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變?nèi)荻O管,變?nèi)荻O管原理

來源:整理 時間:2025-03-07 19:17:45 編輯:智能門戶 手機版

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1,變?nèi)荻O管原理

做成的二、三極管內(nèi)部都有合金結(jié),這個結(jié)叫PN結(jié),一般PN結(jié)都有結(jié)電容,結(jié)電容隨外加電壓變化變大或變小,利用這個特性,采用了專門工藝做成了變?nèi)荻O管。普通可變電容采用機械調(diào)節(jié)改變?nèi)萘?,變?nèi)荻O管用電調(diào)方式改變?nèi)萘?,有它的?yōu)點。

變?nèi)荻O管原理

2,變?nèi)荻O管的作用特點

1、變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管,改變其PN結(jié)上的反向偏壓,即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高,結(jié)電容則越少,反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的,如右圖所示。2、變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解:(a) 反向偏壓增加,造成電容減少;(b) 反向偏壓減少,造成電容增加。電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示最小值、標(biāo)稱值及最大值,這些經(jīng)常繪在圖上。

變?nèi)荻O管的作用特點

3,變?nèi)荻O管的工作原理

變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜?,是根?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導(dǎo)體。也就是說,作為可變電容器,可以被應(yīng)用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。其實我們可以把它看成一個PN結(jié),我們想,如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V(變?nèi)荻O管是反向來用的),則N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子被引向正極,P型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴被引向負(fù)極,然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層,該耗盡層的寬度我們設(shè)為d,隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來,反向電壓V增大,則耗盡層d變寬,二極管的電容量C就減少(根據(jù)C=kS/d),而反向電壓減小,則耗盡層寬d變窄,二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化,從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達(dá)到了目的。變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、如圖4-18所示。通常,中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。常用變?nèi)荻O管參數(shù)。

變?nèi)荻O管的工作原理

4,variable capacitance diode是什么意思

variable capacitance diode[英][?v??ri?bl k??p?s?t?ns ?dai?ud][美][?v?ri?b?l k??p?s?t?ns ?da??od]變?nèi)荻O管; 變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)又稱"可變電抗二極管"。是一種利用PN結(jié)電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管主要參量是:零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等。工作原理:變?nèi)荻O管(Varactor Diodes)為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜?,是根?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導(dǎo)體。也就是說,作為可變電容器,可以被應(yīng)用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。其實我們可以把它看成一個PN結(jié),我們想,如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V(變?nèi)荻O管是反向來用的),則N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子被引向正極,P型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴被引向負(fù)極,然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層,該耗盡層的寬度我們設(shè)為d,隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來,反向電壓V增大,則耗盡層d變寬,二極管的電容量C就減少(根據(jù)C=kS/d),而反向電壓減小,則耗盡層寬d變窄,二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化,從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達(dá)到了目的。變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件,在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式。通常,中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。常用變?nèi)荻O管參數(shù)。
你好!variable capacitance diode變?nèi)荻O管雙語對照詞典結(jié)果:variable capacitance diode[英][?v??ri?bl k??p?s?t?ns ?dai?ud][美][?v?ri?b?l k??p?s?t?ns ?da??od]變?nèi)荻O管; 以上結(jié)果來自金山詞霸-----------------------------------如有疑問歡迎追問!滿意請點擊右上方【選為滿意回答】按鈕如有疑問,請追問。

5,變?nèi)荻O管

以下幾種是常用的變?nèi)荻O管,你可以參考:303B 3~5p(25V) 18p(3V) >6 1000MHz 2AC1 2p(25V) 27p(3V) >7 50MHz 2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~6 50MHz 2CB14 3p(25V) 18~30p(3V) 5~7 50MHz 2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 >800MHz ISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHz AM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AM BB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AM ISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AM S-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 >600MHz MV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHF KV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AM KV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 >100MHz IS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AM S208 2.7p(9V) 17p(4V) >4.5 >900MHz MV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHF DB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHz BB112 10p(25V) 180p(3V) >16 AM
其又稱"可變電抗二極管"。是一種利用pn結(jié)電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大,則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。主要參量是:零偏結(jié)電容。零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等,對于不同用途,應(yīng)選用不同c和vr特性的變?nèi)輒極管,如有專用于諧振電路調(diào)諧的電調(diào)變?nèi)荻O管、適用于參放的參放變?nèi)荻O管以及用于固體功率源中倍頻,移相的功率階躍變?nèi)荻O管等。   用于自動頻率控制(afc)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其pn結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓vr變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。

6,變?nèi)荻O管變?nèi)荻O管是什么意思

又稱"可變電抗二極管"。是一種利用PN結(jié)電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大,則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。主要參量是:零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等,對于不同用途,應(yīng)選用不同C和Vr特性的變?nèi)荻O管,如有專用于諧振電路調(diào)諧的電調(diào)變?nèi)荻O管、適用于參放的參放變?nèi)荻O管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)荻O管等?! ∮糜谧詣宇l率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 "PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計出來的一種特殊二極管。二極管的PN結(jié)具有結(jié)電容,當(dāng)加反向電壓時,阻擋層加厚,結(jié)電容減小,所以改變反向電壓的大小可以改變PN結(jié)的結(jié)電容大小,這樣二極管就可以作為可變電容器用。變?nèi)荻O管是一種電抗可變的非線性電路元件,一般使用的材料為硅或砷化鎵。變?nèi)荻O管廣泛用于參量放大器,電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中.變?nèi)荻O管主要是通過結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝等一系列途徑來突出電容與電壓的非線性關(guān)系,并提高Q值以適合應(yīng)用。通過施加反向電壓,使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,經(jīng)常用在自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等電路中。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、通常,中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。變?nèi)荻O管262
又稱"可變電抗二極管"。是一種利用PN結(jié)電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大,則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。主要參量是:零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等,對于不同用途,應(yīng)選用不同C和Vr特性的變?nèi)荻O管,如有專用于諧振電路調(diào)諧的電調(diào)變?nèi)荻O管、適用于參放的參放變?nèi)荻O管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)荻O管等?! ∮糜谧詣宇l率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 "PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計出來的一種特殊二極管。二極管的PN結(jié)具有結(jié)電容,當(dāng)加反向電壓時,阻擋層加厚,結(jié)電容減小,所以改變反向電壓的大小可以改變PN結(jié)的結(jié)電容大小,這樣二極管就可以作為可變電容器用。變?nèi)荻O管是一種電抗可變的非線性電路元件,一般使用的材料為硅或砷化鎵。變?nèi)荻O管廣泛用于參量放大器,電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中.變?nèi)荻O管主要是通過結(jié)構(gòu)設(shè)計及工藝等一系列途徑來突出電容與電壓的非線性關(guān)系,并提高Q值以適合應(yīng)用。通過施加反向電壓,使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,經(jīng)常用在自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等電路中。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。變?nèi)荻O管有玻璃外殼封裝(玻封)、塑料封裝(塑封)、金屬外殼封裝(金封)和無引線表面封裝等多種封裝形式、通常,中小功率的變?nèi)荻O管采用玻封、塑封或表面封裝,而功率較大的變?nèi)荻O管多采用金封。變?nèi)荻O管262
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