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雙脈沖測試，vhdl如何測量雙脈沖間隔

來源：整理 時間：2023-09-07 02:53:39 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，vhdl如何測量雙脈沖間隔

用一個更快的時鐘來出來，可以先對脈沖進(jìn)行處理，然后測量一個周期的時間.

vhdl如何測量雙脈沖間隔

2，mosfet雙脈沖測試為什么使用電阻負(fù)載

用數(shù)字萬用表，上面有一個圓形的有六個孔的東西，那個就是測MOSFET管用的。
支持一下感覺挺不錯的

mosfet雙脈沖測試為什么使用電阻負(fù)載

3，請問什么是igbt的雙脈沖雙脈沖實驗有什么意義

就是在IGBT門級加連續(xù)兩個脈沖，脈沖寬度和間隔可調(diào)，負(fù)載為電感； 雙脈沖可以研究IGBT開通關(guān)斷的動態(tài)特性，比如開通延遲，電流上升時間，Eon，Eoff等

請問什么是igbt的雙脈沖雙脈沖實驗有什么意義

4，Saber下如何設(shè)置可得到雙脈沖示波器怎么接進(jìn)去

1. 其實你并不需要只有兩個周期的脈沖源，只需要將仿真時間設(shè)置得短一點，就是只仿兩個周期就可以了，你是要仿雙脈沖測試IGBT么？2. Saber中并不需要加示波器，仿真結(jié)束后所有的波形數(shù)據(jù)會形成一個文件，打開那個文件找到你想觀察的信號，打開就可以看到波形了。
1、確定隨機(jī)一路為基準(zhǔn)。 2、觀察其中兩路脈沖的位置。 3、以選擇基準(zhǔn)為參考，固定不動。 4、另一探頭分別觀察其他兩路波形，即可確定三相脈沖相序。

5，igbt的雙脈沖測試需要多大功率的直流源

500W足夠，電流500mA即可
igbt在國內(nèi)來說，開始越來越多的應(yīng)用，在電網(wǎng)，電動車，新能源汽車，家電行業(yè)，充電樁等行業(yè)應(yīng)用越來越廣泛，目前igbt測試儀，國內(nèi)hustec，華科智源等，進(jìn)口的有美國itc，德國lemsys,都很成熟了。電動車目前用的可能到3300v,1000a左右了，對于igbt模塊，幾單元封裝的，都沒有問題，當(dāng)然，主回路電感和雜散電感隨著功率增加，會有相應(yīng)的增大，如果涉及到1200v,200a左右的，可能能 做到65ns一下。igbt動態(tài)參數(shù)儀，一般能測量開關(guān)時間，反向恢復(fù)時間，短路特性，柵電荷，這些參數(shù)。對于雪崩能量，一般需要一臺單獨設(shè)備進(jìn)行測試。

6，IGBT動態(tài)測試是不是都是雙脈沖測試法啊單脈沖的有無雙脈沖有何

常見的都是雙脈沖去測試IGBT的動態(tài)參數(shù)測試，我沒見過單脈沖的測試，易恩電氣就是專門搞這個雙脈沖測試的，你可以問問他們
IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高。 IGBT在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關(guān)斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。 IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級達(dá)到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來實現(xiàn)高壓應(yīng)用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。
就是在igbt門級加連續(xù)兩個脈沖，脈沖寬度和間隔可調(diào)，負(fù)載為電感；雙脈沖可以研究igbt開通關(guān)斷的動態(tài)特性，比如開通延遲，電流上升時間，eon，eoff等
文章TAG：雙脈沖測試vhdl如何測量雙脈沖間隔

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