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本文目錄一覽

1，歐姆接觸含義
2，在怎么樣的條件下金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸
3，什么叫歐姆接觸
4，為什么好的歐姆接觸要求金屬和半導(dǎo)體之間
5，歐姆接觸點為什么要足夠小
6，歐姆接觸的制備

1，歐姆接觸含義

金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù)所形成的接觸為歐姆接觸。

歐姆接觸含義

2，在怎么樣的條件下金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸

能形成歐姆接觸的條件比較多，比如蒸呂、半導(dǎo)體元器件背面金屬化的銀或者金、還有通過焊料或者銀漿對支架和半導(dǎo)體器件的粘接都屬于歐姆接觸，不明白你問的那種，不同的方式形成歐姆接觸的條件當(dāng)然不一樣了

在怎么樣的條件下金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸

3，什么叫歐姆接觸

所謂歐姆接觸，是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作復(fù)時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(Active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導(dǎo)體制間有低的界面能障(Barrier Height)（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≥10EXP12 cm-3)前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的知機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半導(dǎo)道體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。

什么叫歐姆接觸

4，為什么好的歐姆接觸要求金屬和半導(dǎo)體之間

所謂歐姆接觸。通俗地講，就是對接觸面加正/向電壓時，接觸面對載流子的阻擋力都很?。ɑ蚧鞠嗤?。從形成接觸的機理來看，任何兩種不同材料的接觸，都會形成整流效果（因為有接觸勢壘），因為沒有任何兩種材料的功函數(shù)是完全一樣的。以金屬和半導(dǎo)體的接觸為例，就形成很明顯的整流效果，這就是著名的肖脫基二極管。如果要考慮形成歐姆接觸，就要降低兩種接觸材料的功函數(shù)差（或降低其費米能級的差）。這樣才能降低他們的接觸勢壘的高度，使其向歐姆接觸的方向靠近。如何才能做到呢？好的方法之一，就是對半導(dǎo)體一側(cè)進行重摻雜，使其有更多的載流子，這樣接觸后可以減小與金屬一側(cè)的差距。

所謂歐姆接觸。通俗地講，就是對接觸面加正/向電壓時，接觸面對載流子的阻擋力都很?。ɑ蚧鞠嗤?從形成接觸的機理來看，任何兩種不同材料的接觸，都會形成整流效果（因為有接觸勢壘），因為沒有任何兩種材料的功函數(shù)是完全一樣的。

5，歐姆接觸點為什么要足夠小

接觸電阻一般是指開關(guān)或繼電器等等控制電器的觸點。對于觸點的要求接觸電阻要小最好是“0”歐，但一般都有，控制在0.1歐（小型的）以下。這對一般來說小電流時關(guān)系還不大，但大電流時就會發(fā)熱，有時電阻大的要燒壞觸點。根據(jù)物理學(xué)電產(chǎn)生熱的也就是接觸點在電流流過時產(chǎn)生的熱的公式：Q=0.24xI（工作電流的平方）xR（接觸電阻）xT（工作時間）。所以，開關(guān)和繼電器等等帶接觸點的控制器，對接觸電阻是有嚴格要求的，在應(yīng)用中應(yīng)注意。

所謂歐姆接觸，是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(qū)(active region)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件：（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障

記得高中物理里面有個歐姆定律的公式，里面好像電阻與接觸面積有關(guān)。。。你可以參考一下

6，歐姆接觸的制備

歐姆接觸制備是材料工程里研究很充分而不太有未知剩余的部分?？芍貜?fù)且可靠的接觸制備需要極度潔凈的半導(dǎo)體表面。例如，因為天然氧化物會迅速在硅表面形成，接觸的性能會十分敏感地取決于制備準備的細節(jié)。接觸制備的基礎(chǔ)步驟是半導(dǎo)體表面清潔、接觸金屬沉積、圖案制造和退火。表面清潔可以通過濺射蝕刻、化學(xué)蝕刻、反應(yīng)氣體蝕刻或者離子研磨。比如說，硅的天然氧化物可以通過蘸氫氟酸（HF）來去除，而砷化鎵（GaAs）則更具代表性的通過蘸溴化甲醇來清潔。清潔過后金屬通過濺射、蒸發(fā)沉積或者化學(xué)氣相沉積（CVD）沉積下來。濺射是金屬沉積中比蒸發(fā)沉積更快且更方便方法但是等離子帶來的離子轟擊可能會減少表面態(tài)或者甚至顛倒表面電荷載流子的類型。正因為此更為平和且依然快速的CVD是更加為人所傾向的方法。接觸的圖案制造是通過標(biāo)準平版照相術(shù)來完成的，比如剝落中接觸金屬是通過沉積于光刻膠層孔洞之中并稍后取出光刻膠來完成的。沉積后接觸的退火能有效去除張力并引發(fā)有利的金屬和半導(dǎo)體之間的反應(yīng)。