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PMOS電路，PMOS的G和S之間加電容起濾波作用源極接的電源

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-09-04 11:05:04 編輯：智能門(mén)戶(hù) 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，PMOS的G和S之間加電容起濾波作用源極接的電源
2，PMOS小信號(hào)等效電路怎么畫(huà)
3，什么是MOSNMOSPMOSCOMS
4，請(qǐng)教PMOS管開(kāi)關(guān)電路
5，什么是CMOS電路
6，什么是cmos電路

1，PMOS的G和S之間加電容起濾波作用源極接的電源

后面也是濾波電容，主要功能是抑制7812的自激振蕩。在交流—直流電源轉(zhuǎn)換電路中，二極管的作用是整流，把交流電壓變成單向脈動(dòng)電壓，再經(jīng)過(guò)電容變成帶有交流紋波成分的直流電壓，最后經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓器變成穩(wěn)定的質(zhì)量較高的直流電壓。

有一定的濾波、輸入信號(hào)緩慢變化的作用；內(nèi)部也有電容的；再外接電容，MOS的控制頻率會(huì)降低了，當(dāng)然你不要求速度沒(méi)啥關(guān)系；

PMOS的G和S之間加電容起濾波作用源極接的電源

2，PMOS小信號(hào)等效電路怎么畫(huà)

跟nmos類(lèi)似，只需要把柵源電壓取絕對(duì)值就可以了。NMOS英文全稱(chēng)為：N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

你好！跟nmos類(lèi)似，只需要把柵源電壓取絕對(duì)值就可以了：）如果對(duì)你有幫助，望采納。

PMOS小信號(hào)等效電路怎么畫(huà)

3，什么是MOSNMOSPMOSCOMS

MOS器件分為NMOS和PMOS,而CMOS是指互補(bǔ)的MOS管組成的電路，也就是PMOS,NMOS組成,NMOS是指溝道在柵電壓控制下p型襯底反型變成n溝道，靠電子的流動(dòng)PMOS是指 n型 p溝道，靠空穴的流動(dòng)CMOS相比Bipolar，優(yōu)點(diǎn)就是其功耗低，集成度高等等。當(dāng)然Bipolar的驅(qū)動(dòng)能力比CMOS強(qiáng)目前BiCMOS工藝就是結(jié)合了CMOS和Bipolar的優(yōu)點(diǎn)

nmos意思為n型金屬一氧化物半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為nmos晶體管; pmos是指n型襯底，p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的mos管；由mos管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為mos集成電路，由nmos和pmos兩種管子組成的互補(bǔ)mos電路即cmos電路。

什么是MOSNMOSPMOSCOMS

4，請(qǐng)教PMOS管開(kāi)關(guān)電路

KI2301的Vsg壓差要在8V以?xún)?nèi)，當(dāng)Q10導(dǎo)通時(shí)，這時(shí)的Vsg=Vin遠(yuǎn)大于8V,Q?要燒毀，在Q10的C極和Q?的G極間應(yīng)串一個(gè)電阻(大于20K)進(jìn)行分壓

感謝版主，這個(gè)電路是移動(dòng)電源的輸入端，想要的效果大概就是版主說(shuō)的那樣。

多謝。接入電源后，VIN=5V，三極管導(dǎo)通，MOS管S極電位為零，可是G極電位怎么看，因?yàn)镚極就是輸出，這樣VGS算滿(mǎn)足條件嗎？

如果真的有想要 (1) 當(dāng) VIN 低於某電壓(大約3V)時(shí)候 P MOS 應(yīng)該關(guān)閉。(2) 當(dāng) VIN沒(méi)有電壓的時(shí)候， VOUT 不要回灌 VIN?？梢詤⒖枷旅嬖韴D和仿真的結(jié)果。

仿真資料

圖2 原本電路設(shè)計(jì)應(yīng)該是：(1)R50 和 R60 作用是，當(dāng) VIN 低於某電壓(大約3V)時(shí)候 Q7 應(yīng)該關(guān)閉。(2)Q7 的 D 和 S 反接是為了 VOUT 不要回灌 VIN。但是實(shí)際上仿真後，因?yàn)?Q7 的 D 和 S 反接，卻造成 R50，R60 的作用失效。如果你有實(shí)際電路，應(yīng)該去測(cè)量一下是不是小於3V，Q7 仍是輸出電壓。

5，什么是CMOS電路

簡(jiǎn)單的說(shuō)CMOS電路就是廣義的大規(guī)模集成電路。

功耗 TTL門(mén)電路的空載功耗與CMOS門(mén)的靜態(tài)功耗相比，是較大的，約為數(shù)十毫瓦（mw）而后者僅約為幾十納(10-9)瓦；在輸出電位發(fā)生跳變時(shí)（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS門(mén)電路都會(huì)產(chǎn)生數(shù)值較大的尖峰電流，引起較大的動(dòng)態(tài)功耗。速度通常以為T(mén)TL門(mén)的速度高于“CMOS門(mén)電路。影響 TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開(kāi)關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大，工作速度越低。管子的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng)，門(mén)的工作速度越低。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱(chēng)為“速度-功耗積”，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小，表明器件的性能越好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門(mén)電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門(mén)的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。謝謝

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor，本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 mos電路分飛pmos和nmos 但兩者都有某種缺陷，于是設(shè)計(jì)了讓兩者互補(bǔ)的電路模式，成為COMS

6，什么是cmos電路

CMOS電路：　　CMOS即互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。采用CMOS技術(shù)可以將成對(duì)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）集成在一塊硅片上。該技術(shù)通常用于生產(chǎn)RAM和交換應(yīng)用系統(tǒng)，在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域里通常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息（如日期、時(shí)間、啟動(dòng)設(shè)置等）的RAM芯片?！　MOS由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門(mén)電路在瞬間要么PMOS導(dǎo)通、要么NMOS導(dǎo)通、要么都截至，比線性的三極管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低?！　∠鄬?duì)于其他邏輯系列，CMOS邏輯電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：　　1、允許的電源電壓范圍寬，方便電源電路的設(shè)計(jì)　　2、邏輯擺幅大，使電路抗干擾能力強(qiáng)　　3、靜態(tài)功耗低　　4、隔離柵結(jié)構(gòu)使CMOS器件的輸入電阻極大，從而使CMOS期間驅(qū)動(dòng)同類(lèi)邏輯門(mén)的能力比其他系列強(qiáng)得多

指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門(mén)電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。

簡(jiǎn)單的說(shuō)cmos電路就是廣義的大規(guī)模集成電路。

CMOS（Complementary互補(bǔ)的 Metal金屬 Oxide氧化物 Semiconductor半導(dǎo)體）互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體電壓控制

就是絕緣柵型晶體管，他有極好的且又極薄的絕緣層，極易靜電擊穿，大多數(shù)電腦集成電路塊就是用這種材料做成。

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