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光刻機(jī)原理，激光蝕刻的原理是什么

來(lái)源：整理 時(shí)間：2023-09-06 15:11:46 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1，激光蝕刻的原理是什么

溶液中的某些成分，在特定波長(zhǎng)的激光下激活，釋放對(duì)基體有腐蝕作用的物質(zhì)。

激光蝕刻的原理是什么

2，什么是光刻技術(shù)

http://www.cnieee.com/wdj/gk/200903/4107.html
　光刻技術(shù)：集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù). 光刻技術(shù)主要用于集成電路的制造。一些芯片 器件。
光盤刻錄
就是利用激光技術(shù)制作。

什么是光刻技術(shù)

3，光刻機(jī)是生產(chǎn)CPU的么

光刻機(jī)是生產(chǎn)CPU的重要設(shè)備，但是并不是只能用于生產(chǎn)CPU。實(shí)際上，光刻機(jī)是半導(dǎo)體工藝非常重要的生產(chǎn)設(shè)備，用于將理論設(shè)計(jì)的電路制作到真實(shí)的Si級(jí)片上，并最終獲得集成電路。所有大規(guī)格和超大規(guī)模集成電路，都會(huì)使用到光刻機(jī)，這其中當(dāng)然包括CPU，也包括GPU，單片機(jī)芯片等等各種半導(dǎo)體芯片。有興趣，百度百科的相關(guān)詞條，有更詳細(xì)的內(nèi)容供參考。
不是，主流的英特爾處理器會(huì)有20億個(gè)晶體管，高端產(chǎn)品可以達(dá)到60億個(gè)，一個(gè)個(gè)的鏈接方法不現(xiàn)實(shí)，所以采用光刻蝕技術(shù)。光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長(zhǎng)的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過(guò)程還會(huì)受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程。設(shè)計(jì)每一步過(guò)程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來(lái)計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過(guò)20步（每一步進(jìn)行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜。當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)。短波長(zhǎng)光線透過(guò)石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過(guò)化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。
光刻機(jī)的作用是蝕刻芯片的功能及線路，當(dāng)然也包括了制造處理器這樣的大規(guī)模集成電路或者內(nèi)存顆粒、閃存顆粒等等。--光刻機(jī)是制造微機(jī)電、光電、二極體大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵設(shè)備。可以分為兩種，分別是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時(shí)模板緊貼芯片；以及利用類似投影機(jī)原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。
用于在硅片上蝕刻集成電路的，用于生產(chǎn)制造半導(dǎo)體芯片，包括但不局限于CPU。

光刻機(jī)是生產(chǎn)CPU的么

4，光刻機(jī)怎么制作最好提供圖文

第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片設(shè)計(jì)師將CPU的功能、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統(tǒng)等物理結(jié)構(gòu)的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產(chǎn)了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又稱光罩，簡(jiǎn)稱掩膜版），是微納加工技術(shù)常用的光刻工藝所使用的圖形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結(jié)構(gòu)，再通過(guò)曝光過(guò)程將圖形信息轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品基片上。（*百度百科）將設(shè)計(jì)好的半導(dǎo)體電路”地圖“繪制在由玻璃、石英基片、鉻層和光刻膠等構(gòu)成的掩膜版上光刻掩膜版的立體切片示意圖第二步：晶圓覆膜準(zhǔn)備從砂子到硅碇再到晶圓的制作過(guò)程點(diǎn)此查閱，這里不再贅述。將準(zhǔn)備好的晶圓（Wafer）扔進(jìn)光刻機(jī)之前，一般通過(guò)高溫加熱方式使其表面產(chǎn)生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作為光導(dǎo)纖維，便于后續(xù)的光刻流程：第三步：在晶圓上“光刻”電路流程使用阿斯麥的“大殺器”，將紫外（或極紫外）光通過(guò)蔡司的鏡片，照在前面準(zhǔn)備好的集成電路掩膜版上，將設(shè)計(jì)師繪制好的“電路圖”曝光（光刻）在晶圓上。（見(jiàn)動(dòng)圖）：上述動(dòng)圖的工作切片層級(jí)關(guān)系如下：光刻機(jī)照射到部分的光阻會(huì)發(fā)生相應(yīng)變化，一般使用顯影液將曝光部分祛除而被光阻覆蓋部分以外的氧化膜，則需要通過(guò)與氣體反應(yīng)祛除通過(guò)上述顯影液、特殊氣體祛除無(wú)用光阻之后，通過(guò)在晶圓表面注入離子激活晶體管使之工作，進(jìn)而完成半導(dǎo)體元件的全部建設(shè)。做到這里可不算大功告成，這僅僅是錯(cuò)綜復(fù)雜的集成電路大廈中，普通的一層“樓”而已。完整的集成電路系統(tǒng)中包含多層結(jié)構(gòu)，晶體管、絕緣層、布線層等等：搭建迷宮大廈一般的復(fù)雜集成電路，需要多層結(jié)構(gòu)因此，在完成一層光刻流程之后，需要把這一階段制作好的晶圓用絕緣膜覆蓋，然后重新涂上光阻，燒制下一層電路結(jié)構(gòu)：多次重復(fù)上述操作之后，芯片的多層結(jié)構(gòu)搭建完畢（下圖）：如果上圖看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片結(jié)構(gòu)堆棧圖：當(dāng)然，我們可以通過(guò)高倍顯微鏡來(lái)觀察光刻機(jī)“燒制”多層晶圓的堆疊情況：第四步：切蛋糕（晶圓切割）使用光刻機(jī)燒制完畢的晶圓，包含多個(gè)芯片（Die），通過(guò)一系列檢測(cè)之后，將健康的個(gè)體們切割出來(lái)：從晶圓上將一個(gè)個(gè)“小方塊”（芯片）切割出來(lái)第五步：芯片封裝將切割后的芯片焊

5，光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別

刻蝕相對(duì)光刻要容易。光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒(méi)有圖案）的部分，留下剩余的部分?！肮饪獭笔侵冈谕繚M光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對(duì)晶圓進(jìn)行一定時(shí)間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質(zhì)，易于腐蝕?！翱涛g”是光刻后，用腐蝕液將變質(zhì)的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導(dǎo)體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。擴(kuò)展資料：光刻機(jī)一般根據(jù)操作的簡(jiǎn)便性分為三種，手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)1.手動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過(guò)手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來(lái)完成對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)精度可想而知不高了；2.半自動(dòng)：指的是對(duì)準(zhǔn)可以通過(guò)電動(dòng)軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧；3.自動(dòng)： 指的是 從基板的上載下載，曝光時(shí)長(zhǎng)和循環(huán)都是通過(guò)程序控制，自動(dòng)光刻機(jī)主要是滿足工廠對(duì)于處理量的需要。參考資料：搜狗百科-光刻機(jī)，搜狗百科-刻蝕
我打個(gè)比方吧，光刻相當(dāng)于制作模板，刻蝕相當(dāng)于按照模板去刻印東西。光刻指的是將光刻膠鋪在光刻板上，然后對(duì)著光刻板用某種光線（紫外光、紅外光等）有選擇性的去照射光刻膠，光刻膠有正性光刻膠和負(fù)性光刻膠兩種?？涛g是指將已經(jīng)光刻后的光刻膠+光刻板用溶液沖洗，如果是正性光刻膠，被光照射的部分則會(huì)被清洗掉，如果是負(fù)性光刻膠，未被光照射的地方則會(huì)被清洗掉，清洗完就會(huì)出現(xiàn)想要的形狀
刻蝕相對(duì)光刻要容易。光刻機(jī)把圖案印上去，然后刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒(méi)有圖案）的部分，留下剩余的部分
光刻機(jī)和刻蝕機(jī)的區(qū)別主要表現(xiàn)為3各個(gè)方面：一、難易度：光刻機(jī)難度大，刻蝕機(jī)難度小二、原理：光刻機(jī)把圖案印上去，刻蝕機(jī)根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案/無(wú)圖的部分，留下剩余的部分。三、工藝操作不同（1）、光刻機(jī)：利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將掩膜版上的電路圖形傳遞到單晶的表面或介質(zhì)層上，形成有效的圖形窗口或功能圖形。由于在晶圓的表面上，電路設(shè)計(jì)圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻工藝也是芯片制造中最核心的環(huán)節(jié)。（2）、刻蝕機(jī)：用化學(xué)和物理方法，在經(jīng)顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料?？涛g工藝的方法有兩大類，濕法蝕刻和干法蝕刻。擴(kuò)展資料：光刻機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見(jiàn)的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí)，會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。參考資料：搜狗百科-等離子蝕刻機(jī)搜狗百科-光刻機(jī)

6，光刻技術(shù)的原理是什么

光刻工藝是利用類似照相制版的原理，在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細(xì)圖形的表面加工技術(shù)。也就是使用可見(jiàn)光和紫外光線把電路圖案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再經(jīng)過(guò)蝕刻工藝去除無(wú)用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有制版、硅片氧化、涂膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。光刻是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的關(guān)鍵工藝。自20世紀(jì)60年代以來(lái)，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導(dǎo)體芯片表面，制作出半導(dǎo)體器件的不同工作區(qū)。隨著集成電路所包含的器件越來(lái)越多，要求單個(gè)器件尺寸及其間隔越來(lái)越小，所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來(lái)標(biāo)志集成電路的工藝水平。國(guó)際上較先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)線是1微米線，即光刻的分辨線寬為1微米。日本兩家公司成功地應(yīng)用加速器所產(chǎn)生的同步輻射X射線進(jìn)行投影式光刻，制成了線寬為0.1微米的微細(xì)布線，使光刻技術(shù)達(dá)到新的水平。
芯片納米光刻機(jī)究竟是什么，原理是怎樣的呢？今天算長(zhǎng)見(jiàn)識(shí)了
光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。　　光刻技術(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過(guò)一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到，所以光刻膠會(huì)仍舊粘連在上面。接下來(lái)就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。
概述RDJ-I正型光刻膠是液晶顯示器用正性光刻膠，可同時(shí)適用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等優(yōu)點(diǎn)。RDJ-I正型光刻膠采用環(huán)保溶劑。RDJ-I正型光刻膠一般規(guī)格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用時(shí)可根據(jù)需要稀釋成不同固含量和粘度。技術(shù)指標(biāo)如下表：顏色 磚紅色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(熱板)曝光 60-100mj/cm2顯影 0.8% KOHx60sec后烤 熱板120℃×120sec蝕刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剝離 4%NaOH@50℃×120sec貯存期限（25℃以下暗處貯存） 6個(gè)月操作工藝參數(shù)：1．涂布：23℃，輥涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(熱板)，烤道100℃3—5分鐘；3．曝光：90mj/cm2；4．顯影：23℃，0.4% NaOH，1min，噴淋或浸漬；5．后烤：熱板120℃×120sec，烤120℃,3-5分鐘；6．蝕刻：45℃，F(xiàn)eCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剝離：23℃ 4-6% NaOH
集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。兩種工藝：①光復(fù)印工藝②刻蝕工藝
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