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mosfet，mofset管是什么

來源：整理 時間：2023-08-14 16:36:44 編輯：智能門戶 手機版

本文目錄一覽

1，mofset管是什么

是MOSFET 全稱是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

mofset管是什么

2，BJTJFETMOSFET全名是什么

BJT：雙極型結(jié)型晶體管JFET：單極型結(jié)型場效應(yīng)晶體管MOSFET：單極型絕緣柵型場效應(yīng)晶體管
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BJTJFETMOSFET全名是什么

3，MOSFET在開關(guān)電源中起什么作用

開關(guān)電源的原理就是將工頻交流變成直流，再將直流變換成高頻交流，通過開關(guān)變壓器，反饋穩(wěn)壓等過程變成你所需要的電壓的后，通過整流，濾波，再變換成直流的過程，而MOSFET在整個過程中通過其不斷的開與關(guān)，使高壓直流變換成高頻交流電的過程。

MOSFET在開關(guān)電源中起什么作用

4，大家好請問在電焊機中提到的MOSFET和IGBT是什么意思那種好

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點集于一身，既有輸入 阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點。因此，IGBT的新技術(shù)、新工藝不斷有新的突破；應(yīng)用頻率硬開關(guān)5KHz～40KHz，軟開關(guān)40KHz～150KHz；功率從五千瓦到幾百千瓦！ IGBT器件將不斷開拓新的應(yīng)用領(lǐng)域，為高效節(jié)能、節(jié)材，為新能源、工業(yè)自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應(yīng)加熱)提供了新的商機。IGBT行業(yè)信息網(wǎng)http://www.igbt168.cn專業(yè)為開關(guān)電源、逆變電源、變頻電源、通信電源、車載電源、電焊機、變頻器、馬達控制器等提供全方位的服務(wù)，并在消防行業(yè)、儀器儀表、通信業(yè)、船舶工業(yè)、自動化控制、軍 用科研等高科技市場有良好的商業(yè)信譽。

5，MOSFET和IGBT是什么意思

MOSFET：金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

6，MOS晶體管的概念和特性分別是什么

MOSFET 的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor 場效應(yīng)晶體管）， 即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。 功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS 型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特 點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電 流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW 的電力電子裝置。 2.功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率MOSFET 的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極 之間就存在導(dǎo)電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET 主要是N 溝道增強型。
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