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ddr內(nèi)存,什么是DDR內(nèi)存

來源:整理 時間:2023-08-30 22:35:49 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,什么是DDR內(nèi)存

DDR(Dual date rate) SDRAM 稱為"雙倍速率SDRAM",在133MHz的前端總線頻率下,帶寬可達(dá)2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸(而SDRAM只在控制時鐘的下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸),因此在一次控制信號過程中,DDR SDRAM能進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)交換,這也就是它為什么又如此高的帶寬。

什么是DDR內(nèi)存

2,什么是ddr3內(nèi)存

內(nèi)存條 現(xiàn)在買電腦,DDR2是首選,DDR3 1333的實(shí)際測試得分只比DDR2 1066高一點(diǎn)點(diǎn),而全套的配置價格要高兩倍,DDR3的理論速度可以達(dá)到2GHz,目前只有1333MHz的產(chǎn)品(至于部分產(chǎn)品1800HMz是需要手動超頻后才能達(dá)到的),可以想見DDR3還需要走過一段時間的路才能成熟,至于以后升級DDR3,不要做考慮了,支持DDR3的主板目前還很貴,把省出的錢又夠以后配半臺電腦的了
就是DDR第三代 是目前最好的DDR內(nèi)存 1600是它的頻率 頻率越高 性能也就越好 但是目前DDR3都是用在高端主板上的 例如 華碩 玩家國度

什么是ddr3內(nèi)存

3,電腦的DDR是什么意思

DDR是Double Data Rate的縮寫(雙倍數(shù)據(jù)速率),DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從幾年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。它在工作的時候通過時鐘頻率的上行和下行都可以傳輸數(shù)據(jù)(SDRAM只能通過下行傳輸),因此在頻率相等的情況下?lián)碛须p倍于SDRAM的帶寬。另外DDR內(nèi)存的DIMM是184pins,而SDRAM則是168pins。因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM
代表內(nèi)存的型號ddr是1代內(nèi)存
DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本?! DRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。  與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍?! 耐庑误w積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。DDR內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示,工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率,但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍。
DDR就是指的內(nèi)存的代數(shù),DDR400是一代內(nèi)存,DDR2 533.667,800是二代內(nèi)存,DDR3是三代

電腦的DDR是什么意思

4,什么叫DDR內(nèi)存

DDR內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場中新的寵兒,因其合理的性價比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望,希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬,就連對Rambus抱有無限希望的Intel公司也向外界宣布將以最快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。不難看出,DDR真的是大勢所趨。 近來市場上已聞諸多廠商開始陸續(xù)推出自己的DDR內(nèi)存產(chǎn)品,國際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司(Kingston)其實(shí)在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè),現(xiàn)在金士頓公司(Kingston)已準(zhǔn)備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。 那么究竟什么是DDR內(nèi)存呢?其技術(shù)優(yōu)勢又在何處呢?請讓我們先了解一下這樣新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫(雙倍數(shù)據(jù)速率)。DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機(jī)系統(tǒng)成為可能,包括臺式機(jī)、工作站、服務(wù)器、便攜式,也包括新的通信產(chǎn)品,如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。 DDR DIMMs與SDRAM DIMMs的物理元數(shù)相同,但兩側(cè)的線數(shù)不同,DDR應(yīng)用184pins,而SDRAM則應(yīng)用168pins。因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM,要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進(jìn)步。DDR內(nèi)存芯片由半導(dǎo)體制造商用現(xiàn)有的晶圓片,程序及測試設(shè)備生產(chǎn),從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。 主要的技術(shù)及芯片公司,包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進(jìn),在2001年將被大量采用。 DDR DIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標(biāo)準(zhǔn),積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系。Kingston是JEDEC的長期會員,并且是JEDEC的理事會成員。
用通俗的語言來說的話。 第1個不同。ddr造價高。ddr2造價低。 第2個不同。ddr速度慢。ddr2速度快。 第3個不同。ddr相對穩(wěn)定程度要比ddr2高。 第4個不同。ddr顆粒的容量沒有ddr2的多。 其中第2個是大家比較關(guān)心的。。額。怎么說呢。。。打個比方。。ddr 400 是最常見的了。 就把他比如是400個人般東西。 ddr2呢。就是800了。就有800個人般東西。。效果雖然看不出來太多。但是。差距很大的。 第4個的意思呢。就是ddr只有1g。最大呢。沒超過2個g的。而ddr2的。普遍2g。也有4個g的。到ddr3的時候就更多咯。 。 更多的不同呢。咱們也看不到。如果你需要。請看下邊的網(wǎng)站吧~ http://wenwen.sogou.com/z/q863129452.htm 額。忘了說。內(nèi)存ddr123是不可以互相插的。。 插錯會燒的。。但是仔細(xì)看的話。是插不進(jìn)去的。

5,DDR內(nèi)存是什么啊

DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM)又簡稱DDR,翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是目前廣泛應(yīng)用的 SDRAM的升級換代版本,在它的催生下,2000年下半年的內(nèi)存止跌不穩(wěn)已經(jīng)徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術(shù)上分析,DDR SDRAM最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上,其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍,由于僅多采用了下降緣信號,因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的數(shù)據(jù)控制接腳(Data Strobe,DQS)。當(dāng)系統(tǒng)中某個控制器發(fā)出一個寫入命令時,一個DQS信號便會由內(nèi)存控制器送出至內(nèi)存。   此外,傳統(tǒng)SDRAM的DQS接腳則用來在寫入數(shù)據(jù)時(單向:內(nèi)存控制器
DDR SDRAM(Dual date rate SDRSM)又簡稱DDR,翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是目前廣泛應(yīng)用的 SDRAM的升級換代版本,在它的催生下,2000年下半年的內(nèi)存止跌不穩(wěn)已經(jīng)徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術(shù)上分析,DDR SDRAM最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上,其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數(shù)據(jù),這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速率為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍,由于僅多采用了下降緣信號,因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同,僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的數(shù)據(jù)控制接腳(Data Strobe,DQS)。當(dāng)系統(tǒng)中某個控制器發(fā)出一個寫入命令時,一個DQS信號便會由內(nèi)存控制器送出至內(nèi)存。   此外,傳統(tǒng)SDRAM的DQS接腳則用來在寫入數(shù)據(jù)時(單向:內(nèi)存控制器
ddr2(double data rate 2) sdram是由jedec(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),它與上一代ddr內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑玠dr2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代ddr內(nèi)存預(yù)讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話說,ddr2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)或稱之為SDRAMⅡ,雙速同步動態(tài)可讀寫存儲器。在時鐘上下邊沿都可以讀寫的同步動態(tài)存儲器。由于DDR在時鐘的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料,從而使得實(shí)際帶寬增加兩倍,大幅提升了其性能/成本比。就實(shí)際功能比較來看,由PC133所衍生出的第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬),不僅在InQuest最新測試報告中顯示其性能平均高出Rambus 24.4%,在Micron的測試中,其性能亦優(yōu)于其他的高頻寬解決方案,充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。順便解釋一下SDRAM:(同步DRAM的縮寫)它是同步于系統(tǒng)時鐘頻率的。SDRAM結(jié)構(gòu)的另一大特點(diǎn)是其支持DRAM的兩列地址同時打開。 兩個打開的存儲體間的內(nèi)存存取可以交叉進(jìn)行。 SDRAM內(nèi)存訪問采用突發(fā)(burst)模式,它和原理是,SDRAM在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態(tài)機(jī)),利用一個單一的系統(tǒng)時鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn),還能簡化設(shè)計、 提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。 在功能上,它類似常規(guī)的DRAM,也需時鐘進(jìn)行刷新。 可以說,SDRAM是一種改善了結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型DRAM。然而,SDRAM是如何利用它的同步特性而適應(yīng)高速系統(tǒng)的需要的呢?我們知道,原先我們使用的動態(tài)存儲器技術(shù)都是建立在異步控制基礎(chǔ)上的。系統(tǒng)在使用這些異步動態(tài)存儲器時需插入一些等待狀態(tài)來適應(yīng)異步動態(tài)存儲器的本身需要,這時,指令的執(zhí)行時間往往是由內(nèi)存的速度、而非系統(tǒng)本身能夠達(dá)到的最高速率來決定。例如,當(dāng)將連續(xù)數(shù)據(jù)存入CACHE時,一個速度為60ns的快頁內(nèi)存需要40ns的頁循環(huán)時間;當(dāng)系統(tǒng)速度運(yùn)行在100MHz時(一個時鐘周期10ns),每執(zhí)行一次數(shù)據(jù)存取,即需要等待4個時鐘周期!而使用SDRAM,由于其同步特性, 則可避免這一時。SDRAM結(jié)構(gòu)的另一大特點(diǎn)是其支持DRAM的兩列地址同時打開。 兩個打開的存儲體間的內(nèi)存存取可以交叉進(jìn)行,一般的如預(yù)置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中,即允許在一個存儲體讀或?qū)懙耐瑫r,令一存儲體進(jìn)行預(yù)置。按此進(jìn)行,100MHz的無縫數(shù)據(jù)速率可在整個器件讀或?qū)懼袑?shí)現(xiàn)。因?yàn)镾DRAM的速度約束著系統(tǒng)的時鐘速度,它的速度是由MHz或ns來計算的。SDRAM的速度至少不能慢于系統(tǒng)的時鐘速度,SDRAM的訪問通常發(fā)生在四個連續(xù)的突發(fā)周期,第一個突發(fā)周期需要4個系統(tǒng)時鐘周期,第二到第四個突發(fā)周期只需要1個系統(tǒng)時鐘周期。用數(shù)字表示如下:4-1-1-1。最后說一下DRAM DRAM,顧名思義即動態(tài)RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比起SRAM來說要簡單的多,基本結(jié)構(gòu)是一只MOS管和一個電容構(gòu)成。具有結(jié)構(gòu)簡單、集成度高、功耗低、生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn),適合制造大容量存儲器,所以現(xiàn)在我們用的內(nèi)存大多是由DRAM構(gòu)成的。所以下面主要介紹DRAM內(nèi)存。在詳細(xì)說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念,根據(jù)內(nèi)存的訪問方式可分為兩種:同步內(nèi)存和異步內(nèi)存。區(qū)分的標(biāo)準(zhǔn)是看它們能不能和系統(tǒng)時鐘同步。內(nèi)存控制電路(在主板的芯片組中,一般在北橋芯片組中)發(fā)出行地址選擇信號(RAS)和列地址選擇信號(CAS)來指定哪一塊存儲體將被訪問。在SDRAM之前的EDO內(nèi)存就采用這種方式。讀取數(shù)據(jù)所用的時間用納秒表示。當(dāng)系統(tǒng)的速度逐漸增加,特別是當(dāng)66MHz頻率成為總線標(biāo)準(zhǔn)時,EDO內(nèi)存的速度就顯得很慢了,CPU總要等待內(nèi)存的數(shù)據(jù),嚴(yán)重影響了性能,內(nèi)存成了一個很大的瓶頸。因此出現(xiàn)了同步系統(tǒng)時鐘頻率的SDRAM。

6,DDR內(nèi)存是什么意思

DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫腟DRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中,在一個方波上升沿時進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而DDR則引用了一種新的設(shè)計,其在一個內(nèi)存時鐘周期中,在方波上升沿時進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時也做一次操作,之所以在一個時鐘周期中,DDR則可以完成SDRAM兩個周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR
DIMM的意思是“雙列直插式存儲模塊”,ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯誤檢查和糾正”的技術(shù),ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存,一般多應(yīng)用在服務(wù)器及圖形工作站上,可使整個電腦系統(tǒng)在工作時更安全穩(wěn)定。 內(nèi)存DIMM ECC合在一起就是采用雙列直插式存儲模塊并能進(jìn)行錯誤檢查和糾正的內(nèi)存!
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫腟DRAM都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中,在一個方波上升沿時進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而DDR則引用了一種新的設(shè)計,其在一個內(nèi)存時鐘周期中,在方波上升沿時進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時也做一次操作,之所以在一個時鐘周期中,DDR則可以完成SDRAM兩個周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的DDR內(nèi)存與SDR內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR
ddr sdram(double data rate二倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器) 作為sdram的換代產(chǎn)品,它具有兩大特點(diǎn):其一,速度比sdram有一倍的提高;其二,采用了dll(delay locked loop:延時鎖定回路)提供一個數(shù)據(jù)濾波信號。這是目前內(nèi)存市場上的主流模式。 顧名思義,ddr就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們?nèi)粘K褂玫膕dram都是“單數(shù)據(jù)傳輸模式”,這種內(nèi)存的特性是在一個內(nèi)存時鐘周期中,在一個方波上升沿時進(jìn)行一次操作(讀或?qū)?,而ddr則引用了一種新的設(shè)計,其在一個內(nèi)存時鐘周期中,在方波上升沿時進(jìn)行一次操作,在方波的下降沿時也做一次操作,之所以在一個時鐘周期中,ddr則可以完成sdram兩個周期才能完成的任務(wù),所以理論上同速率的ddr內(nèi)存與sdr內(nèi)存相比,性能要超出一倍,可以簡單理解為 100mhz ddr=200mhz sdr。
DDR,英文原意為“DoubleDataRate” SDR, 英文原意為“SingleDataRatDDR 嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。 SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
DDR 嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。 SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。 與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時,存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。 從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大,他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳,比SDRAM多出了16個針腳,主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
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