其主要功能的就是兩個(gè)PWM比較器，實(shí)現(xiàn)電路如圖3所示。其他還有如欠壓封鎖，2.5V閾值控制等功能，這些功能在應(yīng)用電路中也給予實(shí)現(xiàn)。圖3 PWM產(chǎn)生電路 2 IR2110的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用 IR2110的內(nèi)部功能框圖如圖4所示。它由三個(gè)部分組成：邏輯輸入，電平平移及輸出保護(hù)。圖4 IR2110內(nèi)部功能框圖 IR2110具有獨(dú)立的低端和高端輸入通道；懸浮電源采用自舉電路，其高端工作電壓可達(dá)600V，在15V下靜態(tài)功耗僅116mW；輸出的電源端（腳3Vcc，即功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓）電壓范圍10～20V；邏輯電源電壓范圍（腳9VDD）3.3～20V，可方便地與TTL或CMOS電平相匹配，而且邏輯電源地和功率地之間允許有±5V的偏移量；工作頻率高，可達(dá)100kHz；開通、關(guān)斷延遲小，分別為120ns和94ns；圖騰柱輸出峰值電流為2A。下面分析高壓側(cè)懸浮驅(qū)動(dòng)的自舉原理。 IR2110用于驅(qū)動(dòng)半橋的電路如圖5所示。圖中C1及VD1分別為自舉電容和二極管，C2為Vcc的濾波電容。假定在S1關(guān)斷期間C1已充到足夠的電壓（Vc1≈Vcc）。當(dāng)腳10（HIN）為高電平時(shí)VM1開通，VM2關(guān)斷，Vc1加到S1的門極和發(fā)射極之間，C1通過(guò)VM1，Rg1和S1柵極－發(fā)射極電容Cge1放電，Cge1被充電。此時(shí)Vc1可等效為一個(gè)電壓源。當(dāng)腳10（HIN）為低電平時(shí)，VM2開通，VM1斷開，S1柵電荷經(jīng)Rg1，VM2迅速釋放，S1關(guān)斷。經(jīng)短暫的死區(qū)時(shí)間（td）之后，腳12（LIN）為高電平,S2開通，Vcc經(jīng)VD1，S2給C1充電，迅速為C1補(bǔ)充能量。如此循環(huán)反復(fù)。圖5 IR2110用于驅(qū)動(dòng)半橋的電路 IR2110的不足是保護(hù)功能不夠及其自身不具有負(fù)偏壓。為此，給它外加了一個(gè)負(fù)偏壓電路，具體見圖6。圖6 采用IR2110驅(qū)動(dòng)電路 3 應(yīng)用UC3637和IR2110構(gòu)成控制驅(qū)動(dòng)電路圖6是IR2110構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路。由圖6可見用兩片IR2110可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)逆變?nèi)珮螂娐罚鼈兛梢怨灿猛粋€(gè)驅(qū)動(dòng)電源而不須隔離，使驅(qū)動(dòng)電路極其簡(jiǎn)化。IR2110本身不能產(chǎn)生負(fù)偏壓。由驅(qū)動(dòng)電路可見本電路在每個(gè)橋臂各加了負(fù)偏壓電路，以左半部為例，其工作過(guò)程如下：VDD上電后通過(guò)R1給C1充電，并在VW1的鉗位下形成＋5.1V電壓Vc1，當(dāng)IR2110的腳1（LO）輸出為高電平時(shí)，下管有（VDD－5.1）V的驅(qū)動(dòng)電壓，同時(shí)在下管關(guān)斷時(shí)下管的柵源之間形成一個(gè)－5.1V的偏壓；下管開通同時(shí)腳1（LO）輸出高電平通過(guò)Rg2，R2開通MOSFET讓C3進(jìn)行充電;當(dāng)IR2110的腳7（HO）輸出為高電平時(shí)，由C3放電提供上管開通電流，同時(shí)給C2充電并由VW2鉗位＋5.1V，下管關(guān)斷時(shí)Vc2即形成負(fù)偏壓。為了只用IR2110的保護(hù)功能，把腳11（SD）端接地。圖7是用UC3637產(chǎn)生PWM波的電路。由圖7可知，這是一個(gè)開環(huán)小信號(hào)放大電路，因?yàn)?，小信?hào)的電壓幅值相對(duì)三角波幅值過(guò)低，所以，小信號(hào)先經(jīng)過(guò) UC3637本身的Error運(yùn)算放大器進(jìn)行放大，使其幅值約等于三角波的幅值。本電路沒有利用UC3637做死區(qū)，而是單獨(dú)作了一個(gè)死區(qū)延時(shí)。然后把放大的信號(hào)直接和三角波進(jìn)行比較，分別在UC3637的腳4及腳7輸出反相的SPWM波，經(jīng)過(guò)死區(qū)延時(shí)電路、濾雜波電路、隔離電路送到IR2110驅(qū)動(dòng)芯片。圖7 采用UC3637的PWM產(chǎn)生電路設(shè)計(jì)電路應(yīng)注意以下問(wèn)題： 1）UC3637的RT和CT要適當(dāng)選擇，避免RT上的電流過(guò)大，損壞片子； 2）驅(qū)動(dòng)電路中C2值要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于上管的柵源極之間的極間電容值； 3）IR2110的自舉元件電容的選擇取決于開關(guān)頻率，VDD及功率MOSFET的柵源極的充電需要，二極管的耐壓值必須高于峰值電壓，其功耗應(yīng)盡可能小并能快速恢復(fù)； 4）IR2110的驅(qū)動(dòng)脈沖上升沿取決于Rg，Rg值不能過(guò)大以免使其驅(qū)動(dòng)脈沖的上升沿不陡，但也不能使驅(qū)動(dòng)均值電流過(guò)大以免損壞IR2110； 5）當(dāng)PWM產(chǎn)生電路是模擬電路時(shí)可以直接把信號(hào)接到IR2110；當(dāng)用采數(shù)字信號(hào)時(shí)要考慮隔離； 6）注意直流偏磁問(wèn)題。 4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由一個(gè)信號(hào)發(fā)生器模擬輸入，UC3637產(chǎn)生63kHz的三角波，直流母線電壓是220V。本電路分別在假性負(fù)載和壓電陶瓷負(fù)載下做實(shí)驗(yàn)，輸出端輸出很好的放大信號(hào)。圖8是在實(shí)驗(yàn)室做單頻正弦輸入信號(hào)上下功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)波形，圖9是逆變橋的輸出。圖10也是輸出波形（時(shí)間參數(shù)變化），圖11是M=0.1時(shí)帶假性負(fù)載的負(fù)載波形。圖8 上下開關(guān)管驅(qū)動(dòng)波形圖9 逆變橋輸出波形（量程所限）圖10 逆變橋輸出波形圖11 負(fù)載波形真正的信號(hào)是一個(gè)隨機(jī)的信號(hào)，負(fù)載是一個(gè)壓電換聲器，本電路在M≌1.0，變壓器變比為1∶7時(shí)，能使小信號(hào)放大到峰值3.2kV，輸出有效值能到680V，放大信號(hào)失真很小，滿足技術(shù)要求。由于高壓示波器沒有接口，而未能把負(fù)載兩端的波形拍出來(lái)。 5 結(jié)語(yǔ) 1）UC3637采用為數(shù)不多的集成電路，就可構(gòu)成一個(gè)完整的逆變控制電路，控制電路簡(jiǎn)單、實(shí)用，硬件投資不高，使用證明性能穩(wěn)定，可靠； 2）UC3637和IR2110具有很高的抗干擾性能，一片IR2110在較大功率下可安全驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT的半橋； 3）由于IR2110具有雙通道驅(qū)動(dòng)特性，且電路簡(jiǎn)單，使用方便，價(jià)格相對(duì)EXB841便宜，具有較高的性價(jià)比。