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1，mk是什么計量單位是紅外熱像儀的熱靈敏度的單位
2，紅外熱像儀的熱靈敏度NETD是怎么計算出來的
3，如何在netd 中打印log android
4，木馬netd怎么清理不掉
5，熱成像探測器氧化釩好還是多晶硅好
6，NEDTNoise equivalent temperature difference誰能給我解釋一下

1，mk是什么計量單位是紅外熱像儀的熱靈敏度的單位

熱像儀的參數(shù)里有個熱靈敏度NETD 他的單位就是mk，即開爾文。

你好！mK是溫度單位，即K（開爾文）的千分之一如果對你有幫助，望采納。

mk是什么計量單位是紅外熱像儀的熱靈敏度的單位

2，紅外熱像儀的熱靈敏度NETD是怎么計算出來的

熱敏電阻溫度系數(shù)計算公式熱敏電阻溫度每升高1℃的電阻值變化率（溫度靈敏度）α可以用下列方式計算出來，即： α=B/T2 從公式右端的系數(shù)為負(fù)值可以知道，當(dāng)溫度上升的時候電阻值就會減少?，F(xiàn)在，我們可以計算一下25℃時的溫度系數(shù)。根據(jù)表3.1，102AT的B值為B25/85℃=3100K，利用公式可以得到它在25℃時的溫度系數(shù)為： α=-3100/2982 =-3.5%/℃ 而103AT的B值為B25/85℃=3435K，它在25℃時的溫度系數(shù)則為： α=-3435/2982 =-3.9%/℃ 由此可見，B值越大，靈敏度越高。另外，如果計算85℃時的溫度系數(shù)，則會得到102AT的是α=-2.4%/℃；103AT的是α=-2.7%/℃。由此可見，它們在高溫下的靈敏度都會有所下降。

我是來看評論的

紅外熱像儀的熱靈敏度NETD是怎么計算出來的

3，如何在netd 中打印log android

public final class LogUtil /** all Log print on-off */ private final static boolean all = true; /** info Log print on-off */ private final static boolean i = true; /** debug Log print on-off */ private final static boolean d = true; /** err Log print on-off */ private final static boolean e = true; /** verbose Log print on-off */ private final static boolean v = true;

雖然我很聰明，但這么說真的難到我了

如何在netd 中打印log android

4，木馬netd怎么清理不掉

若手機中存在無法刪除的木馬程序，請嘗試按照以下步驟進行處理：1. 手機中存在木馬若沒有ROOT權(quán)限是無法刪除的，請您嘗試使用電腦上的一鍵ROOT工具進行獲取ROOT權(quán)限，獲取權(quán)限后請嘗試將SIM 卡，內(nèi)存卡等取出。2. 請嘗試安裝一款安全軟件（例如：手機管家等）。以手機管家為例，打開手機管家，點擊“病毒查殺”功能即可自動檢測手機中存在的病毒，點擊一鍵清除即可刪除病毒程序。然后嘗試重新啟動手機，查看是否成功刪除木馬程序。3. 若依然都無法進行解決請嘗試到手機品牌官網(wǎng)下載刷機包和工具對手機進行完整恢復(fù)，若無法自行處理請送到手機品牌官方售后進行維修。

你好！電腦中存在木馬病毒使用殺軟一定是可以查殺到并且可以清除的最好使用騰訊電腦管家進行全盤處理管家是免費專業(yè)安全軟件，殺毒管理二合一(只需要下載一份），占內(nèi)存小，殺毒好，防護好，無誤報誤殺。擁有云查殺引擎、反病毒引擎、金山云查殺引擎、AVIRA查殺引擎、小紅傘和查殺修復(fù)引擎等世界一流殺毒軟件內(nèi)嵌殺毒引擎！保證殺毒質(zhì)量僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

5，熱成像探測器氧化釩好還是多晶硅好

不知道樓上怎么被選成了最佳答案，純粹就是答非所問。兩種探測器在生產(chǎn)工藝都過關(guān)的前提下，當(dāng)然是氧化釩的好！多晶硅探測器明顯比氧化釩的噪點多、點測溫精度差、靈敏度低。因為氧化釩探測器做得好的話一個像元就是一個精確的溫度，而多晶硅薄膜由于材料生長特性問題就沒譜的了，一般都是通過圖像算法把N*N（N≥2）個像元的平均溫度作為一個測溫值。這就導(dǎo)致了多晶硅探測器的遠距離點測溫精度弱爆了……同樣的原因也導(dǎo)致了多晶硅探測器的圖像看起來噪點多，就像鏡頭前蒙了一塊透明的臟塑料布。多晶硅探測器的優(yōu)勢主要是生產(chǎn)工藝上比氧化釩薄膜較容易實現(xiàn)！在硅圓晶的生產(chǎn)工藝上就能制取出來。但是美國的氧化釩生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)很成熟，多晶硅在成本上也沒優(yōu)勢了。目前國內(nèi)的高德也在做氧化釩探測器，雖然看起來還不夠成熟，但這算是徹底邁開了國產(chǎn)氧化釩探測器的一大步，以前他們做的多晶硅機芯，無力吐槽。這里要說一下目前多晶硅探測器的標(biāo)桿法國ULIS，因為成熟的技術(shù)和工藝，他們的多晶硅探測器產(chǎn)品性能相對要好的多，上面提到的臟塑料布效果一般不太明顯，配合好的圖像算法，有時會給人一種“咦這是FLIR的機芯？”的錯覺。如果是其他廠家的產(chǎn)品，包括采購ULIS探測器自行組裝機芯的國內(nèi)企業(yè)比如高德、大立這些，則很多用戶會抱怨自己的熱像儀好像得了白內(nèi)障。如果僅從民用非制冷探測器的探測能力指標(biāo)（NETD）上來講，多晶硅和氧化釩探測器是差不多的，氧化釩能看到的，多晶硅也能。如果需要更加靈敏的探測能力，那么硅探測器就不給力了。最后，如果樓主問我同級別FLIR的猴兒版9hz機芯（氧化釩）和ULIS全幀機芯（多晶硅）該怎么選擇，我會毫不猶豫的選擇ULIS，因為我是設(shè)計無人機的，9hz飛行畫面什么都看不清，看久了還會想吐……

不知道樓上怎么被選成了最佳答案，純粹就是答非所問。兩種探測器在生產(chǎn)工藝都過關(guān)的前提下，當(dāng)然是氧化釩的好！多晶硅探測器明顯比氧化釩的噪點多、點測溫精度差。因為氧化釩探測器做得好的話一個像元就是一個精確的溫度，而多晶硅薄膜由于材料生長難控制問題就沒譜的了，一般都是通過圖像算法把n*n（n≥2）個像元的平均溫度作為一個測溫值。這就導(dǎo)致了多晶硅探測器的遠距離點測溫精度弱爆了……同樣的原因也導(dǎo)致了多晶硅探測器的圖像看起來噪點多，就像鏡頭前蒙了一塊透明的臟塑料布。多晶硅探測器的優(yōu)勢主要是生產(chǎn)工藝上比氧化釩薄膜較容易實現(xiàn)！但是美國的氧化釩生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)很成熟，多晶硅在成本上也沒優(yōu)勢了。目前國內(nèi)的高德也在做氧化釩探測器，雖然還不夠成熟，實際效果尚未超越品相好的多晶硅，但這算是徹底邁開了國產(chǎn)氧化釩探測器的一大步，以前他們做的多晶硅探測器，無力吐槽。這里要說一下目前多晶硅探測器的標(biāo)桿法國ulis，因為成熟的技術(shù)和工藝，他們的多晶硅探測器產(chǎn)品性能相對要好的多，上面提到的臟塑料布效果一般不太明顯，配合好的圖像算法，有時會給人一種“咦這是flir的機芯？”的錯覺。如果是其他廠家的產(chǎn)品，則大多用戶會抱怨自己的熱像儀好像得了白內(nèi)障。如果僅從探測能力指標(biāo)（netd）或者是作為觀測工具上來講，多晶硅和氧化釩探測器是差不多的，氧化釩能看到的，多晶硅也能。最后，如果樓主問我同級別flir的猴兒版9hz機芯（氧化釩）和ulis全幀機芯（多晶硅）該怎么選擇，我會毫不猶豫的選擇ulis多晶硅……

6，NEDTNoise equivalent temperature difference誰能給我解釋一下

需要全文請與我聯(lián)系1 前言文獻[ 1, 2, 3 ]介紹了美軍熱象儀規(guī)范手冊中給出的熱象儀性能參數(shù), 直至目前, 國內(nèi)、外均沿用上述參數(shù)進行評價, 其中主要的測試參數(shù)是最小可分辨溫差(MRTD ) 及噪聲等效溫差(N ETD )。在文獻[ 4 ]中, 我們對MRTD 進行了分析, 本文主要分析N ETD 的測試方法。國內(nèi)已發(fā)表了不少N ETD 測試數(shù)據(jù), 文獻 [ 11 ]給出“風(fēng)云一號”衛(wèi)星掃描輻射計N ETD ≤0. 8K, 文獻[ 12 ]中給出該焦平面凝視熱象儀 N ETD = 0. 42℃, 文獻[ 14 ] 中給出了天津、昆明、上海、北京各紅外研究所研制的熱象儀的 N ETD 值, 各為0. 3～ 0. 4℃, 0. 1～ 0. 2℃, 0. 1 ～ 0. 2℃, ≤0. 2℃, 從下述分析估計, 這些數(shù)據(jù) 還有噪聲等效帶寬計算的統(tǒng)一性問題。對于N ETD, 文獻[ 2 ]的定義是“使用3dB 截止為1?(2t) 的標(biāo)準(zhǔn)濾波器( t 為探測器滯留時間) , 在多路傳輸之前, 系統(tǒng)所產(chǎn)生的信號及噪聲(均方根值) 之比為1 時, 所需的大空間目標(biāo)(大于或等于瞬時視場) 和背景的溫差”。它標(biāo)志熱象儀可探測的最小溫差。實際上, 噪聲等效功率是電子系統(tǒng)普遍使用的參數(shù), 它是衡量系統(tǒng)在噪聲中辨別小信號能力的參數(shù), 主要與濾波器帶寬有關(guān), 但是這一參數(shù)常常不能全面反映整個系統(tǒng)的性能。 2 N ETD 公式的推導(dǎo) 光機掃描熱象儀N ETD 的推導(dǎo)[5 ]: 在一背景中有一黑體目標(biāo), 兩者溫差為 $T , 目標(biāo)的溫度為T , 其光譜輻射通量密度為 W K (T ) , 按朗伯余弦定律, 則其光譜輻射亮度 B K(T ) = [W K(T ) ]?P, 若熱象儀與目標(biāo)的距離為d , 且其光學(xué)系統(tǒng)的有效面積為A 0, 目標(biāo)對熱象儀主鏡的張角為A 0 ?d 2, 主鏡所接收的光譜輻射照度為[B K(T )A 0 ]?d 2, 熱象儀瞬時視場為AB, 在d 處所對應(yīng)的目標(biāo)面積為ABd 2, 忽略大氣透過率, 只考慮光學(xué)系統(tǒng)透過率S 0 (K) , 熱象儀接收該面積的目標(biāo)光譜輻射功率為: (顯示不支持，需要可與我聯(lián)系) N ETD 計算值顯然與$f R 直接有關(guān), 取較窄的$f R , 濾掉更多噪聲, 能提高信噪比,L loyd J. M. 指出: 不要過分地濾掉噪音, 這樣雖然會獲得好的N ETD, 卻犧牲良好的M TF ”, 因為 $f R 過分窄, 就不可能準(zhǔn)確地復(fù)現(xiàn)這矩形脈沖。 3. 2 這一特性參數(shù)只反映了光學(xué)系統(tǒng)、探測器及前置濾波器的特性。 3. 3 上述分析把目標(biāo)和背景都看成黑體, 而實際使用時, 目標(biāo)和背景多是灰體, 只要目標(biāo)和背景存在溫差、發(fā)射率(N EED ) 差和反射率 (N ERD) 都可產(chǎn)生信號, 按文獻[ 9 ]計算, 只要目標(biāo)和背景發(fā)射率相差0. 015, 即可產(chǎn)生1℃的 N ETD, 此時目標(biāo)溫度為300K, 因此, 除了標(biāo)定噪聲等效溫差, 還應(yīng)標(biāo)定噪聲等效發(fā)射率差, 若系統(tǒng)需白天使用, 還應(yīng)標(biāo)定噪聲等效反射率差。 3. 4 N ETD 測試時, 要求空間目標(biāo)遠大于瞬時視場, 實際使用中若不滿足這一條件, 可使系統(tǒng)信噪比等于1 的N ETD 較滿足這一條件的 N ETD 相差很多。 4 小結(jié) N ETD 是衡量系統(tǒng)在噪聲中辨別小信號能力的一個參數(shù), 可粗略估計系統(tǒng)靈敏度, 對于掃描熱象儀, 最關(guān)鍵的是噪聲等效帶寬$f R 的計算, 我們建議$f R = k?td, td= a?v x , 其中a 為在掃描方向探測器寬度, vx 是掃描速度, k 建議取4。對于紅外焦平面凝視熱象儀N ETD 的計算, 我們正在探討中。由于目標(biāo)和背景實際上都是灰體, 假若兩者存在溫差、發(fā)射率差、反射率差, 這些差別都可產(chǎn)生信號, 所以在文獻[ 13 ]中, 建議除了標(biāo)定噪聲等效溫差外, 還要標(biāo)定噪聲等效發(fā)射率差, 若系統(tǒng)需白天使用, 還應(yīng)標(biāo)定噪聲等效反射率差。

噪音等效的溫差

你好！是噪音等效溫差噪聲等效溫差(Noise鞠uivalent Te呷eratureDifference,NETD)，是用紅外成像系統(tǒng)觀察標(biāo)準(zhǔn)試驗圖案，當(dāng)紅外成像系統(tǒng)輸出端產(chǎn)生的峰值信號與均方根噪聲電壓之比為1時的目標(biāo)與背景之間的溫差，表示紅外成像裝置的熱靈敏度,具有測量方便、計算簡單的優(yōu)點,并且NETD還可作為成像裝置的基本參數(shù),去表示其它的有關(guān)性能參數(shù)等優(yōu)點。如果對你有幫助，望采納。

噪音等效溫差

NEDT stands for Noise Equivalent Delta TemperatureDefinition:In a thermal imaging system, the change in temperature that yields a signal-to-noise ratio of unity.

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netd，mk是什么計量單位是紅外熱像儀的熱靈敏度的單位

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