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內(nèi)存條參數(shù)詳解，內(nèi)存參數(shù)是什么

來源：整理時(shí)間：2025-01-21 08:10:33 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，內(nèi)存參數(shù)是什么
2，內(nèi)存條的性能指標(biāo)是什么
3，什么叫內(nèi)存條它的主要技術(shù)參數(shù)是什么
4，內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)有哪些具體點(diǎn)
5，內(nèi)存條的好壞主要看哪幾個(gè)方面的參數(shù)

1，內(nèi)存參數(shù)是什么

內(nèi)存參數(shù)包括：內(nèi)存技術(shù)指標(biāo)、性能指標(biāo)、時(shí)鐘周期、性能參數(shù)

內(nèi)存參數(shù)是什么

2，內(nèi)存條的性能指標(biāo)是什么

內(nèi)存條分為DDR1，DDR2，DDR3三代，一般來說DDR3便宜主頻高分為1333與1600hz。而DDR2只有800hz，如果主板支持一定買DDR3代。內(nèi)存條的性能指標(biāo)也就是所說的主頻咯。

1，看容量 2，時(shí)鐘頻率，時(shí)鐘周期 3，cl為cas（列地址控制器）的延遲時(shí)間，是縱向地脈沖的反應(yīng)時(shí)間 4，奇偶校驗(yàn)功能和ecc校驗(yàn) 5，數(shù)據(jù)位寬和數(shù)據(jù)帶寬 6，電壓 7，單通道與雙通道

內(nèi)存條的性能指標(biāo)是什么

3，什么叫內(nèi)存條它的主要技術(shù)參數(shù)是什么

內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道，起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用。當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個(gè)“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣！為了解決這個(gè)問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個(gè)“小倉庫”—內(nèi)存。

內(nèi)存條,就是條狀的內(nèi)存.條狀,就是。。。你懂的.內(nèi)存,就是內(nèi)部存儲器.內(nèi)部,就是相對于外部而言的.比如U盤,移動(dòng)硬盤,光盤之類的就不能叫內(nèi)存.叫做外部存儲設(shè)備.存儲器,就是存儲數(shù)據(jù)的設(shè)備.它的主要技術(shù)參數(shù)有：容量,頻率,功率,使用壽命.

通俗點(diǎn)講內(nèi)存條就好比人的大腦，所有軟件都是要在內(nèi)存里運(yùn)行的。內(nèi)存條就是一條上面焊接了N顆內(nèi)存顆粒的PVC條板。它的主要技術(shù)參數(shù)是幾個(gè)方面，一、內(nèi)在的型號，早期的有SDRAM內(nèi)存，只在很早的機(jī)器上能見到，早已停產(chǎn)；中期的有DDR一代內(nèi)存，也已停產(chǎn)；近期電腦常見的是DDR二代內(nèi)存和三代內(nèi)存，現(xiàn)在品牌機(jī)上配的已經(jīng)幾乎都是三代的內(nèi)存了，這些內(nèi)存的插槽都是不一樣的，所以不可能通用。二、內(nèi)存的大小，也就是內(nèi)存的容量，他決定你的機(jī)器能同時(shí)執(zhí)行多少程序，游戲能跑多快，網(wǎng)速會不會有影響。中、早期的內(nèi)存容量一般有128MB、256MB和512MB，現(xiàn)在的品牌機(jī)出廠配置一般是2G內(nèi)存，更有些機(jī)器是4G內(nèi)存的。三、內(nèi)存的頻率，早期SDRAM內(nèi)存當(dāng)時(shí)有PC100、PC133，中期DDR一代一般有266、333、400，近期的二代一般是677和800，現(xiàn)在的三代一般有1066、1333等等。頻率決定你的程序的響應(yīng)速度有多快。

什么叫內(nèi)存條它的主要技術(shù)參數(shù)是什么

4，內(nèi)存的技術(shù)參數(shù)有哪些具體點(diǎn)

內(nèi)存參數(shù)其實(shí)也簡單：屬于哪種技術(shù)的內(nèi)存（DDR1還是DDR2還是DDR3），速度（頻率），CL值(時(shí)鐘延遲）

內(nèi)存技術(shù)參數(shù) 單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。而單bank與雙bank的區(qū)別就不同了。bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的bank是不同的。如intel 82845系列芯片組支持4個(gè)bank，而sis的645系列芯片組則能支持6個(gè)bank。如果主板只支持4個(gè)bank，而我們卻用6個(gè)bank的話，那多余的2個(gè)bank就白白地浪費(fèi)了。雙面不一定是雙bank，也有可能是單bank，這一點(diǎn)要注意。這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的bios里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。通常說的2-2-3按順序說的是trp(time of row precharge)，trcd(time of ras to cas delay)和cl(cas latency)。trp為ras預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好；trcd是ras到cas的延遲，數(shù)值越小越好；cl(cas latency)為cas的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。什么是雙通道ddr技術(shù)呢？需要說明的是，它并非我前面提到的d d r i i，而是一種可以讓2條d d r內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。雙通道ddr技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于p 4處理器的好處可謂不言而喻。400m h z 前端總線的p 4 a處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2g b /s，而533 m hz 前端總線的p4b處理器更是達(dá)到了4.3g b/s，而p4c處理器更是達(dá)到了800mhz 前端總線從而需要6. 4 g的內(nèi)存帶寬。但是目前除了i850e支持的r ambus p c10 66規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的ddr333本身僅具有2.7g b/s的帶寬。ddr400也只能提供3.2g /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道ddr400的內(nèi)存，理論上提供2倍ddr400的帶寬。將從而根本的解決了cpu和內(nèi)存之間的瓶頸問題。 ddr-ii內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的ddr-i內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400mhz或更高。主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的ddr-400產(chǎn)品直接過渡到ddr-ii。目前ddr-ii內(nèi)存將采用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800mhz。

5，內(nèi)存條的好壞主要看哪幾個(gè)方面的參數(shù)

根據(jù)您的提問，內(nèi)存條主要看以下三個(gè)方面的參數(shù)：時(shí)鐘頻率：它代表了DDR所能穩(wěn)定運(yùn)行的最大頻率，也就是我們平時(shí)講的PC-1600和PC-2100等，它們分別表示可在200MHz和266MHz的時(shí)鐘頻率下穩(wěn)定運(yùn)行。另外我們也要注意到，傳統(tǒng)的內(nèi)存規(guī)格命名是基于內(nèi)存的時(shí)鐘頻率，而現(xiàn)行的DDR內(nèi)存是基于傳輸速率命名的。實(shí)際上PC-1600和PC-2100按照SDRAM的劃分標(biāo)準(zhǔn)也就是相對應(yīng)的PC-200和PC-266。存取時(shí)間：存取時(shí)間代表了讀取數(shù)據(jù)所延遲的時(shí)間。以前人們有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為它和系統(tǒng)時(shí)鐘頻率有著某種聯(lián)系，其實(shí)二者在本質(zhì)上是有著顯著區(qū)別的，可以說完全是兩回事。例如SDRAM同樣是PC133的內(nèi)存，市面上有-7和-6的，它們的存取時(shí)間分別為7ns和6ns，但它們的時(shí)鐘頻率均為133MHz。存取時(shí)間和時(shí)鐘頻率不一樣，越小則越優(yōu)。在DDR內(nèi)存上亦一樣，各位一定要注意。 CAS的延遲時(shí)間：這是指縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。我們用CAS Latency（CL）這個(gè)指標(biāo)來衡量。對于PC-1600和PC-2100的內(nèi)存來說，其規(guī)定的CL應(yīng)該為2（即它讀取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間是兩個(gè)時(shí)鐘周期），也就是說，它必須在CL=2的情況下穩(wěn)定工作在其工作頻率。

這么跟你說吧，你自己是無法判斷太多內(nèi)存好壞的，從品牌上來買好了，目前價(jià)格都差不多，金士頓宇瞻 kingmax 海盜船這些性價(jià)比高質(zhì)量好，但是假貨相對也多。你可以找一些信譽(yù)相對高，公司規(guī)模大的購買，價(jià)格差不了多少的，最多多賺你5塊10塊，買放心啊。你如果有朋友會分辨就最好。（不過估計(jì)沒有，有的話你也不會來問了） - 擴(kuò)大內(nèi)存，你要自己會分辨你的內(nèi)存是什么型號，ddr1還是ddr2，最好是帶著你電腦上的內(nèi)存到市場上去配一模一樣的，這樣不會有兼容性。我個(gè)人建議是你背著電腦去買，當(dāng)場插在一起測試10分鐘（你開機(jī)玩游戲測試），不出問題你再付錢。雖然會麻煩你自己一點(diǎn)，但是內(nèi)存的兼容性是個(gè)不容忽視的問題，太多人碰一鼻子灰了，我不希望你也是安裝內(nèi)存條沒有什么壞處，只會有好處。提升計(jì)算機(jī)性能。壞處是相對的，只有在你沒有選擇正確兼容性的情況下，會出現(xiàn)電腦無法啟動(dòng)，老死機(jī)，軟件老出錯(cuò)等問題。

內(nèi)存顆粒，內(nèi)存顆粒的好壞決定了內(nèi)存整體質(zhì)量的主要因素PCB板層，良好的PCB能使內(nèi)存發(fā)揮高性能，尤其在高頻下，防磁干擾等，一般是4層，層數(shù)越多越好，但價(jià)格隨之翻倍，時(shí)鐘頻率，最常見的DDR2 800 就是我們選購的主流產(chǎn)品，體制好的能超上1066甚至更高內(nèi)存的好壞，用著才感受得到，比如突然藍(lán)屏，死機(jī)，數(shù)據(jù)經(jīng)常發(fā)生沖突，出現(xiàn)不能讀寫等，都是內(nèi)存不佳的表現(xiàn)，新內(nèi)存開 MEN TEST 烤 5小時(shí)，沒事的話，基本可以

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