LPCVD，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-08-25 04:28:34 編輯：智能門戶手機(jī)版

本文目錄一覽

1，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍
2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好
3，等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型
4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
5，什么是電化學(xué)氣相沉積法
6，太陽(yáng)能電池板材料

1，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

在氮化硅生長(zhǎng)方面，LPCVD與PECVD有何區(qū)別，如在薄膜質(zhì)量方面來(lái)講。為何在濕法刻蝕中，用作保護(hù)層的氮化硅都用LPCVD生長(zhǎng)，而不用PECVD，用PECVD生長(zhǎng)的氮化鋁能不能被用來(lái)做保護(hù)層？

氮化硅薄膜厚度一般在1微米以下，再厚的話就沒(méi)有什么應(yīng)用價(jià)值了

這個(gè)應(yīng)該從幾個(gè)nm可以一直長(zhǎng)到你需要的厚度吧，只要你不停，膜就會(huì)一直長(zhǎng)啊

用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

建議使用球頭連接.法蘭連接時(shí)對(duì)爐管端面的完整性要求高,爐管壽命較短.

用法蘭，o-ring 用加F的，poly的溫度不高，可以撐的住但是沒(méi)貨的時(shí)候要把load進(jìn)爐.否則 1 L/R會(huì)OOS 2.由于前后的氣流差時(shí)間長(zhǎng)了會(huì)使O-ring很快熔掉

我們的氮化硅是法蘭，但是在法蘭尾端要生成很多顆粒

我們公司用的poly 是flange連接teos用的是蘑菇頭，頂lZ

用球頭連接的，需要定期清理爐尾，不然結(jié)晶生成物會(huì)積賭在管道里，一方面影響抽速，另一方面對(duì)泵有損傷！一般teos使用球頭連接！雖然造價(jià)比較高，但是經(jīng)久耐用，每次洗管只需要用一定配比的HF溶液洗凈即可，可以多次反復(fù)使用！直管法蘭連接的，通常使用在poly上，造價(jià)低廉（不過(guò)也要10000多），需要一定的時(shí)間更換。由于poly的爐管降溫后，一般很難再使用，所以不到非停機(jī)時(shí)，是不會(huì)更換爐管的。且洗管需要HF+HNO3配比溶液清洗，清洗次數(shù)限兩次。

法蘭唯一的缺點(diǎn)就是ORING！正如你所說(shuō)，SIN用法蘭連接受不了，弄起來(lái)很麻煩而POLY、LTO等都可以用法蘭，石英管便宜，而且安裝也方便

LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

3，等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

傳統(tǒng)采用的一般是水環(huán)式真空泵和旋片式真空泵，水環(huán)真空泵對(duì)氣體介質(zhì)要求低，但是體積較大，效率低且維護(hù)量大。漸漸的在光伏光電子行業(yè)已經(jīng)淡出。旋片真空泵體積小，造價(jià)很低，但是運(yùn)行不穩(wěn)定，會(huì)帶來(lái)油污污染，且存在明顯機(jī)械摩擦，葉片損壞較快，氣量衰減快。近年有很多實(shí)力強(qiáng)的企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始采用一些品質(zhì)好的螺桿真空泵代替?zhèn)鹘y(tǒng)真空泵，螺桿真空泵運(yùn)行較穩(wěn)定，系統(tǒng)內(nèi)有油污處理設(shè)備，維護(hù)周期長(zhǎng)。缺點(diǎn)是國(guó)內(nèi)的螺桿真空泵廠家質(zhì)量還不過(guò)硬，國(guó)外產(chǎn)品價(jià)格較高，一次投資大。所以新建企業(yè)由于投資問(wèn)題都選用便宜的旋片真空泵，在投產(chǎn)形成利潤(rùn)后很多漸漸選用螺桿真空泵進(jìn)行技改。

按理說(shuō)是分子泵吧?！　≡趪?guó)外半導(dǎo)體領(lǐng)域里的許多工藝場(chǎng)合是用來(lái)代替低溫泵，尤其是濺射、刻蝕和LCVD等裝置，都采用復(fù)合分子泵和牽引泵作為主泵。　　由于分子泵對(duì)水蒸氣的抽速僅為同口徑低溫泵抽速的四分之一，所以分子泵的排氣時(shí)間比低溫泵長(zhǎng)。為了提高抽速，國(guó)外在分子泵的入口側(cè)裝一個(gè)-130℃~-150℃的低溫冷板，稱之為低溫分子泵，水蒸汽被低溫板捕獲，其他氣體則由分子泵抽走。這種低溫分子泵在真空鍍膜裝置上應(yīng)用，既提高了生產(chǎn)效率又改善了膜層質(zhì)量。北京，，華。誠(chéng)，浩-達(dá)，真空空壓設(shè)備，一直致力于為您提供更放心的產(chǎn)品，更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)

你好，旋片真空泵的原理大致都是相同的，建議去真空耗材商店或者問(wèn)問(wèn)代理商就很好解決了。

泵體中一般不會(huì)有有毒有害的物質(zhì)，是你工序里來(lái)的。一般用進(jìn)口真空泵，TAIKO的不錯(cuò)。

等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問(wèn)題辦法是先用 LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術(shù)無(wú)疑是很重要的一個(gè)環(huán) 節(jié)，目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽(yáng)能電池的技術(shù)，這樣制得的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。計(jì)算器里的太陽(yáng)能電池板的電壓有2伏和4伏[12點(diǎn)中午測(cè)量的]

這是一種直接生成多晶硅的方法。lpcvd是集成電路中所用多晶硅薄膜的制備中普遍采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，具有生長(zhǎng)速度快，成膜致密、均勻，裝片容量大等特點(diǎn)。多晶硅薄膜可采用硅烷氣體通過(guò)lpcvd法直接沉積在襯底上，典型的沉積參數(shù)是：硅烷壓力為13.3～26.6pa，沉積溫度td=580～630℃，生長(zhǎng)速率5～10nm/min。由于沉積溫度較高，如普通玻璃的軟化溫度處于500～600℃，則不能采用廉價(jià)的普通玻璃而必須使用昂貴的石英作襯底。 lpcvd法生長(zhǎng)的多晶硅薄膜，晶粒具有<110>擇優(yōu)取向，形貌呈“v”字形，內(nèi)含高密度的微攣晶缺陷，且晶粒尺寸小，載流子遷移率不夠大而使其在器件應(yīng)用方面受到一定限制。雖然減少硅烷壓力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴隨著表面粗糙度的增加，對(duì)載流子的遷移率與器件的電學(xué)穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響

5，什么是電化學(xué)氣相沉積法

電化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō)，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。然而，實(shí)際上，反應(yīng)室中的反應(yīng)是很復(fù)雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應(yīng)室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動(dòng)速率、氣體通過(guò)晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學(xué)成份、一種氣體相對(duì)于另一種氣體的比率、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應(yīng)室外的外部能量來(lái)源加速或誘發(fā)想得到的反應(yīng)等。額外能量來(lái)源諸如等離子體能量，當(dāng)然會(huì)產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個(gè)晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺(tái)階的覆蓋)，薄膜的化學(xué)配比(化學(xué)成份和分布狀態(tài))，結(jié)晶晶向和缺陷密度等。當(dāng)然，沉積速率也是一個(gè)重要的因素，因?yàn)樗鼪Q定著反應(yīng)室的產(chǎn)出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質(zhì)量折中考慮。反應(yīng)生成的膜不僅會(huì)沉積在晶片上，也會(huì)沉積在反應(yīng)室的其他部件上，對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行清洗的次數(shù)和徹底程度也是很重要的。化學(xué)家和物理學(xué)家花了很多時(shí)間來(lái)考慮怎樣才能得到高質(zhì)量的沉積薄膜。他們已得到的結(jié)論認(rèn)為：在晶片表面的化學(xué)反應(yīng)首先應(yīng)是形成“成核點(diǎn)”，然后從這些“成核點(diǎn)”處生長(zhǎng)得到薄膜，這樣淀積出來(lái)的薄膜質(zhì)量較好。另一種結(jié)論認(rèn)為，在反應(yīng)室內(nèi)的某處形成反應(yīng)的中間產(chǎn)物，這一中間產(chǎn)物滴落在晶片上后再?gòu)倪@一中間產(chǎn)物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質(zhì)薄膜。 CVD技術(shù)常常通過(guò)反應(yīng)類型或者壓力來(lái)分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來(lái)保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過(guò)，容易引起混淆的是，有些人會(huì)把MOCVD認(rèn)為是有機(jī)金屬CVD(OMCVD)。過(guò)去，對(duì)LPCVD和APCVD最常使用的反應(yīng)室是一個(gè)簡(jiǎn)單的管式爐結(jié)構(gòu)，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應(yīng)用于沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎(chǔ)薄膜(氧氣中有硅元素存在將會(huì)最終形成為高質(zhì)量的SiO2，但這會(huì)大量消耗硅元素；通過(guò)硅烷和氧氣反應(yīng)也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進(jìn)行)。而且，最近，單片淀積工藝推動(dòng)并導(dǎo)致產(chǎn)生了新的CVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。這些新的結(jié)構(gòu)中絕大多數(shù)都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應(yīng)過(guò)程，也有一些系統(tǒng)外加一個(gè)按鈕，以控制淀積膜的質(zhì)量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過(guò)調(diào)節(jié)能量，偏壓以及其它參數(shù)，可以同時(shí)有沉積和蝕刻反應(yīng)的功能。通過(guò)調(diào)整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個(gè)很好的縫隙填充工藝。對(duì)許多金屬和金屬合金一個(gè)有趣的爭(zhēng)論就是，他們是通過(guò)物理氣相沉積(PVD)還是通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)能得到最好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的臺(tái)階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴(kuò)散層薄膜都是通過(guò)PVD來(lái)沉積的，因?yàn)楝F(xiàn)有的大量裝置都是基于PVD系統(tǒng)的，工程技術(shù)人員對(duì)PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然臺(tái)階覆蓋特性越來(lái)越重要(尤其是在通孔邊墻覆蓋)，CVD方法將成為必不可少的技術(shù)。相似的爭(zhēng)論也存在于產(chǎn)生低k值介質(zhì)材料方面：是使用CVD方法好還是采用旋涂工藝好？在化學(xué)氣相沉積中，決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數(shù)之一是晶圓間的氣體是如何流動(dòng)的。上圖所示是Novellus概念下Three ALTUS系統(tǒng)中，一個(gè)晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。

6，太陽(yáng)能電池板材料

當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90％以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55％左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45％，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。 1994年全世界太陽(yáng)能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長(zhǎng)了17倍。專家預(yù)測(cè)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過(guò)核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。

太陽(yáng)能電池板材料最主要的是晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅），其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。其中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。晶體硅電池板：多晶硅太陽(yáng)能電池、單晶硅太陽(yáng)能電池。非晶硅電池板：薄膜太陽(yáng)能電池、有機(jī)太陽(yáng)能電池?；瘜W(xué)染料電池板：染料敏化太陽(yáng)能電池。參考來(lái)源：http://baike.baidu.com/link?url=miuRvv2BRRsXum1QtcpW6rOJdvpE6AdrKQrCHETrtk2yrF8pbtZu2SQU0VR5rNaXGJ-x8u9xG0JeI1SBuQQhsK

應(yīng)該是硅!太陽(yáng)能電池是一對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：?jiǎn)尉Ч?，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過(guò)程。P型晶體硅經(jīng)過(guò)摻雜磷可得N型硅，形成P－N結(jié)。當(dāng)光線照射太陽(yáng)能電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P－N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過(guò)外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過(guò)程的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。晶體硅太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程： “硅”是我們這個(gè)星球上儲(chǔ)藏最豐量的材料之一。自從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。20世紀(jì)末，我們的生活中處處可見(jiàn)“硅”的身影和作用，晶體硅太陽(yáng)能電池是近15年來(lái)形成產(chǎn)業(yè)化最快的。生產(chǎn)過(guò)程大致可分為五個(gè)步驟：a、提純過(guò)程 b、拉棒過(guò)程 c、切片過(guò)程 d、制電池過(guò)程 e、封裝過(guò)程。太陽(yáng)能電池的應(yīng)用：上世紀(jì)60年代，科學(xué)家們就已經(jīng)將太陽(yáng)電池應(yīng)用于空間技術(shù)——通信衛(wèi)星供電，上世紀(jì)末，在人類不斷自我反省的過(guò)程中，對(duì)于光伏發(fā)電這種如此清潔和直接的能源形式已愈加親切，不僅在空間應(yīng)用，在眾多領(lǐng)域中也大顯身手。如：太陽(yáng)能庭院燈、太陽(yáng)能發(fā)電戶用系統(tǒng)、村寨供電的獨(dú)立系統(tǒng)、光伏水泵（飲水或灌溉）、通信電源、石油輸油管道陰極保護(hù)、光纜通信泵站電源、海水淡化系統(tǒng)、城鎮(zhèn)中路標(biāo)、高速公路路標(biāo)等。歐美等先進(jìn)國(guó)家將光伏發(fā)電并入城市用電系統(tǒng)及邊遠(yuǎn)地區(qū)自然界村落供電系統(tǒng)納入發(fā)展方向。太陽(yáng)電池與建筑系統(tǒng)的結(jié)合已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)。

太陽(yáng)能電池原理2006-09-22 12:58 太陽(yáng)能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源。也是清潔能源，不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽(yáng)能的有效利用當(dāng)中；大陽(yáng)能光電利用是近些年來(lái)發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域，是其中最受矚目的項(xiàng)目之一。制作太陽(yáng)能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉(zhuǎn)換反應(yīng)，根據(jù)所用材料的不同，太陽(yáng)能電池可分為：硅基太陽(yáng)能電池和薄膜電池，這里主要講的硅基太陽(yáng)能電池。一、硅太陽(yáng)能電池1．硅太陽(yáng)能電池工作原理與結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)，一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下：圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子。當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在著一個(gè)空穴，它的形成可以參照下圖：圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因?yàn)榕鹪又車挥?個(gè)電子，所以就會(huì)產(chǎn)生入圖所示的藍(lán)色的空穴，這個(gè)空穴因?yàn)闆](méi)有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導(dǎo)體。同樣，摻入磷原子以后，因?yàn)榱自佑形鍌€(gè)電子，所以就會(huì)有一個(gè)電子變得非?；钴S，形成N（negative）型半導(dǎo)體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子。如下圖。P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，就會(huì)在接觸面形成電勢(shì)差，這就是PN結(jié)。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層)，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。這是由于P型半導(dǎo)體多空穴，N型半導(dǎo)體多自由電子，出現(xiàn)了濃度差。N區(qū)的電子會(huì)擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)由N指向P的“內(nèi)電場(chǎng)”，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。達(dá)到平衡后，就形成了這樣一個(gè)特殊的薄層形成電勢(shì)差，這就是PN結(jié)。當(dāng)晶片受光后，PN結(jié)中，N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動(dòng)，而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動(dòng)，從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結(jié)中形成電勢(shì)差，這就形成了電源。(如下圖所示）由于半導(dǎo)體不是電的良導(dǎo)體，電子在通過(guò)p－n結(jié)后如果在半導(dǎo)體中流動(dòng)，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬，陽(yáng)光就不能通過(guò)，電流就不能產(chǎn)生，因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋p－n結(jié)（如圖梳狀電極），以增加入射光的面積。另外硅表面非常光亮，會(huì)反射掉大量的太陽(yáng)光，不能被電池利用。為此，科學(xué)家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護(hù)膜（如圖），實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)基本都是用化學(xué)氣相沉積沉積一層氮化硅膜，厚度在1000埃左右。將反射損失減小到5％甚至更小。一個(gè)電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，于是人們又將很多電池（通常是36個(gè)）并聯(lián)或串聯(lián)起來(lái)使用，形成太陽(yáng)能光電板。2．硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)流程通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。上述方法實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來(lái)制備多晶硅薄膜電池。化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問(wèn)題辦法是先用 LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術(shù)無(wú)疑是很重要的一個(gè)環(huán) 節(jié)，目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽(yáng)能電池的技術(shù)，這樣制得的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。http://hi.baidu.com/ken79/blog/item/609b7e8dee5e1e12b31bbaa6.html太陽(yáng)能電池板原理與制作:四、染料敏化TiO2太陽(yáng)能電池的手工制作1.制作二氧化鈦膜(1)先把二氧化鈦粉末放入研缽中與粘合劑進(jìn)行研磨 (2)接著用玻璃棒緩慢地在導(dǎo)電玻璃上進(jìn)行涂膜 (3)把二氧化鈦膜放入酒精燈下燒結(jié)10～15分鐘，然后冷卻 2.利用天然染料為二氧化鈦著色如圖所示，把新鮮的或冰凍的黑梅、山梅、石榴籽或紅茶，加一湯匙的水并進(jìn)行擠壓，然后把二氧化鈦膜放進(jìn)去進(jìn)行著色，大約需要5分鐘，直到膜層變成深紫色，如果膜層兩面著色的不均勻，可以再放進(jìn)去浸泡5分鐘，然后用乙醇沖洗，并用柔軟的紙輕輕地擦干。 3.制作正電極由染料著色的TiO2為電子流出的一極（即負(fù)極）。正電極可由導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電面（涂有導(dǎo)電的SnO2膜層）構(gòu)成，利用一個(gè)簡(jiǎn)單的萬(wàn)用表就可以判斷玻璃的那一面是可以導(dǎo)電的，利用手指也可以做出判斷，導(dǎo)電面較為粗糙。如圖所示，把非導(dǎo)電面標(biāo)上+，然后用鉛筆在導(dǎo)電面上均勻地涂上一層石墨。 4.加入電解質(zhì) 利用含碘離子的溶液作為太陽(yáng)能電池的電解質(zhì)，它主要用于還原和再生染料。如圖所示，在二氧化鈦膜表面上滴加一到兩滴電解質(zhì)即可。 5.組裝電池把著色后的二氧化鈦膜面朝上放在桌上，在膜上面滴一到兩滴含碘和碘離子的電解質(zhì)，然后把正電極的導(dǎo)電面朝下壓在二氧化鈦膜上。把兩片玻璃稍微錯(cuò)開(kāi)，用兩個(gè)夾子把電池夾住，兩片玻璃暴露在外面的部分用以連接導(dǎo)線。這樣，你的太陽(yáng)能電池就做成了。 6.電池的測(cè)試在室外太陽(yáng)光下，檢測(cè)你的太陽(yáng)能電池是否可以產(chǎn)生電流。

主要是把鋼化玻璃、EVA、太陽(yáng)能電池片（硅）、EVA、背板（TPT,BBF等）按順序?qū)盈B，然后在層壓機(jī)里抽真空層壓，出來(lái)之后做下清理，裝上邊框和接線盒，就成了

强奸久久久久久久|草草浮力在线影院|手机成人无码av|亚洲精品狼友视频|国产国模精品一区|久久成人中文字幕|超碰在线视屏免费|玖玖欧洲一区二区|欧美精品无码一区|日韩无遮一区二区

LPCVD，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

本文目錄一覽

1，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

3，等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

5，什么是電化學(xué)氣相沉積法

6，太陽(yáng)能電池板材料

最近更新

相關(guān)文章

問(wèn)答最新文章

資訊排行榜推薦

問(wèn)答排行榜精選

問(wèn)答文章排行榜

熱門標(biāo)簽

强奸久久久久久久|草草浮力在线影院|手机成人无码av|亚洲精品狼友视频|国产国模精品一区|久久成人中文字幕|超碰在线视屏免费|玖玖欧洲一区二区|欧美精品无码一区|日韩无遮一区二区

LPCVD，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

本文目錄一覽

1，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

3，等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

5，什么是電化學(xué)氣相沉積法

6，太陽(yáng)能電池板材料

最近更新

相關(guān)文章

問(wèn)答最新文章

資訊排行榜推薦

問(wèn)答排行榜精選

問(wèn)答文章排行榜

熱門標(biāo)簽

LPCVD，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

1，用PECVD和LPCVD能生長(zhǎng)的氮化硅膜厚范圍

2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

5，什么是電化學(xué)氣相沉積法