光轉(zhuǎn)電模塊，什么是25G SFP28光模塊25G SFP28光模塊有哪些類型

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1，什么是25G SFP28光模塊25G SFP28光模塊有哪些類型

QSFP28光模塊一般是100G的光模塊，一般是4*25。同樣有單模、多模、波分復(fù)用多種型號(hào)。

我是來(lái)看評(píng)論的

什么是25G SFP28光模塊25G SFP28光模塊有哪些類型

2，光模塊與光交換機(jī)的區(qū)別

1. 光模塊只是一個(gè)模塊，是設(shè)備的一個(gè)部件，只有配置在設(shè)備中才有意義；2. 交換機(jī)數(shù)據(jù)交換設(shè)備，光交換機(jī)專指通信接口采用光通接口的交換機(jī)；

全光交換機(jī)，好像是還沒(méi)有具體的產(chǎn)品現(xiàn)在的光纖交換機(jī)，主要是存儲(chǔ)，轉(zhuǎn)發(fā)，也就是說(shuō)。。。光轉(zhuǎn)成電，電做交換，再轉(zhuǎn)成光。

光模塊與光交換機(jī)的區(qū)別

3，華為光模塊價(jià)格有多高

H3C華為SFP光模塊元光電轉(zhuǎn)換RJ45光纖模塊光口轉(zhuǎn)電口華為H3C SFP-GE-T 千兆光模塊 115元兼容華為SFP光模塊eSFP-GE-SX-MM850-A千兆多模550M 75元H3C 華為萬(wàn)兆多模 FTLX8571D3BCL 10G 850nm 光模塊 150元以上為網(wǎng)絡(luò)報(bào)價(jià)，僅供參考

為光模塊系列：0231a566；gbic-ge-lh30-sm1310；gbic-ge-lx-sm1310；2311415；0231a565華為sfp光模塊系

華為gbic光模塊系列：0231a566；gbic-ge-lh30-sm1310；gbic-ge-lx-sm1310；2311415；0231a565華為sfp光模塊系列：sfp-ge-lh40-sm1550；sfp-1.25g-ex60；0231a563；sfp-1.25g-lx10；sfp-1.25g-sx-2華為sfp+光模塊系列：le2mxsc80ff0；sfp-10g-lr；sfp-10g-zr；sfp-10g-lr-s；sfp-10g-ge-lx華為xfp光模塊系列：0231a438；0231a494；xfp-sx-mm850；xfp-10gzrc-55；xfp-lx-sm1310以上型號(hào)在飛速光纖都有對(duì)應(yīng)的兼容光模塊。

華為光模塊價(jià)格有多高

4，現(xiàn)在怎樣制作一個(gè)將光能轉(zhuǎn)化成電能的簡(jiǎn)單裝置

光電池光電池1.是一種在光的照射下產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的半導(dǎo)體元件。光電池的種類很多，常用有硒光電池、硅光電池和硫化鉈、硫化銀光電池等。主要用于儀表，自動(dòng)化遙測(cè)和遙控方面。有的光電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，這種光電池又叫太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池作為能源廣泛應(yīng)用在人造地衛(wèi)星、燈塔、無(wú)人氣象站等處2.光電池是一種特殊的半導(dǎo)體二極管，能將可見(jiàn)光轉(zhuǎn)化為直流電。有的光電池還可以將紅外光和紫外光轉(zhuǎn)化為直流電。光電池是太陽(yáng)能電力系統(tǒng)內(nèi)部的一個(gè)組成部分，太陽(yáng)能電力系統(tǒng)在替代現(xiàn)在的電力能源方面正有著越來(lái)越重要的地位。最早的光電池是用摻雜的氧化硅來(lái)制作的，摻雜的目的是為了影響電子或空穴的行為。其它的材料，例如CIS，CdTe和GaAs，也已經(jīng)被開(kāi)發(fā)用來(lái)作為光電池的材料。有二種基本類型的半導(dǎo)體材料，分別叫做正電型（或P型態(tài)）和負(fù)電型（或N型態(tài)）。在一個(gè)PV電池中，這些材料的薄片被一起放置，而且他們之間的實(shí)際交界叫做P-N節(jié)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)方式，P-N節(jié)暴露于可見(jiàn)光，紅外光或紫外線下，當(dāng)射線照射到P-N節(jié)的時(shí)候，在P-N節(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生電壓，這樣連接到P型材料和N型材料上的電極之間就會(huì)有電流通過(guò)。一套PV電池能被一起連接形成太陽(yáng)的模組，行列或面板。用來(lái)產(chǎn)生可用電能的PV電池就是光電伏特計(jì)。光電伏特計(jì)的主要優(yōu)點(diǎn)之一是沒(méi)有污染，只需要裝置和陽(yáng)光就可工作。另外的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是太陽(yáng)能是無(wú)限的。一旦光電伏特計(jì)系統(tǒng)被安裝，它能提供在數(shù)年內(nèi)提供能量而不需要花費(fèi)，并且只需要最小的維護(hù)。光電池也叫太陽(yáng)能電池，直接把太陽(yáng)光轉(zhuǎn)變成電。因此光電池的特點(diǎn)是能夠把地球從太陽(yáng)輻射中吸收的大量光能轉(zhuǎn)化換成電能。 1839年，安托石-貝克雷爾制造出了最早的光電池。貝克雷爾電池是一個(gè)圓柱體，內(nèi)裝硝酸鉛溶液，溶液中進(jìn)入一個(gè)鉛陽(yáng)極和一個(gè)氧化銅陰極。這種電池一經(jīng)陽(yáng)光照射，就會(huì)供給電流。 1875年，德國(guó)技師維爾納-西門子是制成第一個(gè)硒光電池，并提議用于光量測(cè)定。西門子的光電池是根據(jù)1873年英國(guó)人史密斯發(fā)現(xiàn)的“內(nèi)光電效應(yīng)”提出的。 L.H.亞當(dāng)斯于1876年指出，硒在光的作用下，不僅出現(xiàn)電阻的變化，而且在一定條件下還出現(xiàn)電動(dòng)勢(shì)，從而發(fā)現(xiàn)了“阻擋層效應(yīng)”。阻擋層效應(yīng)則成了光電池的基本原理。光電池被廣泛地用于自動(dòng)控制技術(shù)、信息電子學(xué)和測(cè)量技術(shù)。這些元件的性能約自1950年起，因半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而得到顯著改善。

5，1310nm光模塊和1550nm光模塊的區(qū)別是

1、波長(zhǎng)不同。一個(gè)波長(zhǎng)是1310nm，另一個(gè)是1550nm。2、色散和損耗不一樣。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，1310nm光模塊一般按0.35dBm/km計(jì)算鏈路損耗，1550nm光模塊一般按0.20dBm/km計(jì)算鏈路損耗，色散值的計(jì)算非常復(fù)雜，一般只作參考。3、、用途不同。1310nm和1550nm波段多用于中長(zhǎng)距離傳輸，其中1310nm (SM，單模，傳輸過(guò)程中損耗大但色散小，一般用于40KM以內(nèi)的傳輸)；1550nm (SM，單模，傳輸過(guò)程中損耗小但色散大，一般用于40KM以上的長(zhǎng)距離傳輸，最遠(yuǎn)可以無(wú)中繼直接傳輸120KM)。擴(kuò)展資料：光模分類SFP 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1490nm，1550nm，CWDM，DWDM速率：0－10Gbit/sDDM：可選SFP RJ45電口模塊接口：RJ45，COPPER速率：10/100/1000M自適應(yīng)，強(qiáng)制1000MDDM：可選XFP 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1270nm，1330nm，CWDM，DWDM速率：10Gbit/sGBIC 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1490nm，1550nm，CWDM，DWDM速率：1.25Gbit/sGBIC RJ45電口模塊接口：RJ45，COPPER速率：10/100/1000M自適應(yīng)，強(qiáng)制1000MSFP+ 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1270nm，1330nm，CWDM，DWDM速率：10Gbit/sX2 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1270nm，1330nm，CWDM，DWDM速率：10Gbit/sXENPAK 光模塊可選波長(zhǎng)：850nm，1310nm，1270nm，1330nm，CWDM，DWDM速率：10G應(yīng)用D/T的英文全稱是：datacom/telcom。數(shù)據(jù)通訊主要包括電腦視頻，數(shù)據(jù)通訊等。telcom主要包括是無(wú)線語(yǔ)音通訊等。此類產(chǎn)品多用于光纖的網(wǎng)絡(luò)中的主干網(wǎng)絡(luò)。PON:英文：passive optical network 即：無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)。此類產(chǎn)品主要應(yīng)用于光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的接入網(wǎng)等。其中的triplex產(chǎn)品出類可以傳輸光纖信號(hào)外，還可以輸出模擬信號(hào)。光模塊，主要分為：GBIC、SFP、SFP+、XFP、SFF、CFP等，光接口類型包括SC和LC等。不過(guò)現(xiàn)在常用的是SFP、SFP+、XFP，而不是GBIC。原因在于GBIC體積大，并且容易壞。而“”現(xiàn)在常用的SFP則體積小，并且便宜。類型：?jiǎn)文９饽K適用于長(zhǎng)距離傳輸；多模光模塊適用于短距離傳輸。作用：光模塊用于交換機(jī)與設(shè)備之間傳輸?shù)妮d體，相比收發(fā)器更具效率性、安全性。參考資料：搜狗百科-光模塊

1310nm和1550nm均為模塊的中心波長(zhǎng)，1310nm和1550nm波段多用于中長(zhǎng)距離傳輸，其中1310nm (SM，單模，傳輸過(guò)程中損耗大但色散小，一般用于40KM以內(nèi)的傳輸)；1550nm (SM，單模，傳輸過(guò)程中損耗小但色散大，一般用于40KM以上的長(zhǎng)距離傳輸，最遠(yuǎn)可以無(wú)中繼直接傳輸120KM)；二者的色散和損耗也不一樣，在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，1310nm光模塊一般按0.35dBm/km計(jì)算鏈路損耗，1550nm光模塊一般按0.20dBm/km計(jì)算鏈路損耗，色散值的計(jì)算非常復(fù)雜，一般只作參考。

不可以?？紤]到在光纖中傳輸?shù)膿p耗和色散不同，一般相同傳輸速率，不同工作波長(zhǎng)的光模塊對(duì)應(yīng)的傳輸距離不一樣，收發(fā)光功率不一定匹配，更主要的原因是載波波長(zhǎng)不一致，信號(hào)解調(diào)可能會(huì)有問(wèn)題。更多問(wèn)題請(qǐng)?jiān)L問(wèn)光潤(rùn)通官網(wǎng)。

6，怎樣把光轉(zhuǎn)換成電

光伏打器件----硅光電池半導(dǎo)體PN結(jié)在受到光照射時(shí)能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)，叫光伏打效應(yīng)。硅光電池就是利用光伏打效應(yīng)將光能直接換成電能的半導(dǎo)體器件。光照可以使薄薄的P型區(qū)產(chǎn)生大量的光生載流子。這些光生電子和空穴，會(huì)向PN結(jié)方向擴(kuò)散。擴(kuò)散過(guò)程中，一部分電子和空穴復(fù)合消失，大部分?jǐn)U散到PN結(jié)邊緣。在結(jié)電場(chǎng)的作用下，大部分光生空穴被電場(chǎng)推回P型區(qū)而不能穿越PN結(jié)；大部分光生電阻卻受到結(jié)電場(chǎng)的加速作用穿越PN結(jié)，到達(dá)N型區(qū)。隨著光生電子在N型區(qū)的積累及光生空穴在P型號(hào)區(qū)的積累，會(huì)在在PN對(duì)的兩側(cè)產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的電位差，這就是光生電動(dòng)勢(shì)。當(dāng)光電池兩端接有負(fù)載時(shí)，將有電流流過(guò)負(fù)載，起著電池的作用。硅光電池的用途極度為廣泛。主要用于下述幾個(gè)方面：能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無(wú)人氣象站等設(shè)備的電源；也可做電子手表、電子計(jì)算器、小型號(hào)汽車、游艇等的電源。光電檢測(cè)器件----用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。光電控制器件----用作光電開(kāi)關(guān)等光電控制設(shè)備的轉(zhuǎn)換器件。

光電轉(zhuǎn)換過(guò)程的原理是光子將能量傳遞給電子使其運(yùn)動(dòng)從而形成電流。這一過(guò)程有兩種解決途徑，最常見(jiàn)的一種是使用以硅為主要材料的固體裝置，另一種則是使用光敏染料分子來(lái)捕獲光子的能量。染料分子吸收光子能量后將使半導(dǎo)體中的帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴分離。光照射在物質(zhì)上時(shí)，部份的光會(huì)被物質(zhì)吸收，部份的光則經(jīng)由反射或穿透等方式離開(kāi)物質(zhì)，選取太陽(yáng)光電池材料的第一考量就是吸光效果要很好，如此才能使輸出功率增加。選取太陽(yáng)光電池材料的第二考量是光導(dǎo)效果，欲選取光導(dǎo)效果佳的材料首先必須了解太陽(yáng)光的成分及其能量分布狀況，進(jìn)而找出適當(dāng)?shù)奈镔|(zhì)作為太陽(yáng)光電池的材料。當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會(huì)跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定，很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來(lái)的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子，電子空出來(lái)的位置則稱為電洞。自由電子可能會(huì)因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量，最后受到電洞的吸引而復(fù)合。例如，硅的最外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量，當(dāng)硅最外層子吸收到的光能量超過(guò)1.1ev時(shí)將會(huì)產(chǎn)生自由電子及電洞，稱之為光生電子電洞對(duì)(light-generatedelectron-holepairs)。電子電洞對(duì)的數(shù)目越多導(dǎo)電的效果也越好，因?yàn)楣馐沟脤?dǎo)電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導(dǎo)效應(yīng)(photoconductiveeffect)。自由電子與電洞的多寡對(duì)電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與電洞可以使導(dǎo)電性增加，同時(shí)也可以使輸出電流增加，因此可以推測(cè)陽(yáng)光越強(qiáng)時(shí)生成的自由電子與電洞越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產(chǎn)生自由電子與電洞，將會(huì)因?yàn)槟Σ良芭鲎驳纫蛩厥ツ芰?，最后自由電子?huì)與電洞復(fù)合而無(wú)法利用。為更有效的利用由電子與電洞來(lái)產(chǎn)生電流，因此必須加入電場(chǎng)使自由電子與電洞分離進(jìn)而產(chǎn)生電流。產(chǎn)生電場(chǎng)的方式很多如pn接面、金屬半導(dǎo)體接面等，其中最常用的方式為pn接面。提高自由電子濃度常用的方法是在硅中加入少量的五價(jià)原子，五價(jià)原子的四個(gè)價(jià)電子與硅鍵結(jié)后剩下一個(gè)價(jià)電子，使剩下的價(jià)電子游離只需要0.05ev，比原來(lái)的1.1ev小很多，在室溫超過(guò)200度k時(shí)即可使所有雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子，同樣在硅中加入少量的三價(jià)原子可以提高電洞濃度。在硅中加入五價(jià)原子后稱之為n型半導(dǎo)體，加入三價(jià)原子后稱之為p型半導(dǎo)體。n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體雖然帶有自由電子或電洞但本身仍然保持電中性，如果n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)濃度均勻分布則內(nèi)部沒(méi)有電場(chǎng)存在。若將n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體接和在一起，會(huì)因?yàn)閮蛇呑杂呻娮优c電洞的濃度不同產(chǎn)生擴(kuò)散。n型半導(dǎo)體中自由電子濃度較高，因此自由電子由n型半體向p型半導(dǎo)體擴(kuò)散，同樣的電洞會(huì)由p型半導(dǎo)體向n型半導(dǎo)體擴(kuò)散。擴(kuò)散的結(jié)果使得接面附近的n型半導(dǎo)體失去電子得到電洞而帶正電，p型半導(dǎo)體失去洞得到電子而帶負(fù)電。因?yàn)殡姾擅芏炔痪虼嗽诮用娓浇a(chǎn)生電場(chǎng)，如果有自由電子或電洞在電場(chǎng)內(nèi)產(chǎn)生，則會(huì)因?yàn)槭艿诫妶?chǎng)的作用而移動(dòng)，自由電子向n型半導(dǎo)體移動(dòng)，而電洞向p型半導(dǎo)體移動(dòng)，因此這個(gè)區(qū)域缺乏自由電子或電洞而稱之為空乏區(qū)。當(dāng)光照射在空乏區(qū)內(nèi)將硅原子的電子激發(fā)產(chǎn)生光生電子與電洞對(duì)，電子與電洞對(duì)會(huì)因?yàn)殡妶?chǎng)作用而使電池內(nèi)的電荷往兩端集中，此時(shí)只要外加電路將兩端連接即可利用電池內(nèi)的電力，這即是所謂的光電效應(yīng)，也是太陽(yáng)光電池的轉(zhuǎn)換原理。