国内自拍2025999999,中文字幕在线无码不卡观看,一卡二卡网站在线观看

本文目錄一覽

1，dtvsstl哪個(gè)牛比啊
2，內(nèi)存條上小黑片上的數(shù)字是什么意思
3，SSTL是什么
4，電腦兼容性具體指什么內(nèi)存條后面的三個(gè)數(shù)字是什么意思有啥具體
5，DDR 和DDR2 內(nèi)存是什么意思
6，內(nèi)存DDR2和DDR3區(qū)別到底在哪

1，dtvsstl哪個(gè)牛比啊

100級(jí)以下DTVSSTL DT包贏 100級(jí)以上STL包贏（注意我說的情況必須是兩方的裝備相同，技能點(diǎn)數(shù)相同，雙修相同。技術(shù)相同，寶寶相同。）主要是STL太花錢了，血厚防低費(fèi)紅，武器持久用得太快。鷹擊打一下費(fèi)一點(diǎn)武器持久。到后期搞一把好武器，持久有限，誰(shuí)舍得亂砍啊。但無論如何，不算封系的話，STL是最強(qiáng)的職業(yè)。 DT就是不花錢，練起來方便。中前期很強(qiáng)。但是后期就垃圾了。注意哦，在夢(mèng)幻西游里，錢跟等級(jí)一樣重要

dtvsstl哪個(gè)牛比啊

2，內(nèi)存條上小黑片上的數(shù)字是什么意思

我先舉個(gè)例子HY5DV658010CTC-10s，HY表示這個(gè)內(nèi)存是什么品牌，那么這塊顯然就是現(xiàn)代，5D代表內(nèi)存是什么類型的。V是表示這個(gè)內(nèi)存的工作電壓是多少.V=3.3V.U：=2.5V.W=2.5V.S=1.8V ） 65是是表示內(nèi)存芯片容量密度和刷新速度8是表示內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)，可以看出它是由多少個(gè)黑色顆粒組成0表示它的儲(chǔ)蓄位1表示它的借口類型。1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18

我不會(huì)~~~但還是要微笑~~~：）

內(nèi)存條上小黑片上的數(shù)字是什么意思

3，SSTL是什么

不銹鋼（stainless steel）是不銹耐酸鋼的簡(jiǎn)稱，耐空氣、蒸汽、水等弱腐蝕介質(zhì)或具有不銹性的鋼種稱為不銹鋼；而將耐化學(xué)腐蝕介質(zhì)（酸、堿、鹽等化學(xué)浸蝕）腐蝕的鋼種稱為耐酸鋼。由于兩者在化學(xué)成分上的差異而使他們的耐蝕性不同，普通不銹鋼一般不耐化學(xué)介質(zhì)腐蝕，而耐酸鋼則一般均具有不銹性。

STUB SERIES TERMINATED LOGIC 短截線串聯(lián)端接邏輯SSTL接口標(biāo)準(zhǔn)也是JEDEC所認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)之一。該標(biāo)準(zhǔn)專門針對(duì)高速內(nèi)存(特別是SDRAM)接口。SSTL規(guī)定了開關(guān)特點(diǎn)和特殊的端接方案，它可獲得高達(dá)200MHz的工作頻率。SSTL接口標(biāo)準(zhǔn)將是下一代高速內(nèi)存接口的首選。目前，存在兩種SSTL的標(biāo)準(zhǔn)。SSTL_3是3.3V標(biāo)準(zhǔn)；SSTL_2是2.5V標(biāo)準(zhǔn)。針對(duì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，JEDEC根據(jù)輸出緩沖器的特點(diǎn)定義出多個(gè)不同的等級(jí)(I級(jí)和II級(jí)最受歡迎)。SSTL_2/3 I/O標(biāo)準(zhǔn)的主要應(yīng)用是與SDRAM接口。高端服務(wù)器、膝上計(jì)算機(jī)以及各種網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品，如ATM交換機(jī)、IP路由器/交換機(jī)和幀中繼接口等，均需要使用板上SDRAM。當(dāng)使用的是高速SDRAM時(shí)，就可選擇SSTL接口標(biāo)準(zhǔn)。常見SSTL接口有，SSTL-2，SSTL-3，SSTL-18。DDR采用SSTL-2，SSTL-3，DDR2采用SSTL-18，SSTL-2，DDR3采用SSTL-15。（度百科）

SSTL是什么

4，電腦兼容性具體指什么內(nèi)存條后面的三個(gè)數(shù)字是什么意思有啥具體

電腦兼容性指運(yùn)行出不出問題內(nèi)存條后面的三個(gè)數(shù)字是內(nèi)存的主屏

電腦兼容性具體指什么？就是電腦能不能穩(wěn)定使用!!! 性=率! 兼容性差= 穩(wěn)定率差!!! 內(nèi)存條后面的三個(gè)數(shù)字是什么意思，有啥具體含義？現(xiàn)在不至三個(gè)數(shù)字了指的是頻率 MHZ 具體就是速度!! 數(shù)字越大越好! 現(xiàn)在主流是 DDR2代 800 很快就 1066 了

如今內(nèi)存主流頻率就是667 800 習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。兼容性就多了，比如主板兼容45NM的處理器，支持不支持DDR2內(nèi)存，SATA硬盤，主板的前線總段大于CPU的

最好是同一批貨的內(nèi)存兼容性好

兼容就是指各個(gè)配件之間搭配合協(xié),能把性能發(fā)揮到最大而不現(xiàn)意外我先舉個(gè)例子 HY5DV658010CTC-10s，HY表示這個(gè)內(nèi)存是什么品牌，那么這塊顯然就是現(xiàn)代，5D代表內(nèi)存是什么類型的。 V是表示這個(gè)內(nèi)存的工作電壓是多少.V=3.3V.U：=2.5V.W=2.5V.S=1.8V ） 65是是表示內(nèi)存芯片容量密度和刷新速度 8是表示內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)，可以看出它是由多少個(gè)黑色顆粒組成 0表示它的儲(chǔ)蓄位 1表示它的借口類型。1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18 內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前市面上已推出的內(nèi)存產(chǎn)品中最高能達(dá)到1066MHz的主頻，而較為主流的是667MHz和800MHz的DDR2內(nèi)存。

DDR1型號(hào)：有266 333 400 DDR2型號(hào)：有 533 667 800 1066 DDR3型號(hào)：有1066 1333

5，DDR 和DDR2 內(nèi)存是什么意思

嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。　　SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。　　與SDRAM相比：DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。　　從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。　　DDR2內(nèi)存起始頻率從DDR內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400Mhz開始，現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。DDR2采用全新定義的240 PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)。　　DDR2和DDR一樣，采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑亲畲蟮膮^(qū)別在于，DDR2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDR2則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。　　DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于所謂的兩倍于DDR的傳輸能力，而是，在采用更低發(fā)熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。　　DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級(jí)和擴(kuò)展，DDR2顯存把DDR顯存的“2bit Prefetch(2位預(yù)取)”技術(shù)升級(jí)為“4 bit Prefetch(4位預(yù)取)”機(jī)制，在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍，在相同顯存位寬的情況下，把顯存帶寬也整整提高了一倍，這對(duì)顯卡的性能提升是非常有益的。從技術(shù)上講，DDR2顯存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而非DDR顯存的2個(gè)數(shù)據(jù)，這樣DDR2顯存便實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理4bit數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR顯存處理的2bit數(shù)據(jù)提高了一倍。相比DDR顯存，DDR2顯存的另一個(gè)改進(jìn)之處在于它采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式，工作電壓也由2.5V降為1.8V。　　由于DDR2顯存提供了更高頻率，性能相應(yīng)得以提升，但也帶來了高發(fā)熱量的弊端。加之結(jié)構(gòu)限制無法采用廉價(jià)的TSOP封裝，不得不采用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產(chǎn)能不足，成本問題更甚)。發(fā)熱量高、價(jià)格昂貴成為采用DDR2顯存顯卡的通病，如率先采用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產(chǎn)品?；谝陨显颍珼DR2并未在主流顯卡上廣泛應(yīng)用。

恩是不一樣的。DDR是184針的，DDR2是240針的，上面的那個(gè)防呆口，就是那個(gè)缺口的位置不一樣，DDR2短的那邊要更短一些。

簡(jiǎn)單說是插槽不一樣 DDR是184針的，DDR2是240針的

6，內(nèi)存DDR2和DDR3區(qū)別到底在哪

簡(jiǎn)單地說，DDR2和DDR3的主要區(qū)別是，DDR3能夠達(dá)到DDR2兩倍左右的外部傳輸速度，這是因?yàn)殡S著計(jì)算機(jī)內(nèi)部總線的傳輸速度的提升，DDR2的速度已經(jīng)無法滿足最新的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣鹊囊罅恕，F(xiàn)在主流的DDR2能到達(dá)的速度是800MHZ，而DDR3可以達(dá)到1600MHZ 內(nèi)存和顯卡使用的都是一樣的存儲(chǔ)技術(shù)，只不過內(nèi)存目前DDR2較為普及，而顯存使用的主流是DDR3，因?yàn)橄鄬?duì)內(nèi)存來說，顯存的速度要求更高。有一些顯卡使用了DDR4顯存，如3870和部分4850，還有使用了DDR5顯存的，如4870

插槽不同,頻率不同,速度不同

速度方面

ddr2與ddr3的區(qū)別 1、邏輯bank數(shù)量 2、封裝（packages） 3、突發(fā)長(zhǎng)度（bl，burst length） 3、尋址時(shí)序（timing） 4、新增功能——重置（reset） 5、新增功能——zq校準(zhǔn) 6、參考電壓分成兩個(gè) 7、根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新（srt，self-refresh temperature） 8、局部自刷新（rasr，partial array self-refresh） 9、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（p2p，point-to-point）除了以上9點(diǎn)之外，ddr3還在功耗管理，多用途寄存器方面有新的設(shè)計(jì)，但由于仍入于討論階段，且并不是太重要的功能，在此就不詳細(xì)介紹了

內(nèi)存的667和800指的是主頻，主頻越高速度就越快。DDR3內(nèi)存現(xiàn)在用的不是特別多，價(jià)錢高消費(fèi)比不好，現(xiàn)在用DDR2比較合適，等3代普及價(jià)錢下降點(diǎn)在換DDR3，反正現(xiàn)在的主板一般都支持3代內(nèi)存。

嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比：DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了 DLL(Delay Locked Loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn) SDRA的兩倍。從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個(gè)針腳，主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。DDR2內(nèi)存起始頻率從DDR內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率400Mhz開始，現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標(biāo)準(zhǔn)工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。DDR2采用全新定義的240 PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口標(biāo)準(zhǔn)。DDR2和DDR一樣，采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但是最大的區(qū)別在于，DDR2內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDR2則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于所謂的兩倍于DDR的傳輸能力，而是，在采用更低發(fā)熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。最后說下DDR3其實(shí)它相對(duì)來說我覺得叫DDR2pro應(yīng)該更為貼切.因?yàn)樗鋵?shí)是DDR2的延伸..只是提升了頻率降低了能耗..實(shí)際的技術(shù)并沒有特別的變化現(xiàn)在DDR3內(nèi)存相對(duì)來說似乎還是一些中高檔顯卡用的,系統(tǒng)用到的還比較少..