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cvd工藝，太陽能電池板的CVD工藝

來源：整理 時間：2023-08-16 00:19:16 編輯：智能門戶 手機版

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1，太陽能電池板的CVD工藝

我只知道部分，大概有：酸洗-制熔-清洗
可以到淘寶上去看看，有各種規(guī)格的，功率越大就越貴。價錢不便宜，輸入“24伏太陽能電池板”自己看看就知道了。

太陽能電池板的CVD工藝

2，什么是cvd法對于mocvd它的優(yōu)點和缺點是什么

搜一下：什么是cvd法？對于mocvd，它的優(yōu)點和缺點是什么
微波等離子CVD法在石英玻璃上生長金剛石薄膜. 在真空條件下采用氫氣刻蝕二氧化硅形成硅膜，用微波等離子化學氣相沉積法在玻璃上生長金剛石薄膜，并用X射線衍射、Raman光譜和光電子能譜對石英玻璃上的金剛石薄膜進行分析，指出其形成中間層SiO2/Si/SiC/C（金剛石）是在石英玻璃上生長金剛石薄膜的關鍵。

什么是cvd法對于mocvd它的優(yōu)點和缺點是什么

3，有誰能解釋一下晶圓生產中CVD氣相沉積工藝

化學氣相沉積（CVD）技術是近年來國際上發(fā)展和應用較廣的一門先進技術，尤其在電子、半導體、機械、儀表、宇航等領域的應用發(fā)展極其迅速。所謂化學氣相沉積（簡稱CVD），就是利用化學反應的原理，從氣相物質中析出固相物質沉積于工作表面形成鍍層薄膜的新工藝。通常使用的涂層有：TiC、TiN、Ti（C.N）、Gr7O3、Al2O3等。以上幾種CVD的硬質涂層基本具備低的滑動摩擦系數，高的抗磨能力，高的抗接觸疲勞能力，高的表面強度，保證表面具有足夠的尺寸穩(wěn)定性與基體之間有高的粘附強度。

有誰能解釋一下晶圓生產中CVD氣相沉積工藝

4，PECVD制程的流程是哪幾步請詳細的幫我說一下謝謝

CVD 　　晶圓制造廠非常昂貴的原因之一，是需要一個無塵室，為何需要無塵室 　　答：由于微小的粒子就能引起電子組件與電路的缺陷 　　何謂半導體? 　　答：半導體材料的電傳特性介于良導體如金屬(銅、鋁，以及鎢等)和絕緣和橡膠、塑料與干木頭之間。最常用的半導體材料是硅及鍺。半導體最重要的性質之一就是能夠藉由一種叫做摻雜的步驟刻意加入某種雜質并應用電場來控制其之導電性。 　　常用的半導體材料為何 　　答：硅(Si)、鍺(Ge)和砷化家(AsGa) 　　何謂VLSI 　　答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大規(guī)模集成電路 　　在半導體工業(yè)中，作為絕緣層材料通常稱什幺 　　答：介電質(Dielectric) 　　薄膜區(qū)機臺主要的功能為何 　　答：沉積介電質層及金屬層 　　何謂CVD(Chemical Vapor Dep.) 　　答：CVD是一種利用氣態(tài)的化學源材料在晶圓表面產生化學沉積的制程 　　CVD分那幾種? 　　答：PE-CVD(電漿增強型)及Thermal-CVD(熱耦式)

5，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬個大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時間內使晶種長成粒度為幾個毫米，重達幾個克拉的寶石級人造金剛石，較長時間的高溫高壓使得生產成本昂貴，設備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當的距離[9]。 1.3.2化學氣相沉積(CVD) [10]法 化學氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學沉積（TCVD）法，等離子體化學氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學氣相沉積（RF-PCVD） 法和微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積（ECR-PCVD）法等。 微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應性強等優(yōu)點，受到國內外研究者的普邊關注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產生，微波能通過波導管傳輸到沉積生長室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長室之間，襯底經微波輻射和等離子體加熱。

6，CVD法和HTHP法合成鉆石的區(qū)別是什么

一、合成方法不同1、CVD鉆石：微波等離子體化學氣相沉積法；溫度和壓力還是制造晶體的兩項關鍵因素，其方法是在陶瓷容器中而不是在地下制造鉆石，水壓提供高壓，電力產生高溫，使碳圍繞著直徑為1毫米，由自然鉆石制成的籽晶而形成晶體。2、HTHP鉆石：將天然鉆石經高溫、高壓處理，以提升鉆石的顏色等級。通常來說，可升級至4-6個等級。不過不是每顆鉆石都能接受該技術處理，必須要是J色以上，且不含雜質、高凈度的IIa型鉆石。二、特點不同1、CVD鉆石：內含物具有不同形態(tài)合金包裹體；顏色 盡大多數合成鉆石呈黃色、渴黃色（大多數）具沙漏狀色帶；而自然鉆石為無色、淺黃及其它顏色。2、HTHP鉆石：經過HPHT處理的鉆石也有可能顏色加深或改變，成為彩鉆級別；在處理時，無法預測其結果。也就是說，不能確定可以提升到什么等級。擴展資料：CVD鉆石微波等離子體化學氣相沉積法介紹：1、在基座上放置鉆石襯底（種晶），并將空腔內的壓強降到0.1個大氣壓；2、在空腔內注入甲烷氣體和氫氣，并用微波束加熱形成等離子體；3、碳原子在鉆石襯底上沉積；4、種晶像微小的鉆石磚塊一樣生長（長成方形，Elpha注），一天能生長0.5個毫米；5、打開空腔，取出鉆石磚塊，切成薄片作為半導體或者切割拋光成寶石級鉆石。參考資料來源：百度百科-HTHP鉆石百度百科-CVD鉆石
高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬個大氣壓下可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時間內使晶種長成粒度為幾個毫米，重達幾個克拉的寶石級人造金剛石，較長時間的高溫高壓使得生產成本昂貴，設備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當的距離[9]。1.3.2化學氣相沉積(CVD) [10]法化學氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學沉積（TCVD）法，等離子體化學氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學氣相沉積（RF-PCVD） 法和微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積（ECR-PCVD）法等。微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應性強等優(yōu)點，受到國內外研究者的普邊關注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產生，微波能通過波導管傳輸到沉積生長室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長室之間，襯底經微波輻射和等離子體加熱。
hpht合成鉆石大多為ⅰb型，cvd合成鉆石都是ⅱ型的。問這么專業(yè)的問題...我也給你專業(yè)的回答，希望對你有幫助。
文章TAG：工藝太陽太陽能太陽能電池cvd工藝

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