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臺(tái)積電有多牛,臺(tái)積電和高通哪個(gè)厲害

來源:整理 時(shí)間:2025-01-13 09:11:59 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,臺(tái)積電和高通哪個(gè)厲害

目前在手機(jī)芯片設(shè)計(jì)上高通比較強(qiáng)一些,但是生產(chǎn)代工方面臺(tái)積電比較強(qiáng)一些。
臺(tái)積電在810上被坑,所以高通也不信任臺(tái)積電20nm工藝,何況當(dāng)時(shí)臺(tái)積電在做蘋果a9訂單。

臺(tái)積電和高通哪個(gè)厲害

2,臺(tái)積電為什么超越英特爾

僅僅只是市值超過了,很大部分是移動(dòng)芯片業(yè)務(wù)造成的,要真想在市場(chǎng)產(chǎn)品占有率上超越,不可能的,就跟微軟一樣,有什么操作系統(tǒng)能超越他的市場(chǎng)占有率嗎?還沒有
矯健際布失學(xué)澳古

臺(tái)積電為什么超越英特爾

3,臺(tái)積電和華為哪個(gè)更厲害

這兩家公司從事的領(lǐng)域不一樣,不好比較。臺(tái)積電主要是做芯片代工。華為是電信基礎(chǔ)商
臺(tái)積電再歷害也只是一個(gè)企業(yè)而已,但華為的歷害是因?yàn)樗恢故且粋€(gè)企來,我這么說希望你能明白。供參考。

臺(tái)積電和華為哪個(gè)更厲害

4,有誰能具體解釋一下臺(tái)積電臺(tái)聯(lián)電

臺(tái)灣擁有兩個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)的巨頭:臺(tái)積電(TSMC)和臺(tái)聯(lián)電(UMC)。與早前我們提到的公司不同,這兩間公司并不生產(chǎn)它們自己的品牌,它們只是按單工作。這兩間公司通常被認(rèn)為是公平的玩家,但臺(tái)積電領(lǐng)先了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。 臺(tái)積電成立于1987年,現(xiàn)在擁有7座200mm晶圓廠和2座300mm晶圓廠。目前它的最好生產(chǎn)技術(shù)是130nm - 使用了low-k 絕緣材料的8層銅互連技術(shù),晶體管的門寬為80nm。這與其它對(duì)手來說毫不遜色,并且早在2000就開始 投產(chǎn)了,其中成功生產(chǎn)的產(chǎn)品有VIA C3。

5,臺(tái)積電芯片在當(dāng)今世界處在什么水平

最領(lǐng)先,技術(shù)上已經(jīng)超越三星、英特爾,市值截止2016年10月27號(hào)凌晨已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)世界第一。中國大陸起碼落后臺(tái)積電15年
iphone 6s a9處理器上鬧出的代工門事件,讓蘋果很是無語,對(duì)于接下來的a10,他們一定杜絕同樣的事情發(fā)生,那就全部交給臺(tái)積電了?臺(tái)灣媒體稱,蘋果悄悄與臺(tái)積電達(dá)成共識(shí),即用于iphone 7上的a10處理器將全部由后者來代工,依然是基于16nm工藝制程?,F(xiàn)在,臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)給出的報(bào)道稱,三星減緩了晶片廠的擴(kuò)建腳步,主要原因14nm制程跟臺(tái)積電16nm制程競(jìng)爭(zhēng)中,處于劣勢(shì),或者說被完爆。對(duì)于這樣的情況,產(chǎn)業(yè)鏈人士強(qiáng)調(diào),蘋果當(dāng)初跟三星合作,讓其代工a9處理器,主要是14nm制程暫時(shí)領(lǐng)先于臺(tái)積電的16nm,不過后來情況發(fā)生了逆轉(zhuǎn)。目前,三星依然沒有很好的解決14nm良品率的問題,這對(duì)于他們來說是個(gè)問題,而即將到來的a10,產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電將會(huì)拿下9成的訂單,對(duì)于用戶來說,這也是好事,因?yàn)椴挥眉m結(jié)選擇哪個(gè)版本了。

6,說一說臺(tái)積電到底有多強(qiáng)大

之前我們?cè)鴮?duì)iPhone 6S里的A9處理器進(jìn)行過詳細(xì)的技術(shù)分析,基本了解了它的秘密,但結(jié)果發(fā)現(xiàn),有一點(diǎn)是錯(cuò)誤的。當(dāng)時(shí)根據(jù)已知消息和性能評(píng)估,認(rèn)為A9的三級(jí)緩存容量達(dá)到了8MB,相比于A8 4MB翻了一番,所以表現(xiàn)更好,但是經(jīng)過進(jìn)一步的探尋,發(fā)現(xiàn)A9的三級(jí)緩存其實(shí)還是4MB,大小并沒有變。最直接的證據(jù)就是芯片面積分析。A8是臺(tái)積電20nm工藝造的,三級(jí)緩存部分面積約4.9平方毫米,而臺(tái)積電16nm版本的A9三級(jí)緩存部分面積約4.5平方毫米??紤]到臺(tái)積電16nm本來就是在20nm基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的,金屬間距都沒變,對(duì)三級(jí)緩存SRAM的影響很小,足以證明A9的三級(jí)緩存容量沒變。但是,蘋果重新設(shè)計(jì)了A9三級(jí)緩存的架構(gòu),從包容式(Inclusive)變成了淘汰式(Victim)。簡單地說,包容式緩存會(huì)包含一份上級(jí)緩存數(shù)據(jù)的完整拷貝,比如說A8二級(jí)緩存1MB、三級(jí)緩存4MB,后者其實(shí)就有四分之一的空間是前者的復(fù)制品,實(shí)際有效容量為3MB。A9的二級(jí)緩存增大到3MB,再這么干顯然不行了,所以4MB的三級(jí)緩存就完全是自己的。這樣做的壞處當(dāng)然是延長了三級(jí)緩存的延遲,但占用的芯片面積也小了,就看你怎么選了。再看看這張之前的緩存/內(nèi)存延遲測(cè)試圖,可以明顯發(fā)現(xiàn)3MB、7MB兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的延遲發(fā)生了突變,正好對(duì)應(yīng)三級(jí)緩存的開始和結(jié)束。之前對(duì)這塊理解有誤。另外可以看出,A9的緩存延遲相比于A8其實(shí)大大降低了,所以蘋果選擇改變?cè)O(shè)計(jì)是很明智的。不知道下一代A10會(huì)怎么設(shè)計(jì)呢?延續(xù)A9?還是像A9X那樣完全取消三級(jí)緩存?
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