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NICHIA，nichia日亞led燈有誰在代理嗎

來源：整理 時間：2023-08-17 00:49:00 編輯：智能門戶 手機版

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1，nichia日亞led燈有誰在代理嗎

日亞沒有代理，都是原廠直供
現(xiàn)在國內(nèi)的led生產(chǎn)和抽制程都相差不大,只要有一定的生產(chǎn)規(guī)模的企業(yè)都 可以達到你所做的產(chǎn)品要求,現(xiàn)在唯不能解決的是led專利問題，還是被大公司如科瑞，日亞，豐田合成等占有，到12年以后就是專利的竟爭。

nichia日亞led燈有誰在代理嗎

2，Nichia與Cree芯片在性能上有何區(qū)別區(qū)別在哪里

,NICHIA 日亞化學，著名LED芯片制造商，日本公司，成立于1956年，開發(fā)出世界第一顆藍色LED(1993年) ,世界第一顆純綠LED(1995年),在世界各地建有子公司。 2,CREE 著名LED芯片制造商，美國公司，產(chǎn)品以碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN),硅(Si)及相關(guān)的化合物為基礎,包括藍,綠,紫外發(fā)光二極管(LED),近紫外激光,射頻(RF)及微波器件,功率開關(guān)器件及適用于生產(chǎn)及科研的碳化硅(SiC)晶圓片
你好！一個是日本的，一個是美國的如有疑問，請追問。

Nichia與Cree芯片在性能上有何區(qū)別區(qū)別在哪里

3，藍光 是SONY的專利技術(shù)嗎

藍光不是SONY的專利，是SONY和幾家公司一起研制的。
是，和UMD一樣，所以PS3破解才這么難
不是，藍光（Blu－ray）或稱藍光盤（Blu－ray Disc，縮寫為BD）利用波長較短（405nm）的藍色激光讀取和寫入數(shù)據(jù)，并因此而得名。而傳統(tǒng)DVD需要光頭發(fā)出紅色激光（波長為650nm）來讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)，通常來說波長越短的激光，能夠在單位面積上記錄或讀取更多的信息。因此，藍光極大地提高了光盤的存儲容量，對于光存儲產(chǎn)品來說，藍光提供了一個跳躍式發(fā)展的機會。 　　目前為止，藍光是最先進的大容量光碟格式，BD激光技術(shù)的巨大進步，使你能夠在一張單碟上存儲25GB的文檔文件。這是現(xiàn)有（單碟）DVDs的5倍。在速度上，藍光允許1到2倍或者說每秒4.5至9兆的記錄速度。 　　藍光光碟擁有一個異常堅固的層面，可以保護光碟里面重要的記錄層。飛利浦的藍光光盤采用高級真空連結(jié)技術(shù)，形成了厚度統(tǒng)一的100μm的安全層。飛利浦藍光光碟可以經(jīng)受住頻繁的使用、指紋、抓痕和污垢，以此保證藍光產(chǎn)品的存儲質(zhì)量數(shù)據(jù)安全。 　　在技術(shù)上，藍光刻錄機系統(tǒng)可以兼容此前出現(xiàn)的各種光盤產(chǎn)品。藍光產(chǎn)品的巨大容量為高清電影、游戲和大容量數(shù)據(jù)存儲帶來了可能和方便。將在很大程度上促進高清娛樂的發(fā)展。目前，藍光技術(shù)也得到了世界上170多家大的游戲公司、電影公司、消費電子和家用電腦制造商的支持。八家主要電影公司中的七家：迪斯尼、?？怂?、派拉蒙、華納、索尼、米高梅、 獅子門的支持。 　　當前流行的DVD技術(shù)采用波長為650nm的紅色激光和數(shù)字光圈為0.6的聚焦鏡頭，盤片厚度為0.6mm。而藍光DVD技術(shù)采用波長為450nm的藍紫色激光，通過廣角鏡頭上比率為0.85的數(shù)字光圈，成功地將聚焦的光點尺寸縮得極小程度。此外，藍光DVD的盤片結(jié)構(gòu)中采用了0.1mm厚的光學透明保護層，以減少盤片在轉(zhuǎn)動過程中由于傾斜而造成的讀寫失常，這使得盤片數(shù)據(jù)的讀取更加容易，并為極大地提高存儲密度提供了可能。 　　藍光DVD盤片的軌道間距減小至 0.32mm，僅僅是當前紅光DVD盤片的一半; 而其記錄單元——凹槽（或化學物質(zhì)相變單元）的最小直徑是0.14mm，也遠比紅光DVD盤片的0.4mm凹槽小得多。藍光DVD單面單層盤片的存儲容量被定義為23.3GB、25GB和27GB，其中最高容量（27GB）是當前紅光DVD單面單層盤片容量（4.7GB）的近6倍，這足以存儲超過2小時播放時間的高清晰度數(shù)字視頻內(nèi)容，或超過13小時播放時間的標準電視節(jié)目（VHS制式圖像質(zhì)量，3.8MB/s）。這僅僅是單面單層實現(xiàn)的容量，就像傳統(tǒng)的紅光DVD盤片一樣，藍光DVD同樣還可以做成單面雙層、雙面雙層。例如Matsushita和Hitachi已經(jīng)展示了容量約為50GB的雙層藍光 DVD盤片，并力爭在2002年年底將這一規(guī)格補寫進藍光DVD的技術(shù)標準當中。 　　被提議的藍光DVD格式具有36MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，并且采用MPEG-2作為流媒體的壓縮方式，以與全球的數(shù)字廣播標準保持兼容。然而，藍光DVD格式本身與現(xiàn)存的紅光DVD格式并不兼容，因此一些發(fā)起者還在積極倡議藍光DVD系統(tǒng)應該在某些方面與傳統(tǒng)的DVD保持兼容，以更加順利地得以普及；這一倡議能否實現(xiàn)，有望在2003年見分曉。 　　藍光DVD的發(fā)起，除了被希望用以結(jié)束可擦寫DVD標準之爭的局面之外，其更強大的市場推動力很可能是高清晰度數(shù)字電視（HDTV）業(yè)務在全球范圍內(nèi)的陸續(xù)啟動（例如美國將在2003年先開通HDTV的陸基有線網(wǎng)，中國也確立了幾年內(nèi)HDTV逐漸全面取代傳統(tǒng)電視網(wǎng)的計劃）。實際上，用藍色激光波段取代紅色激光的存儲技術(shù)，并非由DVD論壇的主要成員所研發(fā)，而是由日本的Nichia和 Toyoda Gosai這兩家公司獲得專利。據(jù)IDG的相關(guān)報道，這兩家公司為了爭奪藍光存儲技術(shù)上的專利問題，持續(xù)了長達6年之久的爭議和訴訟，延緩了該技術(shù)的發(fā)展和應用。不過，2002年8月中旬，這一爭執(zhí)最終達成和解，兩家廠商采取和談與合作的方式開始向其他廠商提供技術(shù)授權(quán)，從而掃清了藍光DVD技術(shù)在發(fā)展過程中的一大障礙，使早已蓄謀研發(fā)藍光DVD存儲系統(tǒng)的各廠商笑顏綻開。

藍光 是SONY的專利技術(shù)嗎

4，LED芯片國內(nèi)哪家的好

還有華燦 德豪潤達 浪潮華光 很多的
臺灣、大陸、國外芯片廠 名單 總匯 臺灣led芯片廠商：晶元光電（epistar）簡稱：es、（聯(lián)詮、元坤，連勇，國聯(lián)），廣鎵光電（huga），新世紀（genesis photonics），華上（arima optoelectronics）簡稱：aoc，泰谷光電（tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發(fā)，視創(chuàng)，洲磊，聯(lián)勝（hpo），漢光（hl），光磊（ed），鼎元（tyntek）簡稱：tk，曜富洲技tc，燦圓（formosa epitaxy），國通，聯(lián)鼎，全新光電（vpec）等。 華興（ledtech electronics）、東貝（unity opto technology）、光鼎（para light electronics）、億光（everlight electronics）、佰鴻（bright led electronics）、今臺（kingbright）、菱生精密（lingsen precision industries）、立基（ligitek electronics）、光寶（lite-on technology）、宏齊(harvatek)等。 大陸led芯片廠商：三安光電簡稱（s）、上海藍光（epilight）簡稱（e）、士蘭明芯（sl）、大連路美簡稱（lm）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。 國外led芯片廠商：cree，惠普（hp），日亞化學（nichia），豐田合成，大洋日酸，東芝、昭和電工（sdk），lumileds，旭明（smileds），genelite，歐司朗（osram），gelcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（epivalley）等。 1,cree 著名led芯片制造商，美國cree公司，產(chǎn)品以碳化硅(sic)，氮化鎵(gan),硅(si)及相關(guān)的化合物為基礎,包括藍,綠,紫外發(fā)光二極管(led),近紫外激光,射頻(rf)及微波器件,功率開關(guān)器件及適用于生產(chǎn)及科研的碳化硅(sic)外延片。 2,osram osram是世界第二大光電半導體制造商，產(chǎn)品有照明，傳感器，和影像處理器。公司總部位于德國，研發(fā)和制造基地在馬來西亞，約有3400名員工，2004年銷售額為45.9億歐元。 osram最出名的產(chǎn)品是led，長度僅幾個毫米，有多種顏色，低功耗，壽命長 3,nichia 日亞化學，著名led芯片制造商，日本公司，成立于1956年，開發(fā)出世界第一顆藍色led(1993年),世界第一顆純綠led(1995年),在世界各地建有子公司。 4,toyodagosei toyodagosei豐田合成，總部位于日本愛知，生產(chǎn)汽車部件和led，led約占收入10%, 豐田合成與東芝所共同開發(fā)的白光led，是采用紫外光led與螢光體組合的方式，與一般藍光led與螢光體組合的方式不同。 5,agilent 作為世界領先的led供應商，其產(chǎn)品為汽車、電子信息板及交通訊號燈、工業(yè)設備、蜂窩電話及消費產(chǎn)品等為數(shù)眾多的產(chǎn)品提供高效、可靠的光源。這些元件的高可靠性通?？杀ＷC在設備使用壽命期間不用再更換光源。安捷倫低成本的點陣led顯示器、品種繁多的七段碼顯示器及安捷倫led光條系列產(chǎn)品都有多種封裝及顏色供選擇。 6,toshiba 東芝半導體是汽車用led的主要供貨商，特別是儀表盤背光，車子電臺，導航系統(tǒng)，氣候控制等單元。使用的技術(shù)是ingaalp，波長從560nm（puregreen）到630nm（red）。近期，東芝開發(fā)了新技術(shù)uv+phosphor（紫外+熒光），led芯片可發(fā)出紫外線，激發(fā)熒光粉后組合發(fā)出各種光，如白光，粉紅，青綠等光。 7,lumileds lumiledslighting是全球大功率led和固體照明的領導廠商，其產(chǎn)品廣泛用于照明，電視，交通信號和通用照明，luxeonpowerlightsources是其專利產(chǎn)品，結(jié)合了傳統(tǒng)燈具和led的小尺寸，長壽命的特點。還提供各種led晶片和led封裝，有紅，綠，藍，琥珀，白等led。 lumiledslighting總部在美國，工廠位于荷蘭，日本，馬來西亞，由安捷倫和飛利浦合資組建于1999年，2005年飛利浦完全收購了該公司。 8,ssc 首爾半導體乃韓國最大的led環(huán)保照明技術(shù)生產(chǎn)商，并且是全球八大生產(chǎn)商之一(資料來源：strategiesunlimited--led市場研究公司)。 首爾半導體的主要業(yè)務乃生產(chǎn)全線led組裝及定制模組產(chǎn)品，包括采用交流電驅(qū)動的半導體光源產(chǎn)品如：acriche、側(cè)光led、頂光led、切片led、插件led及食人魚(超強光)led等。產(chǎn)品已廣泛應用于一般照明、顯示屏照明、移動電話背光源、電視、手提電腦、汽車照明、家居用品及交通訊號等范疇之中。

5，關(guān)于丸竹夷

★日文歌詞： まる たけ えびす に おし おいけ あね さん ろっかく たこ にしき し あや ぶっ たか まつ まん ごじょう せった ちゃらちゃら うおのたな ろくじょう ひっちょう とおりすぎ はちじょうこえれば とうじみち くじょうおおじで とどめさす ★中文歌詞： 丸 竹 夷 二 押 御池 姐 三 六角 蛸 錦 四 綾 佛 高 松 萬 五條 行囊 錢 聲 魚之棚 通過了六條七條 過了八條就是東寺路 九條大路連成片 ★羅馬發(fā)音： ma ru ta ke e bi su ni o shi o i ke a ne sa n roっ ka ku ta ko ni shi ki shi a ya buっ ta ka ma tsu ma n go jo ji se ta cha chi cha chi u o no ta na ro ku jo jia hiっ cho chia to o ri su gi ha chi jo ji ko e re ba to u ji mi chi ku jo ji o o ji de to do me sa su 用地名解釋起來就是： 丸太町、竹屋町、夷川、二條、押小路、御池 姐小路、三條、六角、蛸藥師、錦小路 四條、綾小路、佛光寺、高辻、松原、萬壽寺、五條 雪肽屋町（現(xiàn)在的楊梅）、鍵屋町、魚之棚 六條、七條、八條、九條、十條 這首老的童謠的地名是從北到南，一行是一條從西到東的大路所包含的地名，這樣的大路有十條。（京都的地圖看上去好像一個大方格被割裂成很多的小方格，路都是筆直的）
《迷宮的十字路口》中的皮球歌《丸竹夷》 這是在柯南劇場版中出現(xiàn)的皮球歌（即小孩在拍皮球是唱的歌）《丸竹夷》，講的是京都的地名，據(jù)說京都人都是用這首童謠記地名的。 羅馬音歌詞： 丸 竹 夷 二 押 御池 maru take ebisu ni ou oike （まる たけ えびす に おし おいけ） ( maru take ebisu ni oshi oike ) 姉 三 六角 蛸 錦 ane san rokkaku tako nishiki （あね さん ろっかく たこ にしき） ( ane san rokkaku tako nishiki ) 四 綾 仏 高 松 萬 五條 shi aya hotoke taka matsu man gojou （し あや ぶっ たか まつ まん ごじょう） ( shi aya butsu taka matsu man gojou ) 雪駄 ちゃらちゃら 魚の棚 yuki da charachara sakana no tana （せった ちゃらちゃら うおのたな） ( setta charachara uonotana ) 六條 七條 とおりすぎ roku jou nanajou toorisugi （ろくじょう ひっちょう とおりすぎ） ( rokujou hicchou toorisugi ) 八條こえれば 東寺道 hachijou koereba touji michi （はちじょうこえれば とうじみち） ( hachijoukoereba toujimichi ) 九條大路で とどめさす kyuujou ooji de todomesasu （くじょうおおじで とどめさす） ( kujouoojide todomesasu ) 中文翻譯： 丸 竹 夷 二 押 御池 姐 三 六角 蛸 錦 四 綾 佛 高 松 萬 五條 行囊 錢 聲 魚之棚 通過了六條七條 過了八條就是東寺路 九條大路連成片 這首是明治以后，為了使機動車能夠通行而重新規(guī)劃修整之后新的歌詞。 丸 竹 夷 二 押 御池 maru take ebisu ni ou oike （まる たけ えべす に おし おいけ） ( maru take ebesu ni oshi oike ) 姉 三 六角 蛸 錦 ane san rokkaku tako nishiki （あね さん ろっかく たこ にしき） ( ane san rokkaku tako nishiki ) 四 綾 仏 高 松 萬 五條 shi aya hotoke taka matsu man gojou （し あや ぶっ たか まつ まん ごじょう） ( shi aya butsu taka matsu man gojou ) 雪駄 ちゃらちゃら 魚の棚 yuki da charachara sakana no tana （せった ちゃらちゃら うおのたな） ( setta charachara uonotana ) 六條 三哲 とおりすぎ roku jou san satoshi toorisugi （ろくじょう さんてつ とおりすぎ） ( rokujou santetsu toorisugi ) 七條こえれば 八?九條 nanajou koereba hachi . kyuujou （ひちじょうこえれば はちくじょう） ( hichijoukoereba hachikujou ) 十條 東寺で とどめさす juu jou touji de todomesasu （じゅうじょうとうじで とどめさす） ( juujoutoujide todomesasu ) 中文翻譯： 丸竹夷二押御池 姐三六角蛸錦 四綾佛高松萬五條 行囊錢聲魚之棚 通過了六條三哲 過了七條就是八九條 直到十條東寺為止 用地名解釋起來就是： 丸太町、竹屋町、夷川、二條、押小路、御池 姐小路、三條、六角、蛸藥師、錦小路 四條、綾小路、佛光寺、高辻、松原、萬壽寺、五條 雪肽屋町（現(xiàn)在的楊梅）、鍵屋町、魚之棚 六條 七條、八條、九條 十條 這首老的童謠的地名是從北到南，一行是一條從西到東的大路所包含的地名，這樣的大路有十條。（京都的地圖看上去好像一個大方格被割裂成很多的小方格，路都是筆直的） 歌中的“ちゃらちゃら”似乎是指的是鍵屋町大街和錢屋町大街(現(xiàn)在已經(jīng)消失)的“鍵”或 “錢”字的發(fā)音。

6，氮化鎵的材料應用

GaN材料系列是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產(chǎn)階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標志的LED發(fā)展歷程見圖3。藍色發(fā)光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)商品化，現(xiàn)在世界各大公司和研究機構(gòu)都紛紛投入巨資加入到開發(fā)藍光LED的競爭行列。1993年，Nichia公司首先研制成發(fā)光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質(zhì)結(jié)藍光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達到2.7%,峰值波長450nm,并實現(xiàn)產(chǎn)品的商品化。1995年，該公司又推出了光輸出功率為2.0mW，亮度為6cd商品化GaN綠光 LED產(chǎn)品，其峰值波長為525nm，半峰寬為40nm。最近，該公司利用其藍光LED和磷光技術(shù)，又推出了白光固體發(fā)光器件產(chǎn)品，其色溫為6500K，效率達7.5流明/W。除Nichia公司以外，HP、Cree等公司相繼推出了各自的高亮度藍光LED產(chǎn)品。高亮度LED的市場預計將從1998年的 3.86億美元躍升為2003年的10億美元。高亮度LED的應用主要包括汽車照明，交通信號和室外路標，平板金色顯示，高密度DVD存儲，藍綠光對潛通信等。在成功開發(fā)Ⅲ族氮化物藍光LED之后，研究的重點開始轉(zhuǎn)向Ⅲ族氮化物藍光LED器件的開發(fā)。藍光LED在光控測和信息的高密度光存儲等領域具有廣闊的應用前景。目前Nichia公司在GaN藍光LED領域居世界領先地位，其GaN藍光LED室溫下2mW連續(xù)工作的壽命突破10000小時。HP公司以藍寶石為襯底，研制成功光脊波導折射率導引GaInN/AlGaN多量子阱藍光LED。Cree公司和Fujitsu公司采用SiC作為襯底材料，開發(fā)Ⅲ 族氮化物藍光LED，CreeResearch公司首家報道了SiC上制作的CWRT藍光激光器，該激光器彩霞的是橫向器件結(jié)構(gòu)。富士通繼Nichia，CreeResearch和索尼等公司之后，宣布研制成了InGaN藍光激光器，該激光器可在室溫下CW應用，其結(jié)構(gòu)是在SiC襯底上生長的，并且采用了垂直傳導結(jié)構(gòu)（P型和n型接觸分別制作在晶片的頂面和背面），這是首次報道的垂直器件結(jié)構(gòu)的CW藍光激光器。在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、導彈預警等方面有重要應用。 對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質(zhì)外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發(fā)LED的 7年規(guī)劃，其目標是到2005年研制密封在熒光管內(nèi)、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED，這種白色LED的功耗僅為白熾燈的1/8，是熒光燈的1/2, 其壽命是傳統(tǒng)熒光燈的50倍～100倍。這證明GaN材料的研制工作已取相當成功，并進入了實用化階段。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN 雙質(zhì)結(jié)LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相繼開發(fā)成功。InGaNSQWLED6cd高亮度純綠茶色、2cd高亮度藍色 LED已制作出來，今后，與AlGaP、AlGaAs系紅色LED組合形成亮亮度全色顯示就可實現(xiàn)。這樣三原色混成的白色光光源也打開新的應用領域,以高可靠、長壽命LED為特征的時代就會到來。日光燈和電燈泡都將會被LED所替代。LED將成為主導產(chǎn)品，GaN晶體管也將隨材料生長和器件工藝的發(fā)展而迅猛發(fā)展，成為新一代高溫度頻大功率器件。
gan材料的生長是在高溫下，通過tmga分解出的ga與nh3的化學反應實現(xiàn)的，其可逆的反應方程式為：ga+nh3=gan+3/2h2生長gan需要一定的生長溫度，且需要一定的nh3分壓。人們通常采用的方法有常規(guī)mocvd(包括apmocvd、lpmocvd)、等離子體增強mocvd（pe—mocvd）和電子回旋共振輔助mbe等。所需的溫度和nh3分壓依次減少。本工作采用的設備是ap—mocvd，反應器為臥式，并經(jīng)過特殊設計改裝。用國產(chǎn)的高純tmga及nh3作為源程序材料，用dezn作為p型摻雜源，用（0001）藍寶石與（111）硅作為襯底采用高頻感應加熱，以低阻硅作為發(fā)熱體，用高純h2作為mo源的攜帶氣體。用高純n2作為生長區(qū)的調(diào)節(jié)。用hall測量、雙晶衍射以及室溫pl光譜作為gan的質(zhì)量表征。要想生長出完美的gan，存在兩個關(guān)鍵性問題，一是如何能避免nh3和tmga的強烈寄生反應，使兩反應物比較完全地沉積于藍寶石和si襯底上，二是怎樣生長完美的單晶。為了實現(xiàn)第一個目的，設計了多種氣流模型和多種形式的反應器，最后終于摸索出獨特的反應器結(jié)構(gòu)，通過調(diào)節(jié)器tmga管道與襯底的距離，在襯底上生長出了gan。同時為了確保gan的質(zhì)量及重復性，采用硅基座作為加熱體，防止了高溫下nh3和石墨在高溫下的劇烈反應。對于第二個問題，采用常規(guī)兩步生長法，經(jīng)過高溫處理的藍寶石材料，在550℃，首先生長250a0左右的gan緩沖層，而后在1050℃生長完美的gan單晶材料。對于 si襯底上生長gan單晶，首先在1150℃生長aln緩沖層，而后生長gan結(jié)晶。生長該材料的典型條件如下：nh3：3l/mintmga：20μmol/minv/ⅲ=6500n2：3～4l/minh2：2<1l/min人們普遍采用mg作為摻雜劑生長p型gan，然而將材料生長完畢后要在800℃左右和在n2的氣氛下進行高溫退火，才能實現(xiàn)p型摻雜。本實驗采用 zn作摻雜劑，dez2n/tmga=0.15，生長溫度為950℃，將高溫生長的gan單晶隨爐降溫，zn具有p型摻雜的能力，因此在本征濃度較低時，可望實現(xiàn)p型摻雜。但是，mocvd使用的ga源是tmga，也有副反應物產(chǎn)生，對gan膜生長有害，而且，高溫下生長，雖然對膜生長有好處，但也容易造成擴散和多相膜的相分離。中村等人改進了mocvd裝置，他們首先使用了two—flowmocvd（雙束流mocvd）技術(shù)，并應用此法作了大量的研究工作，取得成功。雙束流mocvd生長示意圖如圖1所示。反應器中由一個h2+nh3+tmga組成的主氣流，它以高速通過石英噴平行于襯底通入，另一路由h2+n2 形成輔氣流垂直噴向襯底表面，目的是改變主氣流的方向，使反應劑與襯底表面很好接觸。用這種方法直接在α—al2o3基板（c面）生長的gan膜，電子載流子濃度為1×1018/cm3，遷移率為200cm2/v·s，這是直接生長gan膜的最好值。
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    【問答】 日期：2023-08-17

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    【問答】 日期：2023-08-16

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    【問答】 日期：2023-08-16

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    【問答】 日期：2023-08-16

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    【問答】 日期：2023-08-16