mos管符號(hào)，mos管在電路板上是什么符號(hào)

來源：整理時(shí)間：2023-08-19 22:42:29 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，mos管在電路板上是什么符號(hào)
2，請問圖中是個(gè)什么類型的mos管符號(hào)
3，mos管上的數(shù)字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 還一個(gè)是
4，射頻二極管在電路中的符號(hào)是什么樣
5，線路板上的mos管是什么
6，電力場效應(yīng)管的場效應(yīng)管

1，mos管在電路板上是什么符號(hào)

有的人用Q,也有人用T來表示。

mos管在電路板上是什么符號(hào)

2，請問圖中是個(gè)什么類型的mos管符號(hào)

帶保護(hù)二極管結(jié)型場效應(yīng)管！不是MOS。

你說呢...

請問圖中是個(gè)什么類型的mos管符號(hào)

3，mos管上的數(shù)字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 還一個(gè)是

耐壓75V最大電流75A

雖然我很聰明，但這么說真的難到我了

mos管上的數(shù)字是什么意思啊p75nf75 ccou6 2 MAR 811 還一個(gè)是

4，射頻二極管在電路中的符號(hào)是什么樣

符號(hào)與普通二極管在電路中的符號(hào)一樣，目前沒有強(qiáng)制規(guī)定射頻二極管與普通二極管它們的電路符號(hào)一定要不一樣。

是一條導(dǎo)線，再加一個(gè)燈的符號(hào)，燈的符號(hào)是一個(gè)圓圈中間。加上一個(gè)叉叉。

5，線路板上的mos管是什么

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的?！　‰p極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓Mos管。

防熱作用，避免點(diǎn)和點(diǎn)之間的熱，會(huì)引起燃燒

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比?！　鲂?yīng)管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管?！　∈紫瓤疾煲粋€(gè)更簡單的器件－MOS電容－能更好的理解MOS管。這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場。在器件中，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小?！　‘?dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了?！　OS電容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG＝3V），（C）積累（VBG＝-3V）?！　≈惺钱?dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于backgate是負(fù)電壓時(shí)的情況。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個(gè)器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了?！　OS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流。　　MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。在對(duì)稱的MOS管中，對(duì)soure和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色。這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source?！　ource和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管。制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的最終結(jié)果都是一樣的。一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source。如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了?！　【w管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)。一個(gè)工程師可能說，“PMOS Vt從0.6V上升到0.7V”，實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

6，電力場效應(yīng)管的場效應(yīng)管

電力場效應(yīng)管又名電力場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型通常主要指絕緣柵型中的mos型（metal oxide semiconductor fet），簡稱電力mosfet（power mosfet）結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（static induction transistor——sit）。特點(diǎn)——用柵極電壓來控制漏極電流驅(qū)動(dòng)電路簡單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小。開關(guān)速度快，工作頻率高。熱穩(wěn)定性優(yōu)于gtr。電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kw的電力電子裝置。電力mosfet的種類按導(dǎo)電溝道可分為p溝道和n溝道。耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型——對(duì)于n（p）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道。電力mosfet主要是n溝道增強(qiáng)型。電力mosfet的結(jié)構(gòu) 小功率mos管是橫向?qū)щ娖骷?電力mosfet大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為vmosfet（vertical mosfet）。按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用v型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的vvmosfet和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散mos結(jié)構(gòu)的vdmosfet（vertical double-diffused mosfet）。這里主要以vdmos器件為例進(jìn)行討論。電力mosfet的工作原理（n溝道增強(qiáng)型vdmos）截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。 p基區(qū)與n漂移區(qū)之間形成的pn結(jié)j1反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓ugs 當(dāng)ugs大于ut時(shí)，p型半導(dǎo)體反型成n型而成為反型層，該反型層形成n溝道而使pn結(jié)j1消失，漏極和源極導(dǎo)電。電力mosfet的基本特性 (1)靜態(tài)特性漏極電流id和柵源間電壓ugs的關(guān)系稱為mosfet的轉(zhuǎn)移特性。 id較大時(shí)，id與ugs的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)gfs。 (2)mosfet的漏極伏安特性（即輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于gtr的截止區(qū)）飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于gtr的放大區(qū)）非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)gtr的飽和區(qū)）工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)導(dǎo)通。通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。 (3)動(dòng)態(tài)特性開通過程開通延遲時(shí)間td(on) 上升時(shí)間tr 開通時(shí)間ton——開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和關(guān)斷過程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) 下降時(shí)間tf 關(guān)斷時(shí)間toff——關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間之和 mosfet的開關(guān)速度 mosfet的開關(guān)速度和cin充放電有很大關(guān)系。可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻rs減小時(shí)間常數(shù)，加快開關(guān)速度。不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，關(guān)斷過程非常迅速。開關(guān)時(shí)間在10~100ns之間，工作頻率可達(dá)100khz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流。但在開關(guān)過程中需對(duì)輸入電容充放電，仍需一定的驅(qū)動(dòng)功率。開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。電力mosfet的主要參數(shù) 除跨導(dǎo)gfs、開啟電壓ut以及td(on)、tr、td(off)和tf之外還有： (1)漏極電壓uds——電力mosfet電壓定額 (2)漏極直流電流id和漏極脈沖電流幅值idm——電力mosfet電流定額 (3)柵源電壓ugs—— ugs>20v將導(dǎo)致絕緣層擊穿。 (4)極間電容——極間電容cgs、cgd和cds 另一種介紹說明：場效應(yīng)管（fjeld effect transistor簡稱fet ）是利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件，故因此而得名。場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導(dǎo)電，故又稱為單極型晶體管。與雙極型晶體三極管相比，它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、功耗小、制造工藝簡單和便于集成化等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管有兩大類，結(jié)型場效應(yīng)管jfet和絕緣柵型場效應(yīng)管igfet，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。圖z0121 為場效應(yīng)管的類型及圖形、符號(hào)。一、結(jié)構(gòu)與分類圖 z0122為n溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖和它的圖形、符號(hào)。它是在同一塊n型硅片的兩側(cè)分別制作摻雜濃度較高的p型區(qū)（用p 表示），形成兩個(gè)對(duì)稱的pn結(jié)，將兩個(gè)p區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱為柵極（g），在n型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱為源極（s）和漏極（d）。在形成pn結(jié)過程中，由于p 區(qū)是重?fù)诫s區(qū)，所以n一區(qū)側(cè)的空間電荷層寬度遠(yuǎn)大二、工作原理 n溝道和p溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理完全相同，只是偏置電壓的極性和載流子的類型不同而已。下面以n溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例來分析其工作原理。電路如圖z0123所示。由于柵源間加反向電壓，所以兩側(cè)pn結(jié)均處于反向偏置，柵源電流幾乎為零。漏源之間加正向電壓使n型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā)，經(jīng)過溝道到達(dá)漏極形成漏極電流id。 1．柵源電壓ugs對(duì)導(dǎo)電溝道的影響（設(shè)uds＝0）在圖z0123所示電路中，ugs ＜0，兩個(gè)pn結(jié)處于反向偏置，耗盡層有一定寬度，id=0。若|ugs| 增大，耗盡層變寬，溝道被壓縮，截面積減小，溝道電阻增大；若|ugs| 減小，耗盡層變窄，溝道變寬，電阻減小。這表明ugs控制著漏源之間的導(dǎo)電溝道。當(dāng)ugs負(fù)值增加到某一數(shù)值vp時(shí)，兩邊耗盡層合攏，整個(gè)溝道被耗盡層完全夾斷。（vp稱為夾斷電壓）此時(shí)，漏源之間的電阻趨于無窮大。管子處于截止?fàn)顟B(tài)，id＝0。 2．漏源電壓ugs對(duì)漏極電流id的影響（設(shè)ugs＝0）當(dāng)ugs＝0時(shí)，顯然id＝0；當(dāng)uds＞0且尚小對(duì)，p n結(jié)因加反向電壓，使耗盡層具有一定寬度，但寬度上下不均勻，這是由于漏源之間的導(dǎo)電溝道具有一定電阻，因而漏源電壓uds沿溝道遞降，造成漏端電位高于源端電位，使近漏端pn結(jié)上的反向偏壓大于近源端，因而近漏端耗盡層寬度大于近源端。顯然，在uds較小時(shí)，溝道呈現(xiàn)一定電阻，id隨uds成線性規(guī)律變化（如圖z0124曲線oa段）；若ugs再繼續(xù)增大，耗盡層也隨之增寬，導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄，尤其是近漏端更加明顯。由于溝道電阻的增大，id增長變慢了（如圖曲線ab段），當(dāng)uds增大到等于|vp|時(shí)，溝道在近漏端首先發(fā)生耗盡層相碰的現(xiàn)象。這種狀態(tài)稱為預(yù)夾斷。這時(shí)管子并不截止，因?yàn)槁┰磧蓸O間的場強(qiáng)已足夠大，完全可以把向漏極漂移的全部電子吸引過去形成漏極飽和電流idss （這種情況如曲線b點(diǎn)）：當(dāng)uds＞|vp|再增加時(shí)，耗盡層從近漏端開始沿溝道加長它的接觸部分，形成夾斷區(qū) 。由于耗盡層的電阻比溝道電阻大得多，所以比|vp|大的那部分電壓基本上降在夾斷區(qū)上，使夾斷區(qū)形成很強(qiáng)的電場，它完全可以把溝道中向漏極漂移的電子拉向漏極，形成漏極電流。因?yàn)槲幢粖A斷的溝道上的電壓基本保持不變，于是向漏極方向漂移的電子也基本保持不變，管子呈恒流特性（如曲線bc段）。但是，如果再增加uds達(dá)到buds時(shí)（buds稱為擊穿電壓）進(jìn)入夾斷區(qū)的電子將被強(qiáng)電場加速而獲得很大的動(dòng)能，這些電子和夾斷區(qū)內(nèi)的原子碰撞發(fā)生鏈鎖反應(yīng)，產(chǎn)生大量的新生載流予，使id急劇增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象（如曲線cd段）。由此可見，結(jié)型場效應(yīng)管的漏極電流id受ugs和uds的雙重控制。這種電壓的控制作用，是場效應(yīng)管具有放大作用的基礎(chǔ)。三、特性曲線 1．輸出特性曲線輸出特性曲線是柵源電壓ugs取不同定值時(shí)，漏極電流id 隨漏源電壓uds 變化的一簇關(guān)系曲線，如圖z0124所示。由圖可知，各條曲線有共同的變化規(guī)律。ugs越負(fù)，曲線越向下移動(dòng)）這是因?yàn)閷?duì)于相同的uds，ugs越負(fù)，耗盡層越寬，導(dǎo)電溝道越窄，id越小。由圖還可看出，輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域即可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。 ◆可變電阻區(qū)：預(yù)夾斷以前的區(qū)域。其特點(diǎn)是，當(dāng)0＜uds＜|vp|時(shí)，id幾乎與uds呈線性關(guān)系增長，ugs愈負(fù)，曲線上升斜率愈小。在此區(qū)域內(nèi)，場效應(yīng)管等效為一個(gè)受ugs控制的可變電阻。 ◆恒流區(qū)：圖中兩條虛線之間的部分。其特點(diǎn)是，當(dāng)uds＞|vp|時(shí)，id幾乎不隨uds變化，保持某一恒定值。id的大小只受ugs的控制，兩者變量之間近乎成線性關(guān)系，所以該區(qū)域又稱線性放大區(qū)。 ◆擊穿區(qū)：右側(cè)虛線以右之區(qū)域。此區(qū)域內(nèi)uds＞buds，管子被擊穿，id隨uds的增加而急劇增加。 2．轉(zhuǎn)移特性曲線當(dāng)uds一定時(shí)，id與ugs之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)uds＞|vp|后，即恒流區(qū)內(nèi)，id 受uds影響甚小，所以轉(zhuǎn)移特性通常只畫一條。在工程計(jì)算中，與恒流區(qū)相對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性可以近似地用下式表示：id=idss(1-ugs/vp)(1-ugs/vp) 式gs0127中vp≤ugs≤0，idss是ugs＝0時(shí)的漏極飽和電流。圖為輸出特性曲線

（Field Effect Transistor簡稱FET ）是利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體中電流的一種半導(dǎo)體器件，故因此而得名。場效應(yīng)管是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導(dǎo)電，故又稱為單極型晶體管。與雙極型晶體三極管相比，它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、功耗小、制造工藝簡單和便于集成化等優(yōu)點(diǎn)。場效應(yīng)管有兩大類，結(jié)型場效應(yīng)管JFET和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。圖Z0121 為場效應(yīng)管的類型及圖形、符號(hào)。一、結(jié)構(gòu)與分類圖 Z0122為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖和它的圖形、符號(hào)。它是在同一塊N型硅片的兩側(cè)分別制作摻雜濃度較高的P型區(qū)（用P 表示），形成兩個(gè)對(duì)稱的PN結(jié)，將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱為柵極（g），在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極，分別稱為源極（s）和漏極（d）。在形成PN結(jié)過程中，由于P 區(qū)是重?fù)诫s區(qū)，所以N一區(qū)側(cè)的空間電荷層寬度遠(yuǎn)大二、工作原理N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理完全相同，只是偏置電壓的極性和載流子的類型不同而已。下面以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例來分析其工作原理。電路如圖Z0123所示。由于柵源間加反向電壓，所以兩側(cè)PN結(jié)均處于反向偏置，柵源電流幾乎為零。漏源之間加正向電壓使N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子-電子由源極出發(fā)，經(jīng)過溝道到達(dá)漏極形成漏極電流ID。1．柵源電壓UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響（設(shè)UDS=0）在圖Z0123所示電路中，UGS <0，兩個(gè)PN結(jié)處于反向偏置，耗盡層有一定寬度，ID=0。若|UGS| 增大，耗盡層變寬，溝道被壓縮，截面積減小，溝道電阻增大；若|UGS| 減小，耗盡層變窄，溝道變寬，電阻減小。這表明UGS控制著漏源之間的導(dǎo)電溝道。當(dāng)UGS負(fù)值增加到某一數(shù)值VP時(shí)，兩邊耗盡層合攏，整個(gè)溝道被耗盡層完全夾斷。（VP稱為夾斷電壓）此時(shí)，漏源之間的電阻趨于無窮大。管子處于截止?fàn)顟B(tài)，ID=0。2．漏源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的影響（設(shè)UGS=0）當(dāng)UGS=0時(shí)，顯然ID=0；當(dāng)UDS>0且尚小對(duì)，P N結(jié)因加反向電壓，使耗盡層具有一定寬度，但寬度上下不均勻，這是由于漏源之間的導(dǎo)電溝道具有一定電阻，因而漏源電壓UDS沿溝道遞降，造成漏端電位高于源端電位，使近漏端PN結(jié)上的反向偏壓大于近源端，因而近漏端耗盡層寬度大于近源端。顯然，在UDS較小時(shí)，溝道呈現(xiàn)一定電阻，ID隨UDS成線性規(guī)律變化（如圖Z0124曲線OA段）；若UGS再繼續(xù)增大，耗盡層也隨之增寬，導(dǎo)電溝道相應(yīng)變窄，尤其是近漏端更加明顯。由于溝道電阻的增大，ID增長變慢了（如圖曲線AB段），當(dāng)UDS增大到等于|VP|時(shí)，溝道在近漏端首先發(fā)生耗盡層相碰的現(xiàn)象。這種狀態(tài)稱為預(yù)夾斷。這時(shí)管子并不截止，因?yàn)槁┰磧蓸O間的場強(qiáng)已足夠大，完全可以把向漏極漂移的全部電子吸引過去形成漏極飽和電流IDSS （這種情況如曲線B點(diǎn)）：當(dāng)UDS>|VP|再增加時(shí)，耗盡層從近漏端開始沿溝道加長它的接觸部分，形成夾斷區(qū) 。由于耗盡層的電阻比溝道電阻大得多，所以比|VP|大的那部分電壓基本上降在夾斷區(qū)上，使夾斷區(qū)形成很強(qiáng)的電場，它完全可以把溝道中向漏極漂移的電子拉向漏極，形成漏極電流。因?yàn)槲幢粖A斷的溝道上的電壓基本保持不變，于是向漏極方向漂移的電子也基本保持不變，管子呈恒流特性（如曲線BC段）。但是，如果再增加UDS達(dá)到BUDS時(shí)（BUDS稱為擊穿電壓）進(jìn)入夾斷區(qū)的電子將被強(qiáng)電場加速而獲得很大的動(dòng)能，這些電子和夾斷區(qū)內(nèi)的原子碰撞發(fā)生鏈鎖反應(yīng)，產(chǎn)生大量的新生載流予，使ID急劇增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象（如曲線CD段）。由此可見，結(jié)型場效應(yīng)管的漏極電流ID受UGS和UDS的雙重控制。這種電壓的控制作用，是場效應(yīng)管具有放大作用的基礎(chǔ)。三、特性曲線1．輸出特性曲線輸出特性曲線是柵源電壓UGS取不同定值時(shí)，漏極電流ID 隨漏源電壓UDS 變化的一簇關(guān)系曲線，如圖Z0124所示。由圖可知，各條曲線有共同的變化規(guī)律。UGS越負(fù)，曲線越向下移動(dòng)）這是因?yàn)閷?duì)于相同的UDS，UGS越負(fù)，耗盡層越寬，導(dǎo)電溝道越窄，ID越小。由圖還可看出，輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域即可變電阻區(qū)、恒流區(qū)和擊穿區(qū)。◆可變電阻區(qū)：預(yù)夾斷以前的區(qū)域。其特點(diǎn)是，當(dāng)0<|VP|時(shí)，ID幾乎與UDS呈線性關(guān)系增長，UGS愈負(fù)，曲線上升斜率愈小。在此區(qū)域內(nèi)，場效應(yīng)管等效為一個(gè)受UGS控制的可變電阻。 ◆恒流區(qū)：圖中兩條虛線之間的部分。其特點(diǎn)是，當(dāng)UDS>|VP|時(shí)，ID幾乎不隨UDS變化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，兩者變量之間近乎成線性關(guān)系，所以該區(qū)域又稱線性放大區(qū)。 ◆擊穿區(qū)：右側(cè)虛線以右之區(qū)域。此區(qū)域內(nèi)UDS>BUDS，管子被擊穿，ID隨UDS的增加而急劇增加。 2．轉(zhuǎn)移特性曲線當(dāng)UDS一定時(shí)，ID與UGS之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)UDS>|VP|后，即恒流區(qū)內(nèi)，ID 受UDS影響甚小，所以轉(zhuǎn)移特性通常只畫一條。在工程計(jì)算中，與恒流區(qū)相對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp) 式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS=0時(shí)的漏極飽和電流。圖為輸出特性曲線 N溝道MOS場效管的轉(zhuǎn)移特性曲線 N溝道MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線