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本文目錄一覽

1，肖特基二極管的工作結(jié)溫是多少
2，什么是肖特基勢壘
3，肖特基勢壘的優(yōu)點
4，肖特基二極管的結(jié)構(gòu)
5，肖特基三極管結(jié)構(gòu)和是什么工作原理
6，肖特基二極管和快恢復(fù)二極管的區(qū)別

1，肖特基二極管的工作結(jié)溫是多少

110左右

肖特基二極管的工作結(jié)溫是多少

2，什么是肖特基勢壘

金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域.金屬-半導(dǎo)體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級.由半導(dǎo)體到金屬,電子需要克服勢壘;而由金屬向半導(dǎo)體,電子受勢壘阻擋.在加正向偏置時半導(dǎo)體一側(cè)的勢壘下降;相反,在加反向偏置時,半導(dǎo)體一側(cè)勢壘增高.使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬-半導(dǎo)體接觸均如此.如果對于P型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù),對于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù),以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸,它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng),以致勢壘不起整流作用).當半導(dǎo)體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致.

什么是肖特基勢壘

3，肖特基勢壘的優(yōu)點

由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設(shè)計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護電路上的其它器件。然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來說能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。

肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體結(jié)，適合用于二極管。肖特基勢壘與pn結(jié)最大的區(qū)別是其典型的低結(jié)電壓，減小金屬的(幾乎不存在)耗盡區(qū)寬度。但并不是所有的有整流特性的金屬-半導(dǎo)體結(jié)都是肖特基勢壘. 金屬-半導(dǎo)體結(jié)沒有整流特性的叫做歐姆接觸.。整流屬性取決于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的帶隙，以及類型和半導(dǎo)體的摻雜濃度。

肖特基勢壘的優(yōu)點

4，肖特基二極管的結(jié)構(gòu)

新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。其結(jié)構(gòu)示圖如圖1（a），圖形符號和等效電路分別如圖1（b）和圖1（c）所示。在圖1（c）中，CP是管殼并聯(lián)電容，LS是引線電感，RS是包括半導(dǎo)體體電阻和引線電阻在內(nèi)的串聯(lián)電阻，Cj和Rj分別為結(jié)電容和結(jié)電阻（均為偏流、偏壓的函數(shù)）。　大家知道，金屬導(dǎo)體內(nèi)部有大量的導(dǎo)電電子。當金屬與半導(dǎo)體接觸（二者距離只有原子大小的數(shù)量級）時，金屬的費米能級低于半導(dǎo)體的費米能級。在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導(dǎo)體向金屬擴散運動的結(jié)果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導(dǎo)體一邊（勢壘區(qū)全部落在半導(dǎo)體一側(cè)）。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，最終達到動態(tài)平衡，在金屬與半導(dǎo)體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。在外加電壓為零時，電子的擴散電流與反向的漂移電流相等，達到動態(tài)平衡。在加正向偏壓（即金屬加正電壓，半導(dǎo)體加負電壓）時，自建場削弱，半導(dǎo)體一側(cè)勢壘降低，于是形成從金屬到半導(dǎo)體的正向電流。當加反向偏壓時，自建場增強，勢壘高度增加，形成由半導(dǎo)體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結(jié)二極管一樣，是一種具有單向?qū)щ娦缘姆蔷€性器件。

5，肖特基三極管結(jié)構(gòu)和是什么工作原理

肖特基三極管是由肖特基二極管和一個普通三極管組合而成的。一般是將肖特基二極管接在三極管的 B---C 極之間用以改善三極管的一些高頻性能。肖特基二極管的原理和結(jié)構(gòu)你可以到下面這個網(wǎng)站去看看是百度文庫的一個網(wǎng)站http://wenku.baidu.com/view/f83dfb563c1ec5da50e27032.html

肖特基二極管是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode）的簡稱，發(fā)明人姓肖特基。普通二極管是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)，而肖特基二極管是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成金屬－半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二極管整流電流大、速度高、反向恢復(fù)時間短、正向?qū)▔航档?，常用于開關(guān)電源中?，F(xiàn)在肖特基二極管的反向耐壓已經(jīng)遠超過100V。如MBR20200、MSRD620、MR852的反向耐壓是200V，MR854的反向耐壓是400V，而MR856、MSR860、MSR1560的反向耐壓達到600V。

可以肯定的是，atx電源里沒有肖特基三極管，只有肖特基二極管，你見到是to-220或其它類似三極管封裝的肖特基二極管，作用就是整流，它們是由兩個二極管接成共陰或共陽結(jié)構(gòu)，一般中間引腳是共接點，可以從電路板中看出來，它的檢測與普通二極管一樣，只是它的導(dǎo)通電壓更低，高頻時反向恢復(fù)時間更短，這樣在低壓、大電流時整流效率更高。在開關(guān)電源中，因為有完善的過流保護，所以肖特基二極管極少見到有燒壞的。

首先是要糾正一下，您可能說的是肖特基二極管，沒有肖特基三極管！在這里只能簡單描述一下：肖特基二極管是以金屬基為主要成分做成的半導(dǎo)體器件。優(yōu)點是導(dǎo)通內(nèi)阻小、死區(qū)電壓低、開關(guān)速度快。缺點是耐壓值低，一般不超過100V。

關(guān)于三極管你不需要從微觀原理去探究它，對于使用者這完全沒必要。你只要知道，當三極管的工作狀態(tài)是處于放大區(qū)內(nèi)時，三極管的集電極電流和基極電流基本上成固定的比例關(guān)系，三極管的所謂放大功能，實際就是依靠這種固定的比例關(guān)系通過一個小的電流（基極電流去控制一個較大的電流（集電極電流）。

6，肖特基二極管和快恢復(fù)二極管的區(qū)別

反向耐壓：快恢復(fù)二極管反向耐壓比肖特基二極管高。通態(tài)壓降：肖特基二極管通態(tài)壓降比快恢復(fù)二極管小。反向恢復(fù)時間：肖特基二極管反向恢復(fù)時間比快恢復(fù)二極管小。這兩種管子通常用于開關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒！前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極管！快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件快恢復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般小于150V)，通態(tài)壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復(fù)時間

快恢復(fù)二極管是高壓管，肖特基二極管是低壓管。肖特基二極管壓降低，恢復(fù)時間3納秒。快恢復(fù)二極管壓降高，500納秒。不同的參數(shù)有不同的性能。向左轉(zhuǎn)|向右轉(zhuǎn)

肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管。肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢壘外側(cè)無過剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題（Qrr→0），使開關(guān)特性獲得時顯改善。其反向恢復(fù)時間已能縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復(fù)時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒！前者的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速！電特性當然都是二極管！快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時也能得到較高的耐壓.這兩種管子通常用于開關(guān)電源?？旎謴?fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。

從原理上說，肖特基二極管并不是利用pn結(jié)原理制作的，而是一種金屬——半導(dǎo)體結(jié)的結(jié)構(gòu)。而快恢復(fù)二極管也不完全是純粹的pn結(jié)，有些中間插入了一個基區(qū)。所以兩者呈現(xiàn)的特點是不太一樣的：肖特基的反向耐壓值比較小，一般是幾十v，而正向額定電流可以比較大。開關(guān)速度比普通的快恢復(fù)二極管小100倍左右。快恢復(fù)二極管指它的最高工作頻率比普通整流二極管更高一點（肖特基管也有這個特點），正向?qū)妷号c普通二極管略高，反向耐壓也與普通二極管相當，比如fr107，與1n4007一樣可以實現(xiàn)反向耐壓1000v，導(dǎo)通電壓最高是1.2v，而肖特基管比如1n5819，反向耐壓只有40v的樣子，導(dǎo)通電壓比普通二極管稍小一點，一般是0.4-0.5v。