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薄膜太陽能電池,CIGS薄膜太陽能光伏電池是什么原理

來源:整理 時間:2023-08-15 21:03:17 編輯:智能門戶 手機版

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1,CIGS薄膜太陽能光伏電池是什么原理

和晶硅一樣的,類似PIN結(jié)構(gòu)襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體,其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層

CIGS薄膜太陽能光伏電池是什么原理

2,非晶硅薄膜太陽能電池

我們就是做非晶硅太陽能電池的, 我也來回答一下這個問題. 非晶硅太陽能電池的優(yōu)勢: 1. 非晶硅對可見光的吸收比晶體硅的要強,也就是說以陰雨天或者說月光較強的晚上,非晶硅電池也可以產(chǎn)生較少量的電流. 甚至有測得,同樣功率的非晶硅和晶體硅太陽能電池, 按一年的發(fā)電量計算, 非晶硅要比晶體硅發(fā)的電多. 2. 非晶硅價格便宜, 因為非晶硅不受硅材料價格的限制, 在生產(chǎn)過程中, 用硅烷氣體通過輝光放電法,在玻璃等襯底上沉積成一層薄膜. 因其材料較便宜, 可以大規(guī)模生產(chǎn)和推廣. 3. 高溫性能好:當太陽能電池工作溫度高于標準測試溫度25℃時,其最佳輸出功率會有所下降;非晶硅太陽能電池受溫度的影響比晶體硅太陽能電池要小得多。 4. 能量回收周期短, 在生產(chǎn)過程中的每瓦用電能耗較小,1.5-2年即可返回. 由于上述這些優(yōu)勢,令薄膜硅電池在民用領域具有廣闊的應用前景,如光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站、太陽能照明光源。 由于非晶硅薄膜電池的良好前景,包括Sharp、Q-Cells、無錫尚德等在內(nèi)的諸多企業(yè)正大規(guī)模進入非晶硅薄膜太陽能電池領域,整個行業(yè)的統(tǒng)計數(shù)字不斷翻新。

非晶硅薄膜太陽能電池

3,薄膜太陽能電池

非晶硅(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO),然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si,接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al).光從玻璃面入射,電池電流從透明導電膜和鋁引出,其結(jié)構(gòu)可表示為glass/TCO/pin/Al,還可以用不銹鋼片、塑料等作襯底。 硅材料是目前太陽電池的主導材料,在成品太陽電池成本份額中,硅材料占了將近40%,而非晶硅太陽電池的厚度不到1μm,不足晶體硅太陽電池厚度的1/100,這就大大降低了制造成本,又由于非晶硅太陽電池的制造溫度很低(~200℃)、易于實現(xiàn)大面積等優(yōu)點,使其在薄膜太陽電池中占據(jù)首要地位,在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過程(~200℃),易于實現(xiàn)大面積和大批量連續(xù)生產(chǎn),現(xiàn)成為國際公認的成熟技術。在材料研究方面,先后研究了a-SiC窗口層、梯度界面層、μC-SiC p層等,明顯改善了電池的短波光譜響應.這是由于a-Si太陽電池光生載流子的生成主要在i層,入射光到達i層之前部分被p層吸收,對發(fā)電是無效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更寬的光學帶隙,因此減少了對光的吸收,使到達i層的光增加;加之梯度界面層的采用,改善了a-SiC/a-Si異質(zhì)結(jié)界面光電子的輸運特性.在增加長波響應方面,采用了絨面TCO膜、絨面多層背反射電極(ZnO/Ag/Al)和多帶隙疊層結(jié)構(gòu),即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al結(jié)構(gòu).絨面TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失,并增加了光在i層的傳播路程,從而增加了光在i層的吸收.多帶隙結(jié)構(gòu)中,i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小,以便分段吸收太陽光,達到拓寬光譜響應、提高轉(zhuǎn)換效率之目的。在提高疊層電池效率方面還采用了漸變帶隙設計、隧道結(jié)中的微晶化摻雜層等,以改善載流子收集。
意思是薄膜吸熱用熱充電

薄膜太陽能電池

4,薄膜太陽電池是由什么組成的

目前市場上大量產(chǎn)的單晶與多晶硅的太陽電池平均效率約在15%上下,也就是說,這樣的太陽電池只能將入射太陽光能轉(zhuǎn)換成15%可用電能,其余的85%都浪費成無用的熱能。所以嚴格地說,現(xiàn)今太陽電池,也是某種型式的“浪費能源”。當然理論上,只要能有效的抑制太陽電池內(nèi)載子和聲子的能量交換,換言之,有效的抑制載子能帶內(nèi)或能帶間的能量釋放,就能有效的避免太陽電池內(nèi)無用的熱能的產(chǎn)生,大幅地提高太陽電池的效率,甚至達到超高效率的運作。而這樣簡易的理論構(gòu)想,在實際的技術上,卻可以用不同的方法來執(zhí)行這樣的原則。超高效率的太陽電池(第三代太陽電池)的技術發(fā)展,除了運用新穎的元件結(jié)構(gòu)設計,來嘗試突破其物理限制外,也有可能因為新材料的引進,而達成大幅增加轉(zhuǎn)換效率的目的。薄膜太陽電池包括非晶硅太陽電池,CdTe和CIGS(copperindiumgalliumselenide)電池。雖然目前多數(shù)量產(chǎn)薄膜太陽電池轉(zhuǎn)換效率仍無法與晶硅太陽電池抗衡,但是其低制造成本仍然使其在市場有一席之地,且未來市場占有率仍會持續(xù)成長。
染料感光太陽電池是最近被開發(fā)出來的一種嶄新的太陽電池。dssc也被稱為gr01tzel cell,因為是在1991年由gr01tzel等人發(fā)表的構(gòu)造和一般光伏特電池不同,其基板通常是玻璃,也可以是透明且可彎曲的聚合箔(polymer foil),玻璃上有一層透明導電的氧化物(transparent conducting oxide tco) 通常是使用fto(sno2:f) ,然后長有一層約10微米(08m;micron)厚的porous納米尺寸的tio2 粒子 (約10~20 nm)形成一nano-porous薄膜。然后涂上一層染料附著于tio2的粒子上。通常染料是采用ruthenium polypyridyl complex。上層的電極除了也是使用玻璃和tco 外,也鍍上一層鉑當電解質(zhì)反應的催化物 (platinum catalyst) ,二層電極間,則注入填滿含有iodide/triiodide電解質(zhì)(electrolyte)。雖然目前dsc電池的最高轉(zhuǎn)換效率約在12%左右(理論最高29﹪),但是制造過程簡單,所以一般認將大幅降低生產(chǎn)成本,也同時降低每度電的電費。 追問: 什么是太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率? 回答: 光電轉(zhuǎn)換率,是指在太陽能光伏系統(tǒng)中太陽能電池板把太陽光能轉(zhuǎn)化為電能的效率。

5,薄膜太陽能電池有哪些發(fā)展優(yōu)勢為什么能成為國內(nèi)光伏領域新的投資

  當國內(nèi)的多晶硅之戰(zhàn)打得不可開交之時,薄膜太陽能電池的盛宴卻已悄然開席。作為光伏發(fā)電領域里的兩大主力“健將”,晶體硅電池和薄膜電池,似乎拉開了一場爭霸賽?! ”∧る姵仡櫭剂x就是將一層薄膜制備成太陽能電池,其用硅量極少,更容易降低成本,同時它既是一種高效能源產(chǎn)品,又是一種新型建筑材料,更容易與建筑完美結(jié)合。在國際市場硅原材料持續(xù)緊張的背景下,薄膜太陽電池已成為國際光伏市場發(fā)展的新趨勢和新熱點。  目前已經(jīng)能進行產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的薄膜電池主要有3種:硅基薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池(CIGS)、碲化鎘薄膜太陽能電池(CdTe)?! ”∧ぬ柲茈姵仉m然早已出現(xiàn),但由于光電轉(zhuǎn)換效率低、衰減率(光致衰退率)較高等問題,前些年未引起業(yè)界的足夠關注,市場占有率很低。隨著其技術的不斷進步,光電轉(zhuǎn)換效率得到迅速提高,現(xiàn)在比2年以前約提升了30%-40%,雖然仍然與晶體硅電池相比有很大差距,但其用料少、工藝簡單、能耗低,成本有一定優(yōu)勢,越來越被業(yè)界所接受。因此近3年來薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)得到較快發(fā)展?! ?007年全球太陽能電池產(chǎn)量達到3,436MW,較2006年增長了56%,中國廠商2007年市占率由2006年的20%提升至35%,而日本廠商市占率則由2006年的39%下滑至26%,日本廠商市占率下滑除了受到上游硅料供應吃緊及日本本土市場光伏系統(tǒng)裝置容量下降等因素影響之外,日系廠商開始布局下一世代薄膜太陽能電池領域發(fā)展也有相當大的關系。  2007年薄膜太陽能電池產(chǎn)量(包括a-Si、μc-Si、CdTe、CIGS等技術)增速持續(xù)超越整體產(chǎn)業(yè),2007年薄膜太陽能電池產(chǎn)量達到400MW,較06年的181MW大幅增長了120%,2007年薄膜太陽能電池市占率由2006年的8.2%提升至2007年的12%,而2008年已達到15%-20%。在薄膜太陽能電池透過電池轉(zhuǎn)換效率進一步提升以及大面積生產(chǎn)的成本優(yōu)勢,其市占率有進一步提升空間?! ∨c此相應,繼太陽能組件熱、多晶硅熱之后,薄膜電池又成為國內(nèi)光伏領域新的投資熱點?! ∨c晶體硅電池相比,薄膜電池的成本下降潛力要大得多,這主要得益于薄膜電池的技術進步日新月異。薄膜太陽能預計未來的產(chǎn)能可能會達到整個太陽能行業(yè)的20%,而2007年只有7.6%,可見這當中的空間。薄膜太陽能就是要做得薄,要提高性能指標,有很多物理方法,比如說離子束方法沉積納米晶硅薄膜這種工藝,如果國內(nèi)企業(yè)能夠在這些方法上面有所提升,將會非常有前景?! ≈袊顿Y資訊網(wǎng)2009-2012年中國薄膜太陽能電池行業(yè)投資分析及前景預測報告

6,非晶硅太陽能薄膜電池用到哪些原料

導電玻璃上需要沉積ITO, ZnO/AlO3; 緩沖層用的是CdS; 吸收層自然是用非晶硅,也就是Si; 金屬電極用的是Al或Ag 參考資料: www.enf.cn
非晶硅(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO),然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si,接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al).光從玻璃面入射,電池電流從透明導電膜和鋁引出,其結(jié)構(gòu)可表示為glass/TCO/pin/Al,還可以用不銹鋼片、塑料等作襯底。 硅材料是目前太陽電池的主導材料,在成品太陽電池成本份額中,硅材料占了將近40%,而非晶硅太陽電池的厚度不到1μm,不足晶體硅太陽電池厚度的1/100,這就大大降低了制造成本,又由于非晶硅太陽電池的制造溫度很低(~200℃)、易于實現(xiàn)大面積等優(yōu)點,使其在薄膜太陽電池中占據(jù)首要地位,在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過程(~200℃),易于實現(xiàn)大面積和大批量連續(xù)生產(chǎn),現(xiàn)成為國際公認的成熟技術。在材料研究方面,先后研究了a-SiC窗口層、梯度界面層、μC-SiC p層等,明顯改善了電池的短波光譜響應.這是由于a-Si太陽電池光生載流子的生成主要在i層,入射光到達i層之前部分被p層吸收,對發(fā)電是無效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更寬的光學帶隙,因此減少了對光的吸收,使到達i層的光增加;加之梯度界面層的采用,改善了a-SiC/a-Si異質(zhì)結(jié)界面光電子的輸運特性.在增加長波響應方面,采用了絨面TCO膜、絨面多層背反射電極(ZnO/Ag/Al)和多帶隙疊層結(jié)構(gòu),即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al結(jié)構(gòu).絨面TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失,并增加了光在i層的傳播路程,從而增加了光在i層的吸收.多帶隙結(jié)構(gòu)中,i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小,以便分段吸收太陽光,達到拓寬光譜響應、提高轉(zhuǎn)換效率之目的。在提高疊層電池效率方面還采用了漸變帶隙設計、隧道結(jié)中的微晶化摻雜層等,以改善載流子收集。 為了獲得具有高效率、高穩(wěn)定性的硅基薄膜太陽電池,近年來又出現(xiàn)了微晶、多晶硅薄膜電池。微晶硅薄膜是采用大氫稀釋和微量摻硼技術制備的。多晶硅薄膜的制造技術主要有兩種,一種是采用PECVD技術或熱絲法直接生長;另一種則是通過對a-Si∶H材料進行后退火,實現(xiàn)低溫固相晶化。
二氧化硅!
文章TAG:薄膜太陽太陽能太陽能電池薄膜太陽能電池

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