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LPCVD，用PECVD和LPCVD能生長的氮化硅膜厚范圍

來源：整理 時間：2023-08-25 04:28:34 編輯：智能門戶 手機版

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1，用PECVD和LPCVD能生長的氮化硅膜厚范圍

在氮化硅生長方面，LPCVD與PECVD有何區(qū)別，如在薄膜質(zhì)量方面來講。為何在濕法刻蝕中，用作保護層的氮化硅都用LPCVD生長，而不用PECVD，用PECVD生長的氮化鋁能不能被用來做保護層？
氮化硅薄膜厚度一般在1微米以下，再厚的話就沒有什么應(yīng)用價值了
這個應(yīng)該從幾個nm可以一直長到你需要的厚度吧，只要你不停，膜就會一直長啊

用PECVD和LPCVD能生長的氮化硅膜厚范圍

2，LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

建議使用球頭連接.法蘭連接時對爐管端面的完整性要求高,爐管壽命較短.
用法蘭，o-ring 用加F的，poly的溫度不高，可以撐的住 但是沒貨的時候要把load進爐.否則 1 L/R會OOS 2.由于前后的氣流差時間長了會使O-ring很快熔掉
我們的氮化硅是法蘭，但是在法蘭尾端要生成很多顆粒
我們公司用的poly 是flange連接teos用的是蘑菇頭，頂lZ
用球頭連接的，需要定期清理爐尾，不然結(jié)晶生成物會積賭在管道里，一方面影響抽速，另一方面對泵有損傷！一般teos使用球頭連接！雖然造價比較高，但是經(jīng)久耐用，每次洗管只需要用一定配比的HF溶液洗凈即可，可以多次反復(fù)使用！直管法蘭連接的，通常使用在poly上，造價低廉（不過也要10000多），需要一定的時間更換。由于poly的爐管降溫后，一般很難再使用，所以不到非停機時，是不會更換爐管的。且洗管需要HF+HNO3配比溶液清洗，清洗次數(shù)限兩次。
法蘭唯一的缺點就是ORING！ 正如你所說，SIN用法蘭連接受不了，弄起來很麻煩而POLY、LTO等都可以用法蘭，石英管便宜，而且安裝也方便

LPCVD的爐管是球頭連接還是后法蘭好

3，等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

傳統(tǒng)采用的一般是水環(huán)式真空泵和旋片式真空泵，水環(huán)真空泵對氣體介質(zhì)要求低，但是體積較大，效率低且維護量大。漸漸的在光伏光電子行業(yè)已經(jīng)淡出。旋片真空泵體積小，造價很低，但是運行不穩(wěn)定，會帶來油污污染，且存在明顯機械摩擦，葉片損壞較快，氣量衰減快。近年有很多實力強的企業(yè)已經(jīng)開始采用一些品質(zhì)好的螺桿真空泵代替?zhèn)鹘y(tǒng)真空泵，螺桿真空泵運行較穩(wěn)定，系統(tǒng)內(nèi)有油污處理設(shè)備，維護周期長。缺點是國內(nèi)的螺桿真空泵廠家質(zhì)量還不過硬，國外產(chǎn)品價格較高，一次投資大。所以新建企業(yè)由于投資問題都選用便宜的旋片真空泵，在投產(chǎn)形成利潤后很多漸漸選用螺桿真空泵進行技改。
按理說是分子泵吧?！　≡趪獍雽?dǎo)體領(lǐng)域里的許多工藝場合是用來代替低溫泵，尤其是濺射、刻蝕和LCVD等裝置，都采用復(fù)合分子泵和牽引泵作為主泵?！　∮捎诜肿颖脤λ魵獾某樗賰H為同口徑低溫泵抽速的四分之一，所以分子泵的排氣時間比低溫泵長。為了提高抽速，國外在分子泵的入口側(cè)裝一個-130℃~-150℃的低溫冷板，稱之為低溫分子泵，水蒸汽被低溫板捕獲，其他氣體則由分子泵抽走。這種低溫分子泵在真空鍍膜裝置上應(yīng)用，既提高了生產(chǎn)效率又改善了膜層質(zhì)量。北京，，華。誠，浩-達，真空空壓設(shè)備，一直致力于為您提供更放心的產(chǎn)品，更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)
你好，旋片真空泵的原理大致都是相同的，建議去真空耗材商店或者問問代理商就很好解決了。
泵體中一般不會有有毒有害的物質(zhì)，是你工序里來的。 一般用進口真空泵，TAIKO的不錯。

等離子體刻蝕和LPCVD 真空泵常用那種類型

4，LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 LPCVD在 襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個環(huán) 節(jié)，目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù)，這樣制得的 太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。計算器里的太陽能電池板的電壓有2伏和4伏[12點中午測量的]
這是一種直接生成多晶硅的方法。lpcvd是集成電路中所用多晶硅薄膜的制備中普遍采用的標準方法，具有生長速度快，成膜致密、均勻，裝片容量大等特點。多晶硅薄膜可采用硅烷氣體通過lpcvd法直接沉積在襯底上，典型的沉積參數(shù)是：硅烷壓力為13.3～26.6pa，沉積溫度td=580～630℃，生長速率5～10nm/min。由于沉積溫度較高，如普通玻璃的軟化溫度處于500～600℃，則不能采用廉價的普通玻璃而必須使用昂貴的石英作襯底。 lpcvd法生長的多晶硅薄膜，晶粒具有<110>擇優(yōu)取向，形貌呈“v”字形，內(nèi)含高密度的微攣晶缺陷，且晶粒尺寸小，載流子遷移率不夠大而使其在器件應(yīng)用方面受到一定限制。雖然減少硅烷壓力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴隨著表面粗糙度的增加，對載流子的遷移率與器件的電學(xué)穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響

5，什么是電化學(xué)氣相沉積法

電化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。 然而，實際上， 反應(yīng)室中的反應(yīng)是很復(fù)雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應(yīng)室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學(xué)成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、以及是否需要其它反應(yīng)室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應(yīng)等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。 然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學(xué)配比(化學(xué)成份和分布狀態(tài))，結(jié)晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應(yīng)室的產(chǎn)出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質(zhì)量折中考慮。反應(yīng)生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應(yīng)室的其他部件上，對反應(yīng)室進行清洗的次數(shù)和徹底程度也是很重要的。 化學(xué)家和物理學(xué)家花了很多時間來考慮怎樣才能得到高質(zhì)量的沉積薄膜。他們已得到的結(jié)論認為：在晶片表面的化學(xué)反應(yīng)首先應(yīng)是形成“成核點”，然后從這些“成核點”處生長得到薄膜，這樣淀積出來的薄膜質(zhì)量較好。另一種結(jié)論認為，在反應(yīng)室內(nèi)的某處形成反應(yīng)的中間產(chǎn)物，這一中間產(chǎn)物滴落在晶片上后再從這一中間產(chǎn)物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質(zhì)薄膜。 CVD技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。 過去，對LPCVD和APCVD最常使用的反應(yīng)室是一個簡單的管式爐結(jié)構(gòu)，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應(yīng)用于沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎(chǔ)薄膜(氧氣中有硅元素存在將會最終形成為高質(zhì)量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應(yīng)也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。 而且，最近，單片淀積工藝推動并導(dǎo)致產(chǎn)生了新的CVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。這些新的結(jié)構(gòu)中絕大多數(shù)都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應(yīng)過程，也有一些系統(tǒng)外加一個按鈕，以控制淀積膜的質(zhì)量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過調(diào)節(jié)能量，偏壓以及其它參數(shù)，可以同時有沉積和蝕刻反應(yīng)的功能。通過調(diào)整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。 對許多金屬和金屬合金一個有趣的爭論就是，他們是通過物理氣相沉積(PVD)還是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)能得到最好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的臺階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴散層薄膜都是通過PVD來沉積的，因為現(xiàn)有的大量裝置都是基于PVD系統(tǒng)的，工程技術(shù)人員對PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然臺階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊墻覆蓋)，CVD方法將成為必不可少的技術(shù)。相似的爭論也存在于產(chǎn)生低k值介質(zhì)材料方面：是使用CVD方法好還是采用旋涂工藝好？在化學(xué)氣相沉積中，決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數(shù)之一是晶圓間的氣體是如何流動的。上圖所示是Novellus概念下Three ALTUS系統(tǒng)中，一個晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。

6，太陽能電池板材料

當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場占有率在90％以上,而且在今后相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。 多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用于電子級多晶硅占55％左右，太陽能級多晶硅占45％，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。 1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長了17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。
太陽能電池板材料最主要的是晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅），其市場占有率在90%以上,而且在今后相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用于電子級多晶硅占55%左右，太陽能級多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。 晶體硅電池板：多晶硅太陽能電池、單晶硅太陽能電池。非晶硅電池板：薄膜太陽能電池、有機太陽能電池?；瘜W(xué)染料電池板：染料敏化太陽能電池。參考來源：http://baike.baidu.com/link?url=miuRvv2BRRsXum1QtcpW6rOJdvpE6AdrKQrCHETrtk2yrF8pbtZu2SQU0VR5rNaXGJ-x8u9xG0JeI1SBuQQhsK
應(yīng)該是硅!太陽能電池是一對光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：單晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過程。P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P－N結(jié)。 當光線照射太陽能電池表面時，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P－N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個過程的實質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。 晶體硅太陽能電池的制作過程： “硅”是我們這個星球上儲藏最豐量的材料之一。自從19世紀科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。20世紀末，我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產(chǎn)業(yè)化最快的。生產(chǎn)過程大致可分為五個步驟：a、提純過程 b、拉棒過程 c、切片過程 d、制電池過程 e、封裝過程。 太陽能電池的應(yīng)用： 上世紀60年代，科學(xué)家們就已經(jīng)將太陽電池應(yīng)用于空間技術(shù)——通信衛(wèi)星供電，上世紀末，在人類不斷自我反省的過程中，對于光伏發(fā)電這種如此清潔和直接的能源形式已愈加親切，不僅在空間應(yīng)用，在眾多領(lǐng)域中也大顯身手。如：太陽能庭院燈、太陽能發(fā)電戶用系統(tǒng)、村寨供電的獨立系統(tǒng)、光伏水泵（飲水或灌溉）、通信電源、石油輸油管道陰極保護、光纜通信泵站電源、海水淡化系統(tǒng)、城鎮(zhèn)中路標、高速公路路標等。歐美等先進國家將光伏發(fā)電并入城市用電系統(tǒng)及邊遠地區(qū)自然界村落供電系統(tǒng)納入發(fā)展方向。太陽電池與建筑系統(tǒng)的結(jié)合已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)化趨勢。
太陽能電池原理2006-09-22 12:58 太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源。也是清潔能源，不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用當中；大陽能光電利用是近些年來發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域，是其中最受矚目的項目之一。制作太陽能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉(zhuǎn)換反應(yīng)，根據(jù)所用材料的不同，太陽能電池可分為：硅基太陽能電池和薄膜電池，這里主要講的硅基太陽能電池。一、硅太陽能電池1．硅太陽能電池工作原理與結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)，一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。當硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼、磷等，當摻入硼時，硅晶體中就會存在著一個空穴，它的形成可以參照下圖：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因為硼原子周圍只有3個電子，所以就會產(chǎn)生入圖所示的藍色的空穴，這個空穴因為沒有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導(dǎo)體。 同樣，摻入磷原子以后，因為磷原子有五個電子，所以就會有一個電子變得非常活躍，形成N（negative）型半導(dǎo)體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子。如下圖。P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時，就會在接觸面形成電勢差，這就是PN結(jié)。 當P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會形成一個特殊的薄層)，界面的P型一側(cè)帶負電，N型一側(cè)帶正電。這是由于P型半導(dǎo)體多空穴，N型半導(dǎo)體多自由電子，出現(xiàn)了濃度差。N區(qū)的電子會擴散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會擴散到N區(qū)，一旦擴散就形成了一個由N指向P的“內(nèi)電場”，從而阻止擴散進行。達到平衡后，就形成了這樣一個特殊的薄層形成電勢差，這就是PN結(jié)。當晶片受光后，PN結(jié)中，N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動，而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動，從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結(jié)中形成電勢差，這就形成了電源。(如下圖所示） 由于半導(dǎo)體不是電的良導(dǎo)體，電子在通過p－n結(jié)后如果在半導(dǎo)體中流動，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬，陽光就不能通過，電流就不能產(chǎn)生，因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋p－n結(jié)（如圖 梳狀電極），以增加入射光的面積。 另外硅表面非常光亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。為此，科學(xué)家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護膜（如圖），實際工業(yè)生產(chǎn)基本都是用化學(xué)氣相沉積沉積一層氮化硅膜，厚度在1000埃左右。將反射損失減小到5％甚至更小。一個電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，于是人們又將很多電池（通常是36個）并聯(lián)或串聯(lián)起來使用，形成太陽能光電板。2．硅太陽能電池的生產(chǎn)流程 通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。上述方法實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。 化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 LPCVD在 襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個環(huán) 節(jié)，目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù)，這樣制得的 太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。http://hi.baidu.com/ken79/blog/item/609b7e8dee5e1e12b31bbaa6.html太陽能電池板原理與制作:四、染料敏化TiO2太陽能電池的手工制作1.制作二氧化鈦膜(1)先把二氧化鈦粉末放入研缽中與粘合劑進行研磨 (2)接著用玻璃棒緩慢地在導(dǎo)電玻璃上進行涂膜 (3)把二氧化鈦膜放入酒精燈下燒結(jié)10～15分鐘，然后冷卻 2.利用天然染料為二氧化鈦著色 如圖所示，把新鮮的或冰凍的黑梅、山梅、石榴籽或紅茶，加一湯匙的水并進行擠壓，然后把二氧化鈦膜放進去進行著色，大約需要5分鐘，直到膜層變成深紫色，如果膜層兩面著色的不均勻，可以再放進去浸泡5分鐘，然后用乙醇沖洗，并用柔軟的紙輕輕地擦干。 3.制作正電極 由染料著色的TiO2為電子流出的一極（即負極）。正電極可由導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電面（涂有導(dǎo)電的SnO2膜層）構(gòu)成，利用一個簡單的萬用表就可以判斷玻璃的那一面是可以導(dǎo)電的，利用手指也可以做出判斷，導(dǎo)電面較為粗糙。如圖所示，把非導(dǎo)電面標上+，然后用鉛筆在導(dǎo)電面上均勻地涂上一層石墨。 4.加入電解質(zhì) 利用含碘離子的溶液作為太陽能電池的電解質(zhì)，它主要用于還原和再生染料。如圖所示，在二氧化鈦膜表面上滴加一到兩滴電解質(zhì)即可。 5.組裝電池 把著色后的二氧化鈦膜面朝上放在桌上，在膜上面滴一到兩滴含碘和碘離子的電解質(zhì)，然后把正電極的導(dǎo)電面朝下壓在二氧化鈦膜上。把兩片玻璃稍微錯開，用兩個夾子把電池夾住，兩片玻璃暴露在外面的部分用以連接導(dǎo)線。這樣，你的太陽能電池就做成了。 6.電池的測試 在室外太陽光下，檢測你的太陽能電池是否可以產(chǎn)生電流。
主要是把鋼化玻璃、EVA、太陽能電池片（硅）、EVA、背板（TPT,BBF等）按順序?qū)盈B，然后在層壓機里抽真空層壓，出來之后做下清理，裝上邊框和接線盒，就成了
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