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ddr內(nèi)存,什么是DDR內(nèi)存

來(lái)源:整理 時(shí)間:2023-08-30 22:35:49 編輯:智能門(mén)戶 手機(jī)版

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1,什么是DDR內(nèi)存

DDR(Dual date rate) SDRAM 稱為"雙倍速率SDRAM",在133MHz的前端總線頻率下,帶寬可達(dá)2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸(而SDRAM只在控制時(shí)鐘的下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸),因此在一次控制信號(hào)過(guò)程中,DDR SDRAM能進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)交換,這也就是它為什么又如此高的帶寬。

什么是DDR內(nèi)存

2,什么是ddr3內(nèi)存

內(nèi)存條 現(xiàn)在買電腦,DDR2是首選,DDR3 1333的實(shí)際測(cè)試得分只比DDR2 1066高一點(diǎn)點(diǎn),而全套的配置價(jià)格要高兩倍,DDR3的理論速度可以達(dá)到2GHz,目前只有1333MHz的產(chǎn)品(至于部分產(chǎn)品1800HMz是需要手動(dòng)超頻后才能達(dá)到的),可以想見(jiàn)DDR3還需要走過(guò)一段時(shí)間的路才能成熟,至于以后升級(jí)DDR3,不要做考慮了,支持DDR3的主板目前還很貴,把省出的錢又夠以后配半臺(tái)電腦的了
就是DDR第三代 是目前最好的DDR內(nèi)存 1600是它的頻率 頻率越高 性能也就越好 但是目前DDR3都是用在高端主板上的 例如 華碩 玩家國(guó)度

什么是ddr3內(nèi)存

3,電腦的DDR是什么意思

DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)(雙倍數(shù)據(jù)速率),DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從幾年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來(lái)。它在工作的時(shí)候通過(guò)時(shí)鐘頻率的上行和下行都可以傳輸數(shù)據(jù)(SDRAM只能通過(guò)下行傳輸),因此在頻率相等的情況下?lián)碛须p倍于SDRAM的帶寬。另外DDR內(nèi)存的DIMM是184pins,而SDRAM則是168pins。因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM
代表內(nèi)存的型號(hào)ddr是1代內(nèi)存
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本?! DRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率?! ∨cSDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍?! 耐庑误w積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
DDR就是指的內(nèi)存的代數(shù),DDR400是一代內(nèi)存,DDR2 533.667,800是二代內(nèi)存,DDR3是三代

電腦的DDR是什么意思

4,什么叫DDR內(nèi)存

DDR內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場(chǎng)中新的寵兒,因其合理的性價(jià)比從其誕生以來(lái)一直受到人們熱烈的期望,希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬,就連對(duì)Rambus抱有無(wú)限希望的Intel公司也向外界宣布將以最快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。不難看出,DDR真的是大勢(shì)所趨。 近來(lái)市場(chǎng)上已聞諸多廠商開(kāi)始陸續(xù)推出自己的DDR內(nèi)存產(chǎn)品,國(guó)際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司(Kingston)其實(shí)在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè),現(xiàn)在金士頓公司(Kingston)已準(zhǔn)備開(kāi)始向全球接受訂單開(kāi)始大量供貨了。 那么究竟什么是DDR內(nèi)存呢?其技術(shù)優(yōu)勢(shì)又在何處呢?請(qǐng)讓我們先了解一下這樣新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)(雙倍數(shù)據(jù)速率)。DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來(lái)。這一新技術(shù)使新一代的高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)成為可能,包括臺(tái)式機(jī)、工作站、服務(wù)器、便攜式,也包括新的通信產(chǎn)品,如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。 DDR DIMMs與SDRAM DIMMs的物理元數(shù)相同,但兩側(cè)的線數(shù)不同,DDR應(yīng)用184pins,而SDRAM則應(yīng)用168pins。因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM,要求專為DDR設(shè)計(jì)的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進(jìn)步。DDR內(nèi)存芯片由半導(dǎo)體制造商用現(xiàn)有的晶圓片,程序及測(cè)試設(shè)備生產(chǎn),從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測(cè)試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。 主要的技術(shù)及芯片公司,包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進(jìn),在2001年將被大量采用。 DDR DIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化組織。大約300家會(huì)員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標(biāo)準(zhǔn),積極合作來(lái)發(fā)展符合行業(yè)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系。Kingston是JEDEC的長(zhǎng)期會(huì)員,并且是JEDEC的理事會(huì)成員。
用通俗的語(yǔ)言來(lái)說(shuō)的話。 第1個(gè)不同。ddr造價(jià)高。ddr2造價(jià)低。 第2個(gè)不同。ddr速度慢。ddr2速度快。 第3個(gè)不同。ddr相對(duì)穩(wěn)定程度要比ddr2高。 第4個(gè)不同。ddr顆粒的容量沒(méi)有ddr2的多。 其中第2個(gè)是大家比較關(guān)心的。。額。怎么說(shuō)呢。。。打個(gè)比方。。ddr 400 是最常見(jiàn)的了。 就把他比如是400個(gè)人般東西。 ddr2呢。就是800了。就有800個(gè)人般東西。。效果雖然看不出來(lái)太多。但是。差距很大的。 第4個(gè)的意思呢。就是ddr只有1g。最大呢。沒(méi)超過(guò)2個(gè)g的。而ddr2的。普遍2g。也有4個(gè)g的。到ddr3的時(shí)候就更多咯。 。 更多的不同呢。咱們也看不到。如果你需要。請(qǐng)看下邊的網(wǎng)站吧~ http://wenwen.sogou.com/z/q863129452.htm 額。忘了說(shuō)。內(nèi)存ddr123是不可以互相插的。。 插錯(cuò)會(huì)燒的。。但是仔細(xì)看的話。是插不進(jìn)去的。

5,DDR內(nèi)存是什么啊

DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM)又簡(jiǎn)稱DDR,翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說(shuō)是目前廣泛應(yīng)用的 SDRAM的升級(jí)換代版本,在它的催生下,2000年下半年的內(nèi)存止跌不穩(wěn)已經(jīng)徹底摧毀了SDRAM多年?duì)I造起來(lái)的價(jià)格市場(chǎng)。從技術(shù)上分析,DDR SDRAM最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上,其在時(shí)鐘信號(hào)上升緣與下降緣時(shí)各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍,由于僅多采用了下降緣信號(hào),因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。另一個(gè)明顯的改變是增加了一個(gè)雙向的數(shù)據(jù)控制接腳(Data Strobe,DQS)。當(dāng)系統(tǒng)中某個(gè)控制器發(fā)出一個(gè)寫(xiě)入命令時(shí),一個(gè)DQS信號(hào)便會(huì)由內(nèi)存控制器送出至內(nèi)存。   此外,傳統(tǒng)SDRAM的DQS接腳則用來(lái)在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)(單向:內(nèi)存控制器
DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM)又簡(jiǎn)稱DDR,翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說(shuō)是目前廣泛應(yīng)用的 SDRAM的升級(jí)換代版本,在它的催生下,2000年下半年的內(nèi)存止跌不穩(wěn)已經(jīng)徹底摧毀了SDRAM多年?duì)I造起來(lái)的價(jià)格市場(chǎng)。從技術(shù)上分析,DDR SDRAM最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上,其在時(shí)鐘信號(hào)上升緣與下降緣時(shí)各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍,由于僅多采用了下降緣信號(hào),因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。另一個(gè)明顯的改變是增加了一個(gè)雙向的數(shù)據(jù)控制接腳(Data Strobe,DQS)。當(dāng)系統(tǒng)中某個(gè)控制器發(fā)出一個(gè)寫(xiě)入命令時(shí),一個(gè)DQS信號(hào)便會(huì)由內(nèi)存控制器送出至內(nèi)存。   此外,傳統(tǒng)SDRAM的DQS接腳則用來(lái)在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)(單向:內(nèi)存控制器
ddr2(double data rate 2) sdram是由jedec(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代ddr內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑玠dr2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代ddr內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說(shuō),ddr2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)或稱之為SDRAMⅡ,雙速同步動(dòng)態(tài)可讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。在時(shí)鐘上下邊沿都可以讀寫(xiě)的同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。由于DDR在時(shí)鐘的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料,從而使得實(shí)際帶寬增加兩倍,大幅提升了其性能/成本比。就實(shí)際功能比較來(lái)看,由PC133所衍生出的第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬),不僅在InQuest最新測(cè)試報(bào)告中顯示其性能平均高出Rambus 24.4%,在Micron的測(cè)試中,其性能亦優(yōu)于其他的高頻寬解決方案,充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。順便解釋一下SDRAM:(同步DRAM的縮寫(xiě))它是同步于系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的。SDRAM結(jié)構(gòu)的另一大特點(diǎn)是其支持DRAM的兩列地址同時(shí)打開(kāi)。 兩個(gè)打開(kāi)的存儲(chǔ)體間的內(nèi)存存取可以交叉進(jìn)行。 SDRAM內(nèi)存訪問(wèn)采用突發(fā)(burst)模式,它和原理是,SDRAM在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中加入同步控制邏輯(一個(gè)狀態(tài)機(jī)),利用一個(gè)單一的系統(tǒng)時(shí)鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。使用SDRAM不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn),還能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、 提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。 在功能上,它類似常規(guī)的DRAM,也需時(shí)鐘進(jìn)行刷新。 可以說(shuō),SDRAM是一種改善了結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型DRAM。然而,SDRAM是如何利用它的同步特性而適應(yīng)高速系統(tǒng)的需要的呢?我們知道,原先我們使用的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)都是建立在異步控制基礎(chǔ)上的。系統(tǒng)在使用這些異步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器時(shí)需插入一些等待狀態(tài)來(lái)適應(yīng)異步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的本身需要,這時(shí),指令的執(zhí)行時(shí)間往往是由內(nèi)存的速度、而非系統(tǒng)本身能夠達(dá)到的最高速率來(lái)決定。例如,當(dāng)將連續(xù)數(shù)據(jù)存入CACHE時(shí),一個(gè)速度為60ns的快頁(yè)內(nèi)存需要40ns的頁(yè)循環(huán)時(shí)間;當(dāng)系統(tǒng)速度運(yùn)行在100MHz時(shí)(一個(gè)時(shí)鐘周期10ns),每執(zhí)行一次數(shù)據(jù)存取,即需要等待4個(gè)時(shí)鐘周期!而使用SDRAM,由于其同步特性, 則可避免這一時(shí)。SDRAM結(jié)構(gòu)的另一大特點(diǎn)是其支持DRAM的兩列地址同時(shí)打開(kāi)。 兩個(gè)打開(kāi)的存儲(chǔ)體間的內(nèi)存存取可以交叉進(jìn)行,一般的如預(yù)置或激活列可以隱藏在存儲(chǔ)體存取過(guò)程中,即允許在一個(gè)存儲(chǔ)體讀或?qū)懙耐瑫r(shí),令一存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)置。按此進(jìn)行,100MHz的無(wú)縫數(shù)據(jù)速率可在整個(gè)器件讀或?qū)懼袑?shí)現(xiàn)。因?yàn)镾DRAM的速度約束著系統(tǒng)的時(shí)鐘速度,它的速度是由MHz或ns來(lái)計(jì)算的。SDRAM的速度至少不能慢于系統(tǒng)的時(shí)鐘速度,SDRAM的訪問(wèn)通常發(fā)生在四個(gè)連續(xù)的突發(fā)周期,第一個(gè)突發(fā)周期需要4個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期,第二到第四個(gè)突發(fā)周期只需要1個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期。用數(shù)字表示如下:4-1-1-1。最后說(shuō)一下DRAM DRAM,顧名思義即動(dòng)態(tài)RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比起SRAM來(lái)說(shuō)要簡(jiǎn)單的多,基本結(jié)構(gòu)是一只MOS管和一個(gè)電容構(gòu)成。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、集成度高、功耗低、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn),適合制造大容量存儲(chǔ)器,所以現(xiàn)在我們用的內(nèi)存大多是由DRAM構(gòu)成的。所以下面主要介紹DRAM內(nèi)存。在詳細(xì)說(shuō)明DRAM存儲(chǔ)器前首先要說(shuō)一下同步的概念,根據(jù)內(nèi)存的訪問(wèn)方式可分為兩種:同步內(nèi)存和異步內(nèi)存。區(qū)分的標(biāo)準(zhǔn)是看它們能不能和系統(tǒng)時(shí)鐘同步。內(nèi)存控制電路(在主板的芯片組中,一般在北橋芯片組中)發(fā)出行地址選擇信號(hào)(RAS)和列地址選擇信號(hào)(CAS)來(lái)指定哪一塊存儲(chǔ)體將被訪問(wèn)。在SDRAM之前的EDO內(nèi)存就采用這種方式。讀取數(shù)據(jù)所用的時(shí)間用納秒表示。當(dāng)系統(tǒng)的速度逐漸增加,特別是當(dāng)66MHz頻率成為總線標(biāo)準(zhǔn)時(shí),EDO內(nèi)存的速度就顯得很慢了,CPU總要等待內(nèi)存的數(shù)據(jù),嚴(yán)重影響了性能,內(nèi)存成了一個(gè)很大的瓶頸。因此出現(xiàn)了同步系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的SDRAM。

6,DDR內(nèi)存是什么意思

DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫腟DRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而DDR則引用了一種新的設(shè)計(jì),其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時(shí)也做一次操作,之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中,DDR則可以完成SDRAM兩個(gè)周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡(jiǎn)單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR
DIMM的意思是“雙列直插式存儲(chǔ)模塊”,ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯(cuò)誤檢查和糾正”的技術(shù),ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存,一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上,可使整個(gè)電腦系統(tǒng)在工作時(shí)更安全穩(wěn)定。 內(nèi)存DIMM ECC合在一起就是采用雙列直插式存儲(chǔ)模塊并能進(jìn)行錯(cuò)誤檢查和糾正的內(nèi)存!
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫腟DRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而DDR則引用了一種新的設(shè)計(jì),其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時(shí)也做一次操作,之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中,DDR則可以完成SDRAM兩個(gè)周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡(jiǎn)單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR
ddr sdram(double data rate二倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 作為sdram的換代產(chǎn)品,它具有兩大特點(diǎn):其一,速度比sdram有一倍的提高;其二,采用了dll(delay locked loop:延時(shí)鎖定回路)提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)。這是目前內(nèi)存市場(chǎng)上的主流模式。 顧名思義,ddr就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫膕dram都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在一個(gè)方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而ddr則引用了一種新的設(shè)計(jì),其在一個(gè)內(nèi)存時(shí)鐘周期中,在方波上升沿時(shí)進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時(shí)也做一次操作,之所以在一個(gè)時(shí)鐘周期中,ddr則可以完成sdram兩個(gè)周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的ddr內(nèi)存與sdr內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡(jiǎn)單理解為 100mhz ddr=200mhz sdr。
DDR,英文原意為“DoubleDataRate” SDR, 英文原意為“SingleDataRatDDR 嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。 SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
DDR 嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也常看到DDR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。 SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個(gè)針腳,主要包含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
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