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耗盡層，什么叫做耗盡層

來源：整理時(shí)間：2024-12-12 11:47:44 編輯：智能門戶手機(jī)版

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1，什么叫做耗盡層
2，在模擬電子中為什么參雜濃度越高耗盡層越窄參雜濃度越小
3，為什么把PN結(jié)稱為耗盡層呢
4，二極管正偏時(shí)候?yàn)槭裁春谋M層會(huì)變窄
5，半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的含義一
6，空穴還是由正負(fù)離子構(gòu)成的空間電荷區(qū)為何又稱為耗盡層

1，什么叫做耗盡層

空間電荷區(qū)也叫做耗盡層。

什么叫做耗盡層

2，在模擬電子中為什么參雜濃度越高耗盡層越窄參雜濃度越小

這個(gè)很好理解，“耗盡層”，顧名思義，他的主導(dǎo)作用就是起到電阻作用的，其他的作用咱先不說，既然是電阻，那就按電阻的性質(zhì)來分析一下，比如一杯水的電阻大小是不是和他的溫度啊還有他的濃度（干凈程度）啊什么的有關(guān)系。濃度越大他的可導(dǎo)電分子就愈多，導(dǎo)電性能就越好，濃度越小，就像蒸餾水一樣，鬼才信他能導(dǎo)電呢，呵呵呵，所以我對(duì)耗盡層的理解就是電阻層，

在模擬電子中為什么參雜濃度越高耗盡層越窄參雜濃度越小

3，為什么把PN結(jié)稱為耗盡層呢

由于PN結(jié)對(duì)電子和空穴的擴(kuò)散具有阻擋作用，因此又稱為阻擋層。在PN結(jié)內(nèi)，僅是一些不能活動(dòng)的離子，幾乎沒有載流子，相當(dāng)于載流子都耗盡了，所以在有些情況下又稱它為耗盡層。

pn結(jié)中由于p區(qū)和n區(qū)的電子空穴發(fā)生中和，在結(jié)中會(huì)形成耗盡區(qū)，pn結(jié)因此可以叫耗盡層；由于pn結(jié)反向不導(dǎo)通，因此可以叫做阻擋層。僅作參考。。

為什么把PN結(jié)稱為耗盡層呢

4，二極管正偏時(shí)候?yàn)槭裁春谋M層會(huì)變窄

pn結(jié)N區(qū)與P區(qū)之間存在電子的擴(kuò)散勢(shì)Ee。外加正向電壓U與擴(kuò)散勢(shì)Ee極性相反，故原始擴(kuò)散動(dòng)力由Ee降低為Ee-U。動(dòng)力小了，自由電子從N區(qū)到P區(qū)的遷移提前終止，pn結(jié)內(nèi)電場(chǎng)自然變窄，見圖1.1.7(a)。外加正向電壓下pn結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng)寬度λp自然小于自由態(tài)時(shí)的寬度λf外加正向電壓數(shù)值達(dá)到或超過擴(kuò)散勢(shì)時(shí)，pn結(jié)內(nèi)電場(chǎng)不復(fù)存在；外加電壓繼續(xù)增大，pn結(jié)就會(huì)導(dǎo)通，見圖1.1.7(b)。I=(U-Ee)/R，擴(kuò)散勢(shì)Ee以正向壓降表現(xiàn)出來。

耗盡層是擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了pn結(jié)。由于外電源的作用，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，形成擴(kuò)散電流，耗盡層變窄，動(dòng)態(tài)平衡失衡，導(dǎo)致耗盡層變窄。

5，半導(dǎo)體物理中空間電荷區(qū)耗盡層勢(shì)壘區(qū)三者的含義一

= =...唉我又來拆臺(tái)了...每次復(fù)習(xí)看到這種錯(cuò)誤答案都犯強(qiáng)迫癥...空間電荷區(qū)=耗盡層。但是“勢(shì)壘區(qū)”的概念適用可能要廣泛一些，“勢(shì)壘區(qū)指由于不同費(fèi)米面的半導(dǎo)體之間或者半導(dǎo)體-金屬之間由于接觸而引起載流子重新分配后形成勢(shì)壘的區(qū)域?！保ò俣壬想S便搜的一句 = =）所以不一定僅僅適用于PN結(jié)吧... 以上為個(gè)人理解 = =.......

顯然不一樣。這些區(qū)域都存在于兩半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體-金屬接觸的地方，空間電荷區(qū)指載流子濃度超過原載流子濃度的區(qū)域，而耗盡層則相反。勢(shì)壘區(qū)指由于不同費(fèi)米面的半導(dǎo)體之間或者半導(dǎo)體-金屬之間由于接觸而引起載流子重新分配后形成勢(shì)壘的區(qū)域。

你好！= =...唉我又來拆臺(tái)了...每次復(fù)習(xí)看到這種錯(cuò)誤答案都犯強(qiáng)迫癥...空間電荷區(qū)=耗盡層。但是“勢(shì)壘區(qū)”的概念適用可能要廣泛一些，“勢(shì)壘區(qū)指由于不同費(fèi)米面的半導(dǎo)體之間或者半導(dǎo)體-金屬之間由于接觸而引起載流子重新分配后形成勢(shì)壘的區(qū)域?！保ò俣壬想S便搜的一句 = =）所以不一定僅僅適用于PN結(jié)吧... 以上為個(gè)人理解 = =.......希望對(duì)你有所幫助，望采納。

6，空穴還是由正負(fù)離子構(gòu)成的空間電荷區(qū)為何又稱為耗盡層

電子和空穴構(gòu)成的。空間電荷，在pn結(jié)中，電子和空穴帶有相反的電荷，它們?cè)跀U(kuò)散過程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性被破壞?？臻g電荷區(qū)指載流子濃度超過原載流子濃度的區(qū)域?？臻g電荷指流子濃度超過原載流子濃度。在PN結(jié)中，由于自由電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和內(nèi)電場(chǎng)導(dǎo)致的漂移運(yùn)動(dòng)，使PN結(jié)中間的部位(P區(qū)和N區(qū)交界面)產(chǎn)生一個(gè)很薄的電荷區(qū)，所以空間電荷區(qū)為何又稱為耗盡層。擴(kuò)展資料空間電荷區(qū)的變化當(dāng)p-n結(jié)上加有正向電壓時(shí)，所產(chǎn)生電場(chǎng)的方向即與內(nèi)建電場(chǎng)的方向相反，互相抵消，使得空間電荷區(qū)中的總電場(chǎng)有所降低，從而其中的正、負(fù)空間電荷也就有所減少，結(jié)果，空間電荷區(qū)的厚度也就減小了。相反，當(dāng)p-n結(jié)上加有反向電壓時(shí)，所產(chǎn)生電場(chǎng)的方向即與內(nèi)建電場(chǎng)的方向一致，互相增強(qiáng)，使得空間電荷區(qū)中的總電場(chǎng)有所提高，從而也就使得空間電荷區(qū)中的電荷增多、厚度增大了。p-n結(jié)的單向?qū)щ娦院蛿U(kuò)散電容效應(yīng)，也就是勢(shì)壘高度隨著電壓而發(fā)生變化所產(chǎn)生的一種效應(yīng)；而勢(shì)壘電容是勢(shì)壘區(qū)的厚度（空間電荷區(qū)的寬度）隨著電壓而發(fā)生變化所產(chǎn)生的一種效應(yīng)。由于勢(shì)壘厚度的變化（即空間電荷區(qū)的變化）是p-n結(jié)兩邊多數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)所致，因此相應(yīng)的勢(shì)壘電容在很高的頻率下也會(huì)起作用，往往是決定器件截止頻率的重要因素。如果所加的正向電壓過高（例如超過1V）時(shí)，內(nèi)建電場(chǎng)就完全被抵消了，空間電荷區(qū)也就不存在了，厚度變?yōu)?，這時(shí)p-n結(jié)也就失效了。當(dāng)然，若在回路（例如開關(guān)電路）中接有適當(dāng)?shù)碾娮瑁拗屏穗娏?，雖然p-n結(jié)不會(huì)損壞，但是通過的電流已經(jīng)不再是受到勢(shì)壘限制的那樣隨著電壓而指數(shù)式上升的電流了。因此，只要是能夠正常進(jìn)行整流、檢波等工作的p-n結(jié)，其中就必將具有一定厚度的空間電荷區(qū)參考資料來源：搜狗百科-空間電荷區(qū)參考資料來源：搜狗百科-空間電荷

空間電荷區(qū)是由不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子構(gòu)成，由于p區(qū)中的空穴擴(kuò)散到n區(qū)，n區(qū)中自由電子擴(kuò)散到p區(qū)并且與空穴復(fù)合，形成了空間電荷區(qū)，同時(shí)建立了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)會(huì)阻礙多子的擴(kuò)散，也會(huì)促進(jìn)交界處的少子產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)。由于空間電荷區(qū)中的載流子幾乎被消耗殆盡，所以又稱為耗盡區(qū)，pn結(jié)內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散，所以又稱阻擋層或勢(shì)壘區(qū)。

把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷。它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。（電離施主和電離受主就是離子）在pn結(jié)的空間電荷區(qū)中能帶發(fā)生彎曲，這是空間電荷區(qū)中電勢(shì)能變化的結(jié)果。因能帶彎曲，電子從勢(shì)能低的n區(qū)向勢(shì)能高的p區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí)，必須克服這一勢(shì)能“高坡"，才能達(dá)到p區(qū)；同理，空穴也必須克服這一勢(shì)能“高坡"，才能從p區(qū)到達(dá)n區(qū)，這一勢(shì)能“高坡，通常稱為pn結(jié)的勢(shì)壘，故空間電荷區(qū)也叫勢(shì)壘區(qū)。勢(shì)壘區(qū)中勢(shì)能比n區(qū)導(dǎo)帶底高0．1eV處，價(jià)帶空穴濃度為p區(qū)多數(shù)載流子的10^-10倍，而該處的導(dǎo)帶電子濃度為n區(qū)多數(shù)載流子的1/50。一般室溫附近，對(duì)于絕大部分勢(shì)壘區(qū)，其中雜質(zhì)雖然都已電離，但載流子濃度比起n區(qū)和p區(qū)的多數(shù)載流子濃度小得多，好像已經(jīng)耗盡了。所以通常也稱勢(shì)壘區(qū)為耗盡層，即認(rèn)為其中載流子濃度很小，可以忽略，空間電荷密度就等于電離雜質(zhì)濃度。參考資料：《半導(dǎo)體物理》劉恩科第七版