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igbt驅(qū)動電路，IGBT驅(qū)動電路 是什么

來源：整理 時間：2023-08-24 11:55:09 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，IGBT驅(qū)動電路 是什么

http://www.icmade.com/Dict/6531.html#dzt26239 IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動igbt模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的集成電路。其關(guān)鍵是驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計，良好的驅(qū)動電路必須保證IGBT的開關(guān)損耗量盡可能小。在IGBT承受短路電流時，如能實現(xiàn)可靠關(guān)斷，則可以保護(hù)IGBT。
IGBT是功率器件，核心部件一般輸出能力有限，無法直接驅(qū)動，這樣中間就需要一個驅(qū)動電路。 逆變焊機(jī)中常用的是57959或841.

IGBT驅(qū)動電路 是什么

2，IGBT驅(qū)動電路

不是很新，但還是蠻常用的芯片。
只要vcc和vee的電壓正確就不用擔(dān)心a314j的vo端子輸出電壓不足（但事實上這個電路中vee電壓是0v）。c18 c19 是vcc和vee的儲能電容，d3 d4 是限制輸出電壓不高于vcc和不低于vee的，r16 是驅(qū)動導(dǎo)通q6 的限流電阻（阻值是根據(jù)igbt的ge結(jié)電容大小和盲區(qū)時間來設(shè)定的），d7 是為了能迅速防掉igbt的ge結(jié)電容中的電荷強(qiáng)制控制igbt快速關(guān)斷。c22 r20是用來抑制關(guān)斷速度過快使igbt內(nèi)部寄生電感釋放出極高的尖峰電壓的。

IGBT驅(qū)動電路

3，IGBT的驅(qū)動電路是如何工作的各部分電阻R12R11和Q1Q2Q3是

IGBT驅(qū)動電路一般要對輸入信號進(jìn)行放大和隔離。當(dāng)PWM波為正電壓時，Q1 Q3導(dǎo)通，而Q2不導(dǎo)通，經(jīng)過Q1 Q3構(gòu)成的放大電路將信號放大后，再通過光耦隔離，就得到了IGBT的驅(qū)動信號。同理當(dāng)PWM波為負(fù)（或0）電壓時Q1不導(dǎo)通，Q2 Q3構(gòu)成了放大電路，經(jīng)過光耦隔離，就得到了IGBT關(guān)斷信號。R11起耦合作用，R12限流電阻。純手打，望采納?。?/section>
前端的那個有源電路非常多余，錯誤很多正確的方法是TTL電平串聯(lián)限流電阻直接驅(qū)動3120再看看別人怎么說的。
前端的那個有源電路非常多余，錯誤很多正確的方法是TTL電平串聯(lián)限流電阻直接驅(qū)動3120

IGBT的驅(qū)動電路是如何工作的各部分電阻R12R11和Q1Q2Q3是

4，IGBT管的驅(qū)動電路指的什么

IGBT有啟動電路板；
你這個不是下載的圖紙，而是下載的網(wǎng)頁！
回復(fù) 袁益 的帖子謝謝斑竹給我發(fā)的圖，可惜我打不開呀。解壓后打不開，想發(fā)個圖，不知怎樣發(fā)。
回復(fù) cglpq2005 的帖子是的，我也奇怪，有的壓縮文件打開的是Word文檔，可以看到帖子內(nèi)容，但有的解壓后，出現(xiàn)的就是這個網(wǎng)頁圖標(biāo)，打不開，不知怎么回事？
老式的電磁爐主要有分立元件驅(qū)動和集成塊驅(qū)動兩種電路，新式的已經(jīng)將339和驅(qū)動電路合并為一個集成塊了（還有的甚至將CPU也一起包含進(jìn)去了），分立式的一般由8050和8550對管組成。
謝謝解答，但本人菜鳥，能發(fā)張圖，再通俗點解釋嗎

5，igbt驅(qū)動電路的要求

對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS儺就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，最好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。5)IGBT的柵極驅(qū)動電路應(yīng)盡可能的簡單、實用。應(yīng)具有IGBT的完整保護(hù)功能，很強(qiáng)的抗干擾能力，且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。

6，IGBT的驅(qū)動電路有什么特點

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。IGBT與MOSFET的對比：MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。特點：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
對于大功率igbt，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓vge負(fù)偏壓-vge和門極電阻rg的大小，對igbt的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對igbt的開通特性、負(fù)載短路能力和dvce/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計中，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dvce/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。表1 igbt門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于igbt的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響igbt能否正常工作。為使igbt能可靠工作。igbt對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向igbt提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在igbt導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給igbt的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使igbt的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證igbt不退出飽和區(qū)。igbt導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，vge越高，vds儺就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， vge并非越高越好，一般不允許超過20 v，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，igbt損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 v為宜。2)能向igbt提供足夠的反向柵壓。在igbt關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的igbt處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，最好給處于截止?fàn)顟B(tài)的igbt加一反向柵壓(幅值一般為5～15 v)，使igbt在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。igbt柵極極限電壓一般為+20 v，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于igbt多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。5)igbt的柵極驅(qū)動電路應(yīng)盡可能的簡單、實用。應(yīng)具有igbt的完整保護(hù)功能，很強(qiáng)的抗干擾能力，且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。
文章TAG：igbt驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動電路是什么

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