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儲存芯片,新手求解驅(qū)動板多個儲存芯片作用

來源:整理 時間:2023-09-03 12:18:00 編輯:智能門戶 手機版

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1,新手求解驅(qū)動板多個儲存芯片作用

大多數(shù)只有2個 一個MCU程序 芯片 一個24用戶設置保存芯片

新手求解驅(qū)動板多個儲存芯片作用

2,什么是內(nèi)存SDP芯片

二次啟動,這種現(xiàn)象很多見,有可能是電源不給力,也有可能是內(nèi)存SDP芯片的小問題,不過主要不影響使用,就放心用下去吧。
內(nèi)存
又學了一些新東西,原來是這樣啊,看來內(nèi)存壞了不一定是不能用啊

什么是內(nèi)存SDP芯片

3,NAND FLASH和DRAM芯片有什么區(qū)別

FLASH存儲器又稱閃存,它結合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦出可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢),U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設備,然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用(U盤)。 DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,這里介紹其中的一種DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢

NAND FLASH和DRAM芯片有什么區(qū)別

4,內(nèi)存顆粒和內(nèi)存芯片是一回事嗎

然不是! 內(nèi)存顆粒顆粒是一種半導體介質(zhì)!可以在通電的情況下紀錄存儲信息!直觀的說就是內(nèi)存條上的一個個黑色的小方塊! 內(nèi)存芯片的話!說實話,內(nèi)存上的那個嚴格的說不能算是芯片!那個是用來存儲內(nèi)存信息的SPD芯片!一般在內(nèi)存條的中間部分的一個很小的貼片!也有少數(shù)廠家設計在內(nèi)存條的一邊!比如金太克就是設計在內(nèi)存的一邊的
不是 本質(zhì)的區(qū)別。內(nèi)存顆粒是你能看到的那個內(nèi)存條上所謂的芯片的成色,而內(nèi)存芯片就是用來存儲內(nèi)存信息的SPD芯片。
一樣也不一樣,芯片指的是芯片的型號; 不一樣的是顆粒還指內(nèi)存條上有幾個集成塊。
芯片是廣義的叫法,是集成電路的另一稱謂,包括所有的集成電路。如:CPU.南橋.北橋.bios.等等。 內(nèi)存顆粒是指內(nèi)存的緩存芯片。
很多時候,常聽人們說到“內(nèi)存顆?!保鋵嵾@是港臺地區(qū)對內(nèi)存芯片的一種稱呼(僅對內(nèi)存),其他的芯片,港臺則稱為“晶片”,兩者的意思是一樣的,至于大家怎么稱呼,看個人習慣了。 有本質(zhì)區(qū)別,但是含義上是一樣的。
是的,含義差不多是一樣的
芯片呢!就好像是我們?nèi)说拇竽X一樣!關系到你的內(nèi)存的速度,反應速度等等重要的參數(shù)!內(nèi)存顆粒就是內(nèi)存用來儲存信息的介質(zhì),或者說是載體!

5,DRAMSRAMROMCMOS RAM這些存儲芯片中哪個速度最快

SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積,在主板上哪些是SRAM呢? 一種是置于CPU與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲我們所設置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設計有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級高速緩存)和L2Cache(二級高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設計在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快,不需要刷新的*作,但是也有另外的缺點,就是價格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存?,F(xiàn)將它的特點歸納如下: ◎優(yōu)點,速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。 ◎缺點,集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價格較高,少量用于關鍵性系統(tǒng)以提高效率。 ◎SRAM使用的系統(tǒng): ○CPU與主存之間的高速緩存。 ○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。 ○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。 ○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)。
各位有興趣進來的戰(zhàn)友,你們說,這樣的話, 是不是要選SRAM了
老師說選,d查他們的頻率,頻率越高,速度越快:yct03
C 是不可能的吧,那到底A快還是B快還是D快有的說的A =>DRAM 因為現(xiàn)在都發(fā)展到DDR3-SDRAM有的說,D也快,我看了這些介紹,感覺B也快,:tuzki26
基于intel的系統(tǒng)使用幾種基本類型的存儲器,只讀存儲器ROM,可擦寫可編程只讀存儲器EPROM,動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM,靜態(tài)隨機訪問存儲器SRAM,視頻隨機訪問存儲器VRAM,以及互補金屬氧化物半導體隨機訪問存儲器CMOS RAM。只讀存儲器ROM,內(nèi)容被永久燒錄到芯片中而不能擦除的存儲器??刹翆懣删幊讨蛔x存儲器EPROM,只能使用紫外線低速擦除,可重新編程。動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM,是在程序運行時存儲代碼和數(shù)據(jù)的地方,它必須在1ms之內(nèi)被重新刷新,否則其中的內(nèi)容就會丟失。靜態(tài)隨機訪問存儲器SRAM,也是一種RAM芯片,主要用于昂貴的高速緩存,這種存儲器不需要重復刷新即可保存其內(nèi)容,CPU的緩存使用的就是SRAM。視頻隨機訪問存儲器VRAM,專用于存儲視頻數(shù)據(jù),VRAM是雙端口的,它允許在一個端口不斷讀出數(shù)據(jù)刷新顯示的同時從另一個端口寫數(shù)據(jù)?;パa金屬氧化物半導體隨機訪問存儲器CMOS RAM,在系統(tǒng)主板上用于存儲系統(tǒng)設置信息,它由一塊電池供電,因此其中的內(nèi)容即使在計算機關閉電源之后仍可以保留。從用途看是SRAM,不過其中工作原理我也沒有弄明白,希望樓豬有時間給解釋一下。謝謝了美女

6,芯片存儲數(shù)據(jù)的原理是什么

1、 sram 里面的單位是若干個開關組成一個觸發(fā)器, 形成可以穩(wěn)定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。2、dram, 主要是根據(jù)電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0芯片就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數(shù)據(jù)。所謂程序其實就是數(shù)據(jù). 電路從存儲芯片讀數(shù)據(jù)進來, 根據(jù)電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數(shù)據(jù)
1、 sram 里面的單位是若干個開關組成一個觸發(fā)器, 形成可以穩(wěn)定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。2、dram, 主要是根據(jù)電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0芯片就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數(shù)據(jù)。所謂程序其實就是數(shù)據(jù). 電路從存儲芯片讀數(shù)據(jù)進來, 根據(jù)電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數(shù)據(jù)
Flash芯片并不是像光盤那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明,我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制,也就是0與1。在二進制中,0與1可以組成任何數(shù)。而電腦的器件都有兩種狀態(tài),可以表示0與1。比如三極管的斷電與通電,磁性物質(zhì)的已被磁化與未被磁化,物質(zhì)平面的凹與凸,都可以表示0與1。硬盤就是采用磁性物質(zhì)記錄信息的,磁盤上的磁性物質(zhì)被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電后不會喪失,所以磁盤斷電后依然能保存數(shù)據(jù)。而內(nèi)存的儲存形式則不同,內(nèi)存不是用磁性物質(zhì),而是用RAM芯片?,F(xiàn)在請你在一張紙上畫一個“田”,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個“田”字就是一個內(nèi)存,這樣,“田”里面的四個空格就是內(nèi)存的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子。。好,內(nèi)存現(xiàn)在開始工作。內(nèi)存通電后,如果我要把“1010”這個信息保存在內(nèi)存(現(xiàn)在畫的“田”字)中,那么電子就會進入內(nèi)存的儲存空間里?!疤铩弊值牡谝粋€空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。這樣,“田”的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,內(nèi)存就是這樣把“1010”這個數(shù)據(jù)保存好了。電子是運動沒有規(guī)律的物質(zhì),必須有一個電源才能規(guī)則地運動,內(nèi)存通電時它很安守地在內(nèi)存的儲存空間里,一旦內(nèi)存斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出內(nèi)存的空間去,所以,內(nèi)存斷電就不能保存數(shù)據(jù)了。再看看U盤,U盤里的儲存芯片是Flash芯片,它與RAM芯片的工作原理相似但不同?,F(xiàn)在你在紙上再畫一個“田”字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質(zhì)。好,F(xiàn)lash芯片工作通電了,這次也是保存“1010”這個數(shù)據(jù)。電子進入了“田”的第一個空格,也就是芯片的儲存空間。電子把里面的物質(zhì)改變了性質(zhì),為了表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),你可以把“田”內(nèi)的第一個圓圈涂上顏色。由于數(shù)據(jù)“1010”的第二位數(shù)是0,所以Flash芯片的第二個空間沒有電子,自然里面那個物質(zhì)就不會改變了。第三位數(shù)是1,所以“田”的第三個空格通電,第四個不通電?,F(xiàn)在你畫的“田”字,第一個空格的物質(zhì)涂上了顏色,表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),表示1,第二個沒有涂顏色,表示0,以此類推。當Flash芯片斷電后,物質(zhì)的性質(zhì)不會改變了,除非你通電擦除。當Flash芯片通電查看儲存的信息時,電子就會進入儲存空間再反饋信息,電腦就知道芯片里面的物質(zhì)有沒有改變。
Flash芯片并不是像光盤那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明,我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制,也就是0與1。在二進制中,0與1可以組成任何數(shù)。而電腦的器件都有兩種狀態(tài),可以表示0與1。比如三極管的斷電與通電,磁性物質(zhì)的已被磁化與未被磁化,物質(zhì)平面的凹與凸,都可以表示0與1。硬盤就是采用磁性物質(zhì)記錄信息的,磁盤上的磁性物質(zhì)被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電后不會喪失,所以磁盤斷電后依然能保存數(shù)據(jù)。而內(nèi)存的儲存形式則不同,內(nèi)存不是用磁性物質(zhì),而是用RAM芯片?,F(xiàn)在請你在一張紙上畫一個“田”,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個“田”字就是一個內(nèi)存,這樣,“田”里面的四個空格就是內(nèi)存的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子。。好,內(nèi)存現(xiàn)在開始工作。內(nèi)存通電后,如果我要把“1010”這個信息保存在內(nèi)存(現(xiàn)在畫的“田”字)中,那么電子就會進入內(nèi)存的儲存空間里。“田”字的第一個空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。這樣,“田”的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,內(nèi)存就是這樣把“1010”這個數(shù)據(jù)保存好了。電子是運動沒有規(guī)律的物質(zhì),必須有一個電源才能規(guī)則地運動,內(nèi)存通電時它很安守地在內(nèi)存的儲存空間里,一旦內(nèi)存斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出內(nèi)存的空間去,所以,內(nèi)存斷電就不能保存數(shù)據(jù)了。再看看U盤,U盤里的儲存芯片是Flash芯片,它與RAM芯片的工作原理相似但不同。現(xiàn)在你在紙上再畫一個“田”字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質(zhì)。好,F(xiàn)lash芯片工作通電了,這次也是保存“1010”這個數(shù)據(jù)。電子進入了“田”的第一個空格,也就是芯片的儲存空間。電子把里面的物質(zhì)改變了性質(zhì),為了表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),你可以把“田”內(nèi)的第一個圓圈涂上顏色。由于數(shù)據(jù)“1010”的第二位數(shù)是0,所以Flash芯片的第二個空間沒有電子,自然里面那個物質(zhì)就不會改變了。第三位數(shù)是1,所以“田”的第三個空格通電,第四個不通電?,F(xiàn)在你畫的“田”字,第一個空格的物質(zhì)涂上了顏色,表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),表示1,第二個沒有涂顏色,表示0,以此類推。當Flash芯片斷電后,物質(zhì)的性質(zhì)不會改變了,除非你通電擦除。當Flash芯片通電查看儲存的信息時,電子就會進入儲存空間再反饋信息,電腦就知道芯片里面的物質(zhì)有沒有改變。
flash芯片并不是像光盤那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明,我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制,也就是0與1。在二進制中,0與1可以組成任何數(shù)。而電腦的器件都有兩種狀態(tài),可以表示0與1。比如三極管的斷電與通電,磁性物質(zhì)的已被磁化與未被磁化,物質(zhì)平面的凹與凸,都可以表示0與1。硬盤就是采用磁性物質(zhì)記錄信息的,磁盤上的磁性物質(zhì)被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電后不會喪失,所以磁盤斷電后依然能保存數(shù)據(jù)。而內(nèi)存的儲存形式則不同,內(nèi)存不是用磁性物質(zhì),而是用ram芯片?,F(xiàn)在請你在一張紙上畫一個“田”,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個“田”字就是一個內(nèi)存,這樣,“田”里面的四個空格就是內(nèi)存的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子。。好,內(nèi)存現(xiàn)在開始工作。內(nèi)存通電后,如果我要把“1010”這個信息保存在內(nèi)存(現(xiàn)在畫的“田”字)中,那么電子就會進入內(nèi)存的儲存空間里?!疤铩弊值牡谝粋€空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。這樣,“田”的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,內(nèi)存就是這樣把“1010”這個數(shù)據(jù)保存好了。電子是運動沒有規(guī)律的物質(zhì),必須有一個電源才能規(guī)則地運動,內(nèi)存通電時它很安守地在內(nèi)存的儲存空間里,一旦內(nèi)存斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出內(nèi)存的空間去,所以,內(nèi)存斷電就不能保存數(shù)據(jù)了。再看看u盤,u盤里的儲存芯片是flash芯片,它與ram芯片的工作原理相似但不同?,F(xiàn)在你在紙上再畫一個“田”字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質(zhì)。好,flash芯片工作通電了,這次也是保存“1010”這個數(shù)據(jù)。電子進入了“田”的第一個空格,也就是芯片的儲存空間。電子把里面的物質(zhì)改變了性質(zhì),為了表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),你可以把“田”內(nèi)的第一個圓圈涂上顏色。由于數(shù)據(jù)“1010”的第二位數(shù)是0,所以flash芯片的第二個空間沒有電子,自然里面那個物質(zhì)就不會改變了。第三位數(shù)是1,所以“田”的第三個空格通電,第四個不通電?,F(xiàn)在你畫的“田”字,第一個空格的物質(zhì)涂上了顏色,表示這個物質(zhì)改變了性質(zhì),表示1,第二個沒有涂顏色,表示0,以此類推。當flash芯片斷電后,物質(zhì)的性質(zhì)不會改變了,除非你通電擦除。當flash芯片通電查看儲存的信息時,電子就會進入儲存空間再反饋信息,電腦就知道芯片里面的物質(zhì)有沒有改變。就是這樣,ram芯片斷電后數(shù)據(jù)會丟失,flash芯片斷電后數(shù)據(jù)不會丟失,但是ram的讀取數(shù)據(jù)速度遠遠快于flash芯片。
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