福利一区二区在线播放视频,成人网站,色图色视频在线播放。国产精品久久久久久久久久鸭下载 ,亚洲色图精品一区二区三区

本文目錄一覽

1，主板和顯卡的mos管有什么用
2，mos管的優(yōu)缺點(diǎn)
3，mos管是敢什么用的啊1
4，什么是MOS場(chǎng)效應(yīng)管
5，MOS管是什么
6，線路板上的mos管是什么

1，主板和顯卡的mos管有什么用

MOS管的導(dǎo)熱性能比較好，通常是用來(lái)轉(zhuǎn)移熱量（注意理解），以利于轉(zhuǎn)移散熱或者加大散熱面積。一般來(lái)說(shuō)導(dǎo)管散熱效率比沒(méi)有導(dǎo)管散熱的要高，而且鑒于其成本不低，也只有中端或以上硬件才配置MOS管。

主板和顯卡的mos管有什么用

2，mos管的優(yōu)缺點(diǎn)

MOS管優(yōu)點(diǎn)：1、電壓控制；控制方式比較方便。2、體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)。3、輸入電阻高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗干擾能力強(qiáng)，功耗低。缺點(diǎn)：1、熟悉的人比較少；（相比三極管而言）。2、對(duì)靜電比較敏感，容易被靜電擊穿。

mos管的優(yōu)缺點(diǎn)

3，mos管是敢什么用的啊1

mos管是給主板上的芯片供電的

一般正面對(duì)你，（散熱片為背面）左起為GDS。拿萬(wàn)用表量的話，S到D為正向二極管，拿電阻檔量約為500K，二極管檔量為0.4V。另外用電阻檔量GS后，（紅表筆接G，黑表筆接S）DS會(huì)通。即接兩邊兩腳后，中間腳和另一腳會(huì)通

mos管是敢什么用的啊1

4，什么是MOS場(chǎng)效應(yīng)管

金融-氧化物-半導(dǎo)體

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。　　MOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特點(diǎn)：　　在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。

5，MOS管是什么

MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過(guò)正向電流，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的。MOS管的輸入電阻極大，兆歐級(jí)的，容易驅(qū)動(dòng)，但是價(jià)格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場(chǎng)效應(yīng)管。拓展資料：MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。

mos管是什么東西呢

MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過(guò)正向電流，反向截止，不能控制，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流，MOS管是小電壓控制電流的，MOS管的輸入電阻極大，兆歐級(jí)的，容易驅(qū)動(dòng)，但是價(jià)格比三極管要高，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場(chǎng)效應(yīng)管。

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓Mos管。場(chǎng)效應(yīng)管的名字也來(lái)源于它的輸入端（稱為gate）通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

6，線路板上的mos管是什么

防熱作用，避免點(diǎn)和點(diǎn)之間的熱，會(huì)引起燃燒

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比?！　?chǎng)效應(yīng)管的名字也來(lái)源于它的輸入端（稱為gate）通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管?！　∈紫瓤疾煲粋€(gè)更簡(jiǎn)單的器件－MOS電容－能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過(guò)把backgate接地，gate接不同的電壓來(lái)說(shuō)明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來(lái)，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小?！　‘?dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過(guò)GATE DIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來(lái)。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過(guò)剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。當(dāng)電壓差超過(guò)閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了?！　OS電容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG＝3V），（C）積累（VBG＝-3V）?！　≈惺钱?dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于backgate是負(fù)電壓時(shí)的情況。電場(chǎng)反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個(gè)器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了?！　OS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain?？偟膩?lái)說(shuō)，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流?！　OS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。在對(duì)稱的MOS管中，對(duì)soure和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色。這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source?！　ource和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管。制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的最終結(jié)果都是一樣的。一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source。如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了?！　【w管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒(méi)有channel形成。如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)。一個(gè)工程師可能說(shuō)，“PMOS Vt從0.6V上升到0.7V”，實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。