內(nèi)光電效應(yīng)，什么是光電效應(yīng)根據(jù)其表現(xiàn)形式如何分類

來源：整理時間：2023-09-08 07:16:14 編輯：智能門戶手機版

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1，什么是光電效應(yīng)根據(jù)其表現(xiàn)形式如何分類
2，什么叫做內(nèi)光電效應(yīng)
3，內(nèi)光電效應(yīng)的半導體的內(nèi)光電效應(yīng)
4，內(nèi)光電效應(yīng)的兩種類型及特征
5，內(nèi)外光電效應(yīng)的區(qū)別
6，什么是光電效應(yīng)啊

1，什么是光電效應(yīng)根據(jù)其表現(xiàn)形式如何分類

在光線的作用下,物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng).當光照射在物體上,使物體的電阻率ρ發(fā)生變化,或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫做內(nèi)光電效應(yīng),它多發(fā)生于半導體內(nèi).根據(jù)工作原理的不同,內(nèi)光電效應(yīng)分為光電導效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)兩類.

什么是光電效應(yīng)根據(jù)其表現(xiàn)形式如何分類

2，什么叫做內(nèi)光電效應(yīng)

是光電效應(yīng)的一種，主要由于光量子作用，引發(fā)物質(zhì)電化學性質(zhì)變化。內(nèi)光電效應(yīng)又可分為光電導效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。　　光電導效應(yīng)：當入射光子射入到半導體表面時，半導體吸收入射光子產(chǎn)生電子空穴對，使其自生電導增大。光生伏特效應(yīng)：當一定波長的光照射非均勻半導體（如PN結(jié)），在自建場的作用下，半導體內(nèi)部產(chǎn)生光電壓。

什么叫做內(nèi)光電效應(yīng)

3，內(nèi)光電效應(yīng)的半導體的內(nèi)光電效應(yīng)

半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙,其能量間隔為Eg。一般情況下,價帶中的電子不會自發(fā)地躍遷到導帶,所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量,就可以將其激發(fā)到導帶中,形成載流子,增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg (Eg為帶隙間隔)時,價帶中的電子就會吸收光子的能量,躍遷到導帶,而在價帶中留下一個空穴,形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子,但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應(yīng)。因此,這種光電效應(yīng)就是一種內(nèi)光電效應(yīng)。從理論和實驗結(jié)果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即E入=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關(guān)系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發(fā)生電子的帶間躍遷。

金屬的光電效應(yīng)產(chǎn)生的原因是電子在光照下逸出，產(chǎn)生電位差，而半導體的光電效應(yīng)產(chǎn)生的原因是由于光照下驅(qū)動半導體內(nèi)的空穴移動，從而產(chǎn)生電流

內(nèi)光電效應(yīng)的半導體的內(nèi)光電效應(yīng)

4，內(nèi)光電效應(yīng)的兩種類型及特征

內(nèi)光電效應(yīng)分為光電導效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)兩類：（1）光電導效應(yīng) 在光線作用，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過渡到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化，這種現(xiàn)象被稱為光電導效應(yīng)?；谶@種效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。過程：當光照射到半導體材料上時，價帶中的電子受到能量大于或等于禁帶寬度的光子轟擊，并使其由價帶越過禁帶躍入導帶，如圖，使材料中導帶內(nèi)的電子和價帶內(nèi)的空穴濃度增加，從而使電導率變大。（2）光生伏特效應(yīng) 在光線作用下能夠使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象叫做光生伏特效應(yīng)。基于該效應(yīng)的光電器件有光電池和光敏二極管、三極管。 ①勢壘效應(yīng)（結(jié)光電效應(yīng)）。接觸的半導體和PN結(jié)中，當光線照射其接觸區(qū)域時，便引起光電動勢，這就是結(jié)光電效應(yīng)。以PN結(jié)為例，光線照射PN結(jié)時，設(shè)光子能量大于禁帶寬度Eg，使價帶中的電子躍遷到導帶，而產(chǎn)生電子空穴對，在阻擋層內(nèi)電場的作用下，被光激發(fā)的電子移向N區(qū)外側(cè)，被光激發(fā)的空穴移向P區(qū)外側(cè)，從而使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負電，形成光電動勢。 ②側(cè)向光電效應(yīng)。當半導體光電器件受光照不均勻時，有載流子濃度梯度將會產(chǎn)生側(cè)向光電效應(yīng)。當光照部分吸收入射光子的能量產(chǎn)生電子空穴對時，光照部分載流子濃度比未受光照部分的載流子濃度大，就出現(xiàn)了載流子濃度梯度，因而載流子就要擴散。如果電子遷移率比空穴大，那么空穴的擴散不明顯，則電子向未被光照部分擴散，就造成光照射的部分帶正電，未被光照射部分帶負電，光照部分與未被光照部分產(chǎn)生光電動勢?；谠撔?yīng)的光電器件如半導體光電位置敏感器件（PSD）。

你好。就讓我們按照以下流程來認識這張有關(guān)光電效應(yīng)的圖片吧。（1）首先我們來認識一下圖中的各個元件及其特性。①直流電源、微安計、電壓表、滑動變阻器想必你已十分熟悉。②k與a分別是密封在真空玻璃管中的陰極與陽極。k在收到光照時能夠發(fā)射光電子，從而在微安表、電壓表回路中形成光電流。（2）其次我們來認識一下電路的連接特點。①k、a電極組成一組類似于平行板電容器的結(jié)構(gòu)，無光照時相當于開路。②微安計并沒有接在直流電源的電路中，它顯示的完全就是光電流的大小。③電壓表的示數(shù)即為加在真空管兩端的電壓，其大小可由滑動變阻器調(diào)控。（3）接下來我們再來認識一下光電效應(yīng)的幾個特點。（這里多處參考了人教版《物理選修3-5》，與圖的關(guān)系也許并不是太大，但有助于你對光電效應(yīng)的理解）①存在飽和電流。當光照條件一定時，隨著所加電壓的增大，光電流趨近于一個飽和值。也就是說，在電流較小時電流隨電壓增大，但當電流增加到一定值之后，即使電壓再增加，電流也不增加了。②存在遏止電壓。當所加電壓為0時，光電流并不為0，只有當施加一個反向電壓時，電流才可能為0。③存在截止頻率。當入射光的頻率小到某一值時，即使不施加反向電壓也沒有光電流了，無論入射光多強。至于光電效應(yīng)的解釋，如果你有興趣，我們可以單獨聊。可以加我。by凍結(jié)的火

5，內(nèi)外光電效應(yīng)的區(qū)別

1.外光電效應(yīng)指在光的照射下，材料中的電子逸出表面的現(xiàn)象。光電管及光電倍增管均屬這一類。它們的光電發(fā)射極，即光明極就是用具有這種特性的材料制造的。2.內(nèi)光電效應(yīng)指在光的照射下，材料的電阻率發(fā)生改變的現(xiàn)象。光敏電阻即屬此類。光電效應(yīng)光照射到某些物質(zhì)上 , 引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化 , 這類光致電變的現(xiàn)象統(tǒng)稱為光電效應(yīng)。光電效應(yīng)一般分為外光電效應(yīng)和內(nèi)光電效應(yīng)。內(nèi)光電效應(yīng)是被光激發(fā)所產(chǎn)生的載流子 (自由電子或空穴)仍在物質(zhì)內(nèi)部運動,使物質(zhì)的電導率發(fā)生變化或產(chǎn)生光生伏特的現(xiàn)象。外光電效應(yīng)是被光激發(fā)產(chǎn)生的電子逸出物質(zhì)表面,形成真空中的電子的現(xiàn)象。一、外光電效應(yīng)在光線的作用下, 物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)。向外發(fā)射的電子叫做光電子。基于外光電效應(yīng)的光電器件有光電管、光電倍增管等。光子是具有能量的粒子,每個光子的能量:E=hvh— 普朗克常數(shù), 6.626×10-34J·s ; ν— 光的頻率(s -1)根據(jù)愛因斯坦假設(shè),一個電子只能接受一個光子的能量,所以要使一個電子從物體表面逸出, 必須使光子的能量大于該物體的表面逸出功, 超過部分的能量表現(xiàn)為逸出電子的動能。外光電效應(yīng)多發(fā)生于金屬和金屬氧化物, 從光開始照射至金屬釋放電子所需時間不超過 10-9s 。根據(jù)能量守恒定理E=hv-W該方程稱為愛因斯坦光電效應(yīng)方程。二、內(nèi)光電效應(yīng)當光照在物體上, 使物體的電導率發(fā)生變化, 或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象。分為光電導效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)(光伏效應(yīng)) 。1 光電導效應(yīng)在光線作用下, 電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài), 而引起材料電導率的變化。當光照射到光電導體上時, 若這個光電導體為本征半導體材料, 且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去,使光導體的電導率變大。基于這種效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。2 光生伏特效應(yīng)在光作用下能使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。基于該效應(yīng)的器件有光電池和光敏二極管、三極管。① 壘效應(yīng)(結(jié)光電效應(yīng))光照射 PN 結(jié)時,若 hf ≧ Eg ,使價帶中的電子躍遷到導帶,而產(chǎn)生電子空穴對,在阻擋層內(nèi)電場的作用下,電子偏向 N 區(qū)外側(cè),空穴偏向 P 區(qū)外側(cè),使 P 區(qū)帶正電, N 區(qū)帶負電,形成光生電動勢。② 側(cè)向光電效應(yīng)(丹培效應(yīng))當半導體光電器件受光照不均勻時,光照部分產(chǎn)生電子空穴對,載流子濃度比未受光照部分的大,出現(xiàn)了載流子濃度梯度,引起載流子擴散,如果電子比空穴擴散得快,導致光照部分帶正電,未照部分帶負電,從而產(chǎn)生電動勢,即為側(cè)向光電效應(yīng)。③ 光電磁效應(yīng)半導體受強光照射并在光照垂直方向外加磁場時, 垂直于光和磁場的半導體兩端面之間產(chǎn)生電勢的現(xiàn)象稱為光電磁效應(yīng), 可視之為光擴散電流的霍爾效應(yīng)。④貝克勒耳效應(yīng)是指液體中的光生伏特效應(yīng)。當光照射浸在電解液中的兩個同樣電極中的一個電極時, 在兩個電極間產(chǎn)生電勢的現(xiàn)象稱為貝克勒耳效應(yīng)。感光電池的工作原理基于此效應(yīng)。

1.外光電效應(yīng)指在光的照射下，材料中的電子逸出表面的現(xiàn)象。光電管及光電倍增管均屬這一類。它們的光電發(fā)射極，即光明極就是用具有這種特性的材料制造的。 2.內(nèi)光電效應(yīng)指在光的照射下，材料的電阻率發(fā)生改變的現(xiàn)象。光敏電阻即屬此類。

內(nèi)外光電效應(yīng)是光電效應(yīng)的一種，主要由于光量子作用，引發(fā)物質(zhì)電化學性質(zhì)變化。外光電效應(yīng)是指物質(zhì)吸收光子并激發(fā)出自由電子的行為僅供參考歡迎采納希望幫到你

在光的作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面，向外發(fā)射的現(xiàn)象叫外光電效應(yīng)。當光照射到物體上，使物體的電阻率發(fā)生變化或者產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。內(nèi)光電效應(yīng)包括：光電導效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)。

6，什么是光電效應(yīng)啊

光電效應(yīng)是物理學中一個重要而神奇的現(xiàn)象。在高于某特定頻率的電磁波照射下，某些物質(zhì)內(nèi)部的電子會被光子激發(fā)出來而形成電流，即光生電。光電現(xiàn)象由德國物理學家赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)，而正確的解釋為愛因斯坦所提出?？茖W家們在研究光電效應(yīng)的過程中，物理學者對光子的量子性質(zhì)有了更加深入的了解，這對波粒二象性概念的提出有重大影響。光照射到金屬上，引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化。這類光變致電的現(xiàn)象被人們統(tǒng)稱為光電效應(yīng)（Photoelectric effect）。光電效應(yīng)分為光電子發(fā)射、光電導效應(yīng)和阻擋層光電效應(yīng)，又稱光生伏特效應(yīng)。前一種現(xiàn)象發(fā)生在物體表面，又稱外光電效應(yīng)。后兩種現(xiàn)象發(fā)生在物體內(nèi)部，稱為內(nèi)光電效應(yīng)。按照粒子說，光是由一份一份不連續(xù)的光子組成，當某一光子照射到對光靈敏的金屬(如硒)上時，它的能量可以被該金屬中的某個電子全部吸收。電子吸收光子的能量后，動能立刻增加;如果動能增大到足以克服原子核對它的引力，就能在十億分之一秒時間內(nèi)飛逸出金屬表面，成為光電子，形成光電流。單位時間內(nèi)，入射光子的數(shù)量愈大，飛逸出的光電子就愈多，光電流也就愈強，這種由光能變成電能自動放電的現(xiàn)象，就叫光電效應(yīng)。赫茲于1887年發(fā)現(xiàn)光電效應(yīng)，愛因斯坦第一個成功的解釋了光電效應(yīng)（金屬表面在光輻照作用下發(fā)射電子的效應(yīng)，發(fā)射出來的電子叫做光電子）。光波長小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，即極限波長，對應(yīng)的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決于金屬材料，而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而與光強度無關(guān)，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應(yīng)的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面?？墒聦嵤牵灰獾念l率高于金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，電子的產(chǎn)生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關(guān)的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成。光電效應(yīng)里電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂光電效應(yīng)直于金屬表面射出，與光照方向無關(guān)。光是電磁波，但是光是高頻震蕩的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產(chǎn)生影響。光電效應(yīng)說明了光具有粒子性。相對應(yīng)的，光具有波動性最典型的例子就是光的干涉和衍射。只要光的頻率超過某一極限頻率，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子，發(fā)生光電效應(yīng)。當在金屬外面加一個閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。但光電流不會無限增大，要受到光電子數(shù)量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。所以，當入射光強度增大時，根據(jù)光子假設(shè)，入射光的強度（即單位時間內(nèi)通過單位垂直面積的光能）決定于單位時間里通過單位垂直面積的光子數(shù)，單位時間里通過金屬表面的光子數(shù)也就增多，于是，光子與金屬中的電子碰撞次數(shù)也增多，因而單位時間里從金屬表面逸出的光電子也增多，電流也隨之增大。

光照射到某些物質(zhì)上，引起物質(zhì)的電性質(zhì)發(fā)生變化。這類光致電變的現(xiàn)象被人們統(tǒng)稱為光電效應(yīng)（photoelectric effect）。　　光電效應(yīng)分為光電子發(fā)射、光電導效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。前一種現(xiàn)象發(fā)生在物體表面，又稱外光電效應(yīng)。后兩種現(xiàn)象發(fā)生在物體內(nèi)部，稱為內(nèi)光電效應(yīng)?！　『掌澯?887年發(fā)現(xiàn)光電效應(yīng)，愛因斯坦第一個成功的解釋了光電效應(yīng)。金屬表面在光輻照作用下發(fā)射電子的效應(yīng)，發(fā)射出來的電子叫做光電子。光波長小于某一臨界值時方能發(fā)射電子，即極限波長，對應(yīng)的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決于金屬材料，而發(fā)射電子的能量取決于光的波長而與光強度無關(guān)，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應(yīng)的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面?？墒聦嵤?，只要光的頻率高于金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產(chǎn)生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關(guān)的嚴格規(guī)定的能量單位(即光子或光量子)所組成?！　」怆娦?yīng)里，電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金屬表面射出，與光照方向無關(guān) ,光是電磁波，但是光是高頻震蕩的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產(chǎn)生影響.