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ald原子層沉積， 英作納米科技北京有限公

來源：整理 時(shí)間：2023-08-18 21:22:28 編輯：智能門戶 手機(jī)版

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1， 英作納米科技北京有限公

英作納米科技（北京）有限公司是一家專門從事原子層沉積技術(shù)的研發(fā)與設(shè)備制造的高新技術(shù)企業(yè)，是中國大陸最早自主研發(fā)生產(chǎn)原子層沉積設(shè)備的公司。公司產(chǎn)品涵蓋研究級、批量生產(chǎn)型、工業(yè)級等多種類型不同規(guī)格的原子層沉積設(shè)備。本公司誠請以下人才加盟，將本著以人為本的原則，待遇福利從優(yōu)，包括長期獎勵(lì)機(jī)制，為員工提供完善的發(fā)展計(jì)劃，為個(gè)人能力的發(fā)揮提供充分的舞臺空間。

英作納米科技北京有限公

2，等離子輔助和等離子增強(qiáng)原子層沉積的區(qū)別

等離子狀態(tài)，是指物質(zhì)原子內(nèi)的電子在高溫下脫離原子核的吸引，使物質(zhì)呈正負(fù)帶電粒子狀態(tài)存在。等離子態(tài)是一種普遍存在的狀態(tài)。宇宙中大部分發(fā)光的星球內(nèi)部溫度和壓力都很高，這些星球內(nèi)部的物質(zhì)差不多都處于等離子態(tài)。只有那些昏暗的行星和分散的星際物質(zhì)里才可以找到固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)的物質(zhì)。等離子體的用途非常廣泛．從我們的日常生活到工業(yè)、農(nóng)業(yè)、環(huán)保、軍事、宇航、能源、天體等方面，它都有非常重要的應(yīng)用價(jià)值．離子是指原子由于自身或外界的作用而失去或得到一個(gè)或幾個(gè)電子使其達(dá)到最外層電子數(shù)為8個(gè)或2個(gè)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。這一過程稱為電離。電離過程所需或放出的能量稱為電離能。與分子、原子一樣，離子也是構(gòu)成物質(zhì)的基本粒子。
不明白啊 = =！

等離子輔助和等離子增強(qiáng)原子層沉積的區(qū)別

3，最近在調(diào)研ALD原子層沉積設(shè)備請問大家有沒有推薦的品牌

作為一種高度可精準(zhǔn)控制的材料制備方法，原子層沉積（ALD）技術(shù)目前已成為半導(dǎo)體芯片、柔性顯示、太陽能電池及鋰電池等領(lǐng)域中最熱門的薄膜材料沉積技術(shù)。由于國內(nèi)缺少相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)，ALD設(shè)備被國外設(shè)備大廠壟斷，國內(nèi)ALD量產(chǎn)設(shè)備制造企業(yè)幾乎空白。隨著國外先進(jìn)技術(shù)的引進(jìn)和國內(nèi)自主研發(fā)的不斷推進(jìn)，國內(nèi)出現(xiàn)了在技術(shù)水平上能跟國外技術(shù)相媲美的ALD設(shè)備制造廠商，如深圳市原速光電科技有限公司。原速光電推出了研發(fā)型和生產(chǎn)型的Exploiter系列原子層沉積系統(tǒng)，性能指標(biāo)優(yōu)越，加上全方位的材料工藝研發(fā)和材料制備服務(wù)，足以滿足用戶的使用需求。有興趣的可以進(jìn)他們的官網(wǎng)進(jìn)一步了解一下！
有的，有的，有烘干茶葉、煙葉的產(chǎn)品的高溫烘干設(shè)備，不錯(cuò)，改后不僅節(jié)能不少，而且使產(chǎn)品烘干的品質(zhì)也提升了

最近在調(diào)研ALD原子層沉積設(shè)備請問大家有沒有推薦的品牌

4，原子層沉積和分子束外延生長的區(qū)別

原子層外延可以精確的以每周期一個(gè)單原子層來控制外延生長，外延表面更加原子級平整，外延層的厚度只決定于外延的周期數(shù)，而對溫度、束流大小等不敏感，可以在較低的溫度下生長高質(zhì)量的薄膜材料；分子束流外延即傳統(tǒng)意義上的分子束外延方法，與生長溫度、V/III束流比等生長參數(shù)有關(guān)。
用這種技術(shù)已能制備薄到幾十個(gè)原子層的單晶薄膜,以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料
你好！原子層外延可以精確的以每周期一個(gè)單原子層來控制外延生長，外延表面更加原子級平整，外延層的厚度只決定于外延的周期數(shù)，而對溫度、束流大小等不敏感，可以在較低的溫度下生長高質(zhì)量的薄膜材料；分子束流外延即傳統(tǒng)意義上的分子束外延方法，與生長溫度、V/III束流比等生長參數(shù)有關(guān)。如有疑問，請追問。

5，高分子化學(xué)中交替沉積是什么意思

通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)并形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)并形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前軀體達(dá)到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。 原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積的表面反應(yīng)具有自限制性，實(shí)際上這種自限制性特征正是原子層沉積技術(shù)的基礎(chǔ)。不斷重復(fù)這種自限制反應(yīng)就形成所需要的薄膜。 原子層沉積的自限制特征 ：根據(jù)沉積前驅(qū)體和基體材料的不同，原子層沉積有兩種不同的自限制機(jī)制，即化學(xué)吸附自限制和順次反應(yīng)自限制過程。 化學(xué)吸附自限制沉積過程中，第一種反應(yīng)前驅(qū)體輸入到基體材料表面并通過化學(xué)吸附（飽和吸附）保持在表面。當(dāng)?shù)诙N前驅(qū)體通入反應(yīng)器，起就會與已吸附于基體材料表面的第一前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng)。兩個(gè)前驅(qū)體之間會發(fā)生置換反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的副產(chǎn)物，直到表面的第一前驅(qū)體完全消耗，反應(yīng)會自動停止并形成需要的原子層。因此這是一種自限制過程，而且不斷重復(fù)這種反應(yīng)形成薄膜。與化學(xué)吸附自限制過程不同，順次反應(yīng)自限制原子層沉積過程是通過活性前驅(qū)體物質(zhì)與活性基體材料表面化學(xué)反應(yīng)來驅(qū)動的。這樣得到的沉積薄膜是由于前驅(qū)體與基體材料間的化學(xué)反應(yīng)形成的

6，原子層沉積的技術(shù)應(yīng)用

原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。就目前已發(fā)表的相關(guān)論文和報(bào)告可預(yù)知，該技術(shù)可能應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括：1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）3） 光電子材料和器件4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）6） 互連線勢壘層7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）8） DRAM、MRAM介電層9） 嵌入式電容10） 電磁記錄磁頭11） 各類薄膜（<100nm）原子層沉積技術(shù)沉積出的相關(guān)薄膜材料材料類別 沉積材料Ⅱ-Ⅵ化合物 ZnS,ZnSe,ZnTe,ZnS1-xSex,CaS,SrS,BaS,SrS1-xSex,CdS,CdTe,MnTe,HgTe,Hg1-xCdxTe,Cd1-xMnxTeⅡ-Ⅵ基TFEL磷光材料 ZnS:M (M=Mn,Tb,Tm),CaS:M (M=Eu,Ce,Tb,Pb),SrS:M (M=Ce,Tb,Pb,Mn,Cu)Ⅲ-V化合物 GaAs,AlAs,AlP,InP,GaP,InAs,AlxGa1-xAs,GaxIn1-xAs,GaxIn1-xP氮（碳）化物 半導(dǎo)體/介電材料 AlN,GaN,InN,SiNx導(dǎo)體 TiN(C),TaN(C),Ta3N5,NbN(C),MoN(C)氧化物 介電層 Al2O3,TiO2,ZrO2,HfO2,Ta2O5,Nb2O5,Y2O3,MgO,CeO2,SiO2,La2O3,SrTiO3,BaTiO3透明導(dǎo)體/半導(dǎo)體 In2O3,In2O3:Sn,In2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOx超導(dǎo)材料 YB2Cu3O7-x其他三元材料 LaCoO3,LaNiO3氟化物 CaF,SrF,ZnF單質(zhì)材料 Si,Ge,Cu,Mo,Pt,W,Co,Fe,Ni,Ru其他 La2S3,PbS,In2S3,CuGaS2,SiC
原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當(dāng)前驅(qū)體達(dá)到沉積基體表面，它們會在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。原子層沉積的表面反應(yīng)具有自限制性（self-limiting），實(shí)際上這種自限制性特征正是原子層沉積技術(shù)的基礎(chǔ)。不斷重復(fù)這種自限制反應(yīng)就形成所需要的薄膜。原子層沉積的自限制特征 ：根據(jù)沉積前驅(qū)體和基體材料的不同，原子層沉積有兩種不同的自限制機(jī)制，即化學(xué)吸附自限制（cs）和順次反應(yīng)自限制（rs）過程?；瘜W(xué)吸附自限制沉積過程中，第一種反應(yīng)前驅(qū)體輸入到基體材料表面并通過化學(xué)吸附（飽和吸附）保持在表面。當(dāng)?shù)诙N前驅(qū)體通入反應(yīng)器，起就會與已吸附于基體材料表面的第一前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng)。兩個(gè)前驅(qū)體之間會發(fā)生置換反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的副產(chǎn)物，直到表面的第一前驅(qū)體完全消耗，反應(yīng)會自動停止并形成需要的原子層。因此這是一種自限制過程，而且不斷重復(fù)這種反應(yīng)形成薄膜。與化學(xué)吸附自限制過程不同，順次反應(yīng)自限制原子層沉積過程是通過活性前驅(qū)體物質(zhì)與活性基體材料表面化學(xué)反應(yīng)來驅(qū)動的。這樣得到的沉積薄膜是由于前驅(qū)體與基體材料間的化學(xué)反應(yīng)形成的。圖a和b分別給出了這兩種自限制反應(yīng)過程的示意圖。由圖可知，化學(xué)吸附自限制過程的是由吸附前驅(qū)體1（ml2）與前驅(qū)體2（an2）直接反應(yīng)生成ma原子層（薄膜構(gòu)成），主要反應(yīng)可以以方程式⑴表示。對于順次反應(yīng)自限制過程首先是活化劑（an）活化基體材料表面；然后注入的前驅(qū)體1（ml2）在活化的基體材料表面反應(yīng)形成吸附中間體（aml），這可以用反應(yīng)方程式⑵表示。反應(yīng)⑵隨著活化劑an的反應(yīng)消耗而自動終止，具有自限制性。當(dāng)沉積反應(yīng)前驅(qū)體2（an2）注入反應(yīng)器后，就會與上述的吸附中間體反應(yīng)并生成沉積原子層。圖 a.化學(xué)吸附（cs）和b.順次反應(yīng)（rs）自限制原子層沉積過程示意圖ml2 + an2 --- ma(film) + 2ln ⑴an + ml2 --- aml + nl ⑵aml + an2 --- man + nl ⑶這里需要說明的是前軀體1能夠在基體材料表面快速形成穩(wěn)定的化學(xué)吸附層是化學(xué)吸附自限制原子沉積過程的必要條件。對于順次反應(yīng)自限制過程，一方面基體材料表面必須先經(jīng)過表面活化，另一方面，這種沉積反應(yīng)實(shí)際是半反應(yīng)⑵和⑶的組合。每個(gè)半反應(yīng)完成后材料表面的功能基團(tuán)都會發(fā)生變化，并且一個(gè)原子層沉積完成時(shí)，材料表面要恢復(fù)到最初的活化基團(tuán)狀態(tài)。這種恢復(fù)特點(diǎn)以及材料表面原始活性狀態(tài)是區(qū)分上述兩種不同的自限制反應(yīng)沉積過程的主要因素。
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