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雙脈沖測(cè)試，vhdl如何測(cè)量雙脈沖間隔

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-07 02:53:39 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，vhdl如何測(cè)量雙脈沖間隔

用一個(gè)更快的時(shí)鐘來(lái)出來(lái)，可以先對(duì)脈沖進(jìn)行處理，然后測(cè)量一個(gè)周期的時(shí)間.

vhdl如何測(cè)量雙脈沖間隔

2，mosfet雙脈沖測(cè)試為什么使用電阻負(fù)載

用數(shù)字萬(wàn)用表，上面有一個(gè)圓形的有六個(gè)孔的東西，那個(gè)就是測(cè)MOSFET管用的。
支持一下感覺挺不錯(cuò)的

mosfet雙脈沖測(cè)試為什么使用電阻負(fù)載

3，請(qǐng)問(wèn)什么是igbt的雙脈沖雙脈沖實(shí)驗(yàn)有什么意義

就是在IGBT門級(jí)加連續(xù)兩個(gè)脈沖，脈沖寬度和間隔可調(diào)，負(fù)載為電感； 雙脈沖可以研究IGBT開通關(guān)斷的動(dòng)態(tài)特性，比如開通延遲，電流上升時(shí)間，Eon，Eoff等

請(qǐng)問(wèn)什么是igbt的雙脈沖雙脈沖實(shí)驗(yàn)有什么意義

4，Saber下如何設(shè)置可得到雙脈沖示波器怎么接進(jìn)去

1. 其實(shí)你并不需要只有兩個(gè)周期的脈沖源，只需要將仿真時(shí)間設(shè)置得短一點(diǎn)，就是只仿兩個(gè)周期就可以了，你是要仿雙脈沖測(cè)試IGBT么？2. Saber中并不需要加示波器，仿真結(jié)束后所有的波形數(shù)據(jù)會(huì)形成一個(gè)文件，打開那個(gè)文件找到你想觀察的信號(hào)，打開就可以看到波形了。
1、確定隨機(jī)一路為基準(zhǔn)。 2、觀察其中兩路脈沖的位置。 3、以選擇基準(zhǔn)為參考，固定不動(dòng)。 4、另一探頭分別觀察其他兩路波形，即可確定三相脈沖相序。

5，igbt的雙脈沖測(cè)試需要多大功率的直流源

500W足夠，電流500mA即可
igbt在國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)，開始越來(lái)越多的應(yīng)用，在電網(wǎng)，電動(dòng)車，新能源汽車，家電行業(yè)，充電樁等行業(yè)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，目前igbt測(cè)試儀，國(guó)內(nèi)hustec，華科智源等，進(jìn)口的有美國(guó)itc，德國(guó)lemsys,都很成熟了。電動(dòng)車目前用的可能到3300v,1000a左右了，對(duì)于igbt模塊，幾單元封裝的，都沒有問(wèn)題，當(dāng)然，主回路電感和雜散電感隨著功率增加，會(huì)有相應(yīng)的增大，如果涉及到1200v,200a左右的，可能能 做到65ns一下。igbt動(dòng)態(tài)參數(shù)儀，一般能測(cè)量開關(guān)時(shí)間，反向恢復(fù)時(shí)間，短路特性，柵電荷，這些參數(shù)。對(duì)于雪崩能量，一般需要一臺(tái)單獨(dú)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

6，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試是不是都是雙脈沖測(cè)試法啊單脈沖的有無(wú)雙脈沖有何

常見的都是雙脈沖去測(cè)試IGBT的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，我沒見過(guò)單脈沖的測(cè)試，易恩電氣就是專門搞這個(gè)雙脈沖測(cè)試的，你可以問(wèn)問(wèn)他們
IGBT 在開通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過(guò)由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。 IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗(yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間，trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)與trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。 IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上，目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。
就是在igbt門級(jí)加連續(xù)兩個(gè)脈沖，脈沖寬度和間隔可調(diào)，負(fù)載為電感；雙脈沖可以研究igbt開通關(guān)斷的動(dòng)態(tài)特性，比如開通延遲，電流上升時(shí)間，eon，eoff等
文章TAG：雙脈沖測(cè)試vhdl如何測(cè)量雙脈沖間隔

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