强奸久久久久久久|草草浮力在线影院|手机成人无码av|亚洲精品狼友视频|国产国模精品一区|久久成人中文字幕|超碰在线视屏免费|玖玖欧洲一区二区|欧美精品无码一区|日韩无遮一区二区

首頁(yè) > 產(chǎn)品 > 問答 > cvd工藝，太陽(yáng)能電池板的CVD工藝

cvd工藝，太陽(yáng)能電池板的CVD工藝

來源：整理 時(shí)間：2023-08-16 00:19:16 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，太陽(yáng)能電池板的CVD工藝

我只知道部分，大概有：酸洗-制熔-清洗
可以到淘寶上去看看，有各種規(guī)格的，功率越大就越貴。價(jià)錢不便宜，輸入“24伏太陽(yáng)能電池板”自己看看就知道了。

太陽(yáng)能電池板的CVD工藝

2，什么是cvd法對(duì)于mocvd它的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)是什么

搜一下：什么是cvd法？對(duì)于mocvd，它的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)是什么
微波等離子CVD法在石英玻璃上生長(zhǎng)金剛石薄膜. 在真空條件下采用氫氣刻蝕二氧化硅形成硅膜，用微波等離子化學(xué)氣相沉積法在玻璃上生長(zhǎng)金剛石薄膜，并用X射線衍射、Raman光譜和光電子能譜對(duì)石英玻璃上的金剛石薄膜進(jìn)行分析，指出其形成中間層SiO2/Si/SiC/C（金剛石）是在石英玻璃上生長(zhǎng)金剛石薄膜的關(guān)鍵。

什么是cvd法對(duì)于mocvd它的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)是什么

3，有誰(shuí)能解釋一下晶圓生產(chǎn)中CVD氣相沉積工藝

化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)是近年來國(guó)際上發(fā)展和應(yīng)用較廣的一門先進(jìn)技術(shù)，尤其在電子、半導(dǎo)體、機(jī)械、儀表、宇航等領(lǐng)域的應(yīng)用發(fā)展極其迅速。所謂化學(xué)氣相沉積（簡(jiǎn)稱CVD），就是利用化學(xué)反應(yīng)的原理，從氣相物質(zhì)中析出固相物質(zhì)沉積于工作表面形成鍍層薄膜的新工藝。通常使用的涂層有：TiC、TiN、Ti（C.N）、Gr7O3、Al2O3等。以上幾種CVD的硬質(zhì)涂層基本具備低的滑動(dòng)摩擦系數(shù)，高的抗磨能力，高的抗接觸疲勞能力，高的表面強(qiáng)度，保證表面具有足夠的尺寸穩(wěn)定性與基體之間有高的粘附強(qiáng)度。

有誰(shuí)能解釋一下晶圓生產(chǎn)中CVD氣相沉積工藝

4，PECVD制程的流程是哪幾步請(qǐng)?jiān)敿?xì)的幫我說一下謝謝

CVD 　　晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個(gè)無塵室，為何需要無塵室 　　答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 　　何謂半導(dǎo)體? 　　答：半導(dǎo)體材料的電傳特性介于良導(dǎo)體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導(dǎo)體材料是硅及鍺。半導(dǎo)體最重要的性質(zhì)之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質(zhì)并應(yīng)用電場(chǎng)來控制其之導(dǎo)電性。 　　常用的半導(dǎo)體材料為何 　　答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa) 　　何謂VLSI 　　答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路 　　在半導(dǎo)體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺 　　答：介電質(zhì)(Dielectric) 　　薄膜區(qū)機(jī)臺(tái)主要的功能為何 　　答：沉積介電質(zhì)層及金屬層 　　何謂CVD(Chemical Vapor Dep.) 　　答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學(xué)源材料在晶圓表面產(chǎn)生化學(xué)沉積的制程 　　CVD分那幾種? 　　答：PE-CVD(電漿增強(qiáng)型)及Thermal-CVD(熱耦式)

5，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬個(gè)大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長(zhǎng)小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時(shí)間內(nèi)使晶種長(zhǎng)成粒度為幾個(gè)毫米，重達(dá)幾個(gè)克拉的寶石級(jí)人造金剛石，較長(zhǎng)時(shí)間的高溫高壓使得生產(chǎn)成本昂貴，設(shè)備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當(dāng)?shù)木嚯x[9]。 1.3.2化學(xué)氣相沉積(CVD) [10]法 化學(xué)氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團(tuán)等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長(zhǎng)金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學(xué)沉積（TCVD）法，等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學(xué)氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD） 法和微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ECR-PCVD）法等。 微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，受到國(guó)內(nèi)外研究者的普邊關(guān)注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產(chǎn)生，微波能通過波導(dǎo)管傳輸?shù)匠练e生長(zhǎng)室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團(tuán)。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導(dǎo)管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長(zhǎng)室之間，襯底經(jīng)微波輻射和等離子體加熱。

6，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

一、合成方法不同1、CVD鉆石：微波等離子體化學(xué)氣相沉積法；溫度和壓力還是制造晶體的兩項(xiàng)關(guān)鍵因素，其方法是在陶瓷容器中而不是在地下制造鉆石，水壓提供高壓，電力產(chǎn)生高溫，使碳圍繞著直徑為1毫米，由自然鉆石制成的籽晶而形成晶體。2、HTHP鉆石：將天然鉆石經(jīng)高溫、高壓處理，以提升鉆石的顏色等級(jí)。通常來說，可升級(jí)至4-6個(gè)等級(jí)。不過不是每顆鉆石都能接受該技術(shù)處理，必須要是J色以上，且不含雜質(zhì)、高凈度的IIa型鉆石。二、特點(diǎn)不同1、CVD鉆石：內(nèi)含物具有不同形態(tài)合金包裹體；顏色 盡大多數(shù)合成鉆石呈黃色、渴黃色（大多數(shù)）具沙漏狀色帶；而自然鉆石為無色、淺黃及其它顏色。2、HTHP鉆石：經(jīng)過HPHT處理的鉆石也有可能顏色加深或改變，成為彩鉆級(jí)別；在處理時(shí)，無法預(yù)測(cè)其結(jié)果。也就是說，不能確定可以提升到什么等級(jí)。擴(kuò)展資料：CVD鉆石微波等離子體化學(xué)氣相沉積法介紹：1、在基座上放置鉆石襯底（種晶），并將空腔內(nèi)的壓強(qiáng)降到0.1個(gè)大氣壓；2、在空腔內(nèi)注入甲烷氣體和氫氣，并用微波束加熱形成等離子體；3、碳原子在鉆石襯底上沉積；4、種晶像微小的鉆石磚塊一樣生長(zhǎng)（長(zhǎng)成方形，Elpha注），一天能生長(zhǎng)0.5個(gè)毫米；5、打開空腔，取出鉆石磚塊，切成薄片作為半導(dǎo)體或者切割拋光成寶石級(jí)鉆石。參考資料來源：百度百科-HTHP鉆石百度百科-CVD鉆石
高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬個(gè)大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長(zhǎng)小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時(shí)間內(nèi)使晶種長(zhǎng)成粒度為幾個(gè)毫米，重達(dá)幾個(gè)克拉的寶石級(jí)人造金剛石，較長(zhǎng)時(shí)間的高溫高壓使得生產(chǎn)成本昂貴，設(shè)備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當(dāng)?shù)木嚯x[9]。1.3.2化學(xué)氣相沉積(CVD) [10]法化學(xué)氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團(tuán)等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長(zhǎng)金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學(xué)沉積（TCVD）法，等離子體化學(xué)氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學(xué)氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學(xué)氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學(xué)氣相沉積（RF-PCVD） 法和微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（ECR-PCVD）法等。微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，受到國(guó)內(nèi)外研究者的普邊關(guān)注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產(chǎn)生，微波能通過波導(dǎo)管傳輸?shù)匠练e生長(zhǎng)室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團(tuán)。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導(dǎo)管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長(zhǎng)室之間，襯底經(jīng)微波輻射和等離子體加熱。
hpht合成鉆石大多為ⅰb型，cvd合成鉆石都是ⅱ型的。問這么專業(yè)的問題...我也給你專業(yè)的回答，希望對(duì)你有幫助。
文章TAG：工藝太陽(yáng)太陽(yáng)能太陽(yáng)能電池cvd工藝

最近更新