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臺積電3nm，因特爾臺積電三星芯片加工工藝差距是多少

來源：整理時(shí)間：2023-08-20 16:41:21 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，因特爾臺積電三星芯片加工工藝差距是多少
2，蘋果15什么時(shí)候上市
3，三星CPU和臺積電CPU有那么糾結(jié)嗎
4，為何說臺積電壓制三星
5，英特爾的14納米相當(dāng)于三星臺積電的多少納米
6，說一說臺積電到底有多強(qiáng)大

1，因特爾臺積電三星芯片加工工藝差距是多少

英特爾14nm工藝(下一代就是7nm，英特爾有點(diǎn)擠牙膏的意思)，三星10nm，臺積電7nm。自己看吧，這是目前加工工藝的差距。

你指的是有哪家晶圓廠代工吧。6s既有臺積電代工的芯片，也有三星代工的芯片。根據(jù)評測，臺積電代工的芯片在功耗和發(fā)熱上比起三星來要好一些。不過差距不大，日常使用應(yīng)該感覺不出差別。

因特爾臺積電三星芯片加工工藝差距是多少

2，蘋果15什么時(shí)候上市

蘋果iPhone15將于2023年9月發(fā)布上市。新的15系列將使用高通基帶芯片，并且許多功能將大大加強(qiáng)和升級，iPhone15將采用自研芯片，5G芯片采用臺積電5nm工藝，射頻IC采用臺積電7nm工藝，a17應(yīng)用處理器采用臺積電3nm并量產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)分析師認(rèn)為，蘋果公司對歐盟的決議已做好了準(zhǔn)備，可能會在2023年的iPhone15機(jī)型中改用USB Type-C接口，現(xiàn)在已經(jīng)在測試。

蘋果15什么時(shí)候上市

3，三星CPU和臺積電CPU有那么糾結(jié)嗎

三星使用的14nm工藝，有著成熟的蘋果A系處理器代工經(jīng)驗(yàn)；而臺積電使用的則是16nm，而且是第一次，理論上三星的版本會更有優(yōu)勢，但是實(shí)測結(jié)果，卻恰恰相反……　　連續(xù)跑Geekbench測試當(dāng)中，三星逐漸發(fā)熱嚴(yán)重，越到后面成績起伏越大，分值從最開始的稍稍勝出變成漸漸不如臺積電，并且多次明顯成績下滑。溫度比臺積電要高5度左右達(dá)到40度。而臺積電，成績穩(wěn)定，基本無起伏，溫度也不到36度?！　∈褂冒餐猛?，三星繼續(xù)高熱，臺積電繼續(xù)涼爽。溫度差距在5度左右。中間三星出現(xiàn)一次閃退，每次都是臺積電先跑完測試并且在分值上勝出?！　y試對象；　　1.使用臺積電16nm處理器的iPhone 6s Plus雖然屏幕更大，但只消耗了314毫安的電量?！　?.使用三星14nm處理器的iPhone 6s，居然反而比iPhone 6s Plus多耗電70毫安，達(dá)到384毫安。

沒有

三星CPU和臺積電CPU有那么糾結(jié)嗎

4，為何說臺積電壓制三星

近日報(bào)道。既然電池技術(shù)在段時(shí)間內(nèi)不會有太大的進(jìn)步，那么手機(jī)廠商和產(chǎn)業(yè)鏈就要推動相關(guān)技術(shù)的升級，比如讓CPU工藝制程更先進(jìn)。三星、臺積電都在瘋狂推動這7nm移動處理器工藝的進(jìn)展，不過據(jù)臺灣產(chǎn)業(yè)鏈傳出的消息稱，在這場7nm工藝制程的競爭中，臺積電取得了壓倒性的勝利。據(jù)臺灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱，臺積電的7nm工藝制程芯片已經(jīng)拿下了40多為客戶，而之前一直跟三星關(guān)系較好的高通，也把下一代驍龍?zhí)幚砥鞯拇と蝿?wù)交給了臺積電。除了高通外，產(chǎn)業(yè)鏈消息人士還強(qiáng)調(diào)，蘋果依然是臺積電最大、最穩(wěn)定的客戶，而他們也將在今年Q2市場基于7nm工藝制程的A12處理器，很顯然這是為新一代iPhone準(zhǔn)備的。之前的消息顯示，今年蘋果將繼續(xù)推出三款新iPhone，除了iPhone X的常規(guī)版更新外，他們還會帶來6.5英寸版iPhone X Plus，還有6.1英寸LCD屏幕的廉價(jià)版iPhone X，而它們都會搭載A12處理器。報(bào)道中還提到，為了擴(kuò)大對三星的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，臺積電將會在其7nm+制程中采用極紫外技術(shù)（EUV），并將逐步在5nm和3nm制程中采用，而現(xiàn)在他們正在努力擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2019年開始5nm芯片的試產(chǎn)工作，而3nm要到2020年了。

5，英特爾的14納米相當(dāng)于三星臺積電的多少納米

大概10nm吧，目前沒有確切的消息，只是按照以前的案例推算，在intel 20nm的時(shí)候，三星將同樣級別的技術(shù)，進(jìn)行了一下文字游戲（對他非常喜歡這樣），標(biāo)識了晶體管上面的其他參數(shù)，以14nm的明晃晃的數(shù)字對外宣傳（晶體管有很多參數(shù)標(biāo)識，此處不做詳解），以此來造成一個(gè) 技術(shù)很先進(jìn)的假象，后來臺積電也無奈為滿足宣傳需要跟進(jìn)修改了參數(shù)標(biāo)識，將同樣級別的技術(shù)標(biāo)稱了16nm 。最后的表現(xiàn)就是14nm還不如人家的16 ，兩個(gè)都是intel20nm級別的技術(shù)，甚至還不如intel的20nm

排除數(shù)字這種人為因素，在技術(shù)方面，英特爾還是目前的老大，沒有任何疑問。其次應(yīng)該是臺積電，臺積電目前是全球最大的半導(dǎo)體代工廠，別小看代工，這個(gè)可是高科技高附加值的代工，和皮鞋服裝廠不是一個(gè)概念，技術(shù)一般落后于英特爾1-2年，不過優(yōu)勢是一旦量產(chǎn)產(chǎn)能很好，良品率也不錯(cuò)，nvidia、蘋果、高通、賽靈思很多產(chǎn)品都是臺積電代工。三星最近發(fā)展迅猛，挖了不少工程師，利用在閃存及dram的經(jīng)驗(yàn)，也獲得了不少的代工用戶，不過產(chǎn)能及良品率是落后于臺積電，技術(shù)及參數(shù)綜合起來基本持平或者略低，但是價(jià)格有一定優(yōu)勢，也有不少的用戶選擇，比如高通、amd、nvidia等。

6，說一說臺積電到底有多強(qiáng)大

之前我們曾對iPhone 6S里的A9處理器進(jìn)行過詳細(xì)的技術(shù)分析，基本了解了它的秘密，但結(jié)果發(fā)現(xiàn)，有一點(diǎn)是錯(cuò)誤的。當(dāng)時(shí)根據(jù)已知消息和性能評估，認(rèn)為A9的三級緩存容量達(dá)到了8MB，相比于A8 4MB翻了一番，所以表現(xiàn)更好，但是經(jīng)過進(jìn)一步的探尋，發(fā)現(xiàn)A9的三級緩存其實(shí)還是4MB，大小并沒有變。最直接的證據(jù)就是芯片面積分析。A8是臺積電20nm工藝造的，三級緩存部分面積約4.9平方毫米，而臺積電16nm版本的A9三級緩存部分面積約4.5平方毫米?？紤]到臺積電16nm本來就是在20nm基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的，金屬間距都沒變，對三級緩存SRAM的影響很小，足以證明A9的三級緩存容量沒變。但是，蘋果重新設(shè)計(jì)了A9三級緩存的架構(gòu)，從包容式(Inclusive)變成了淘汰式(Victim)。簡單地說，包容式緩存會包含一份上級緩存數(shù)據(jù)的完整拷貝，比如說A8二級緩存1MB、三級緩存4MB，后者其實(shí)就有四分之一的空間是前者的復(fù)制品，實(shí)際有效容量為3MB。A9的二級緩存增大到3MB，再這么干顯然不行了，所以4MB的三級緩存就完全是自己的。這樣做的壞處當(dāng)然是延長了三級緩存的延遲，但占用的芯片面積也小了，就看你怎么選了。再看看這張之前的緩存/內(nèi)存延遲測試圖，可以明顯發(fā)現(xiàn)3MB、7MB兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的延遲發(fā)生了突變，正好對應(yīng)三級緩存的開始和結(jié)束。之前對這塊理解有誤。另外可以看出，A9的緩存延遲相比于A8其實(shí)大大降低了，所以蘋果選擇改變設(shè)計(jì)是很明智的。不知道下一代A10會怎么設(shè)計(jì)呢?延續(xù)A9?還是像A9X那樣完全取消三級緩存?