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mos管工作原理,請(qǐng)問mos管柵極源極漏極的由來

來源:整理 時(shí)間:2023-08-18 00:15:37 編輯:智能門戶 手機(jī)版

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1,請(qǐng)問mos管柵極源極漏極的由來

gate相當(dāng)于一個(gè)門(開關(guān))VG大于VT管子導(dǎo)通,源就是電子來源的地方,漏就是電子消失(漏掉)的地方。
柵英文Grid 不是gate。柵:阻攔物的意思
其怪?!怎么命名是行業(yè)術(shù)語.難道真有必要究根問底嗎?
gate應(yīng)該翻譯成門極 都叫亂了……源和漏是原理決定的 仔細(xì)看一看工作原理就明白了

請(qǐng)問mos管柵極源極漏極的由來

2,電動(dòng)自行車控制器里MOS管是干么用的

電動(dòng)自行車的控制器里的MOS管是大電流開關(guān)電子元件,MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體的英文縮寫,在控制器內(nèi)用于驅(qū)動(dòng)電轉(zhuǎn)。 飛車故障一般是由MOS 管擊穿引起。判斷MOS管好壞的方法為,用萬用表的二極檔測量MOS管三個(gè)端子,應(yīng)該沒有短路(萬用表顯示0)現(xiàn)象。如MOS管損壞,則可以通過更換同型號(hào)的元件來排除故障。

電動(dòng)自行車控制器里MOS管是干么用的

3,mos管是三極管嗎

mos管叫場效應(yīng)管,mos管和三極管不能直接代換,因它們的工作機(jī)理不一樣。mos管是電壓控制器件而三極管是電流控制器件。
不是,MOS 英文(Metal-Oxide-Semiconductor)金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場效應(yīng)管
三極管工作時(shí),有兩種載流子流過PN結(jié),所以它是有兩種載流子參與導(dǎo)電的器件。mos管工作時(shí),源漏極之間只有一種載流子參與導(dǎo)電,柵源極、柵漏極之間沒有載流子流過,所以它是只有一種載流子參與導(dǎo)電的器件。所以,mos管不是三極管。
不是的,結(jié)構(gòu)不同,但工作方式差不多,MOS管(MOSFET)場效應(yīng)管

mos管是三極管嗎

4,MOS晶體管的概念和特性分別是什么

MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor 場效應(yīng)晶體管), 即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。 功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS 型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特 點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,驅(qū)動(dòng)電路簡單,需要的驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度快,工作頻率高,熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR,但其電 流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW 的電力電子裝置。 2.功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率MOSFET 的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極 之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道,功率MOSFET 主要是N 溝道增強(qiáng)型。
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5,MOSFETMOS管中的開關(guān)時(shí)間可以改變電壓的原理

看看晶閘管的相關(guān)知識(shí),晶閘管的整流、調(diào)壓電路知識(shí)大體來說就是通過控制MOS管的通斷來削波(交流電是正弦波,比較220V的市電,電壓從0值一直變化到最大值,讓交流電通過MOS管,比如需要110V的電壓輸出,可以在交流電上升至110V時(shí)讓MOS管斷開,下次電壓過0時(shí)再導(dǎo)通,再到110V時(shí)再斷開,反復(fù)如此,可以得到110V交流電,使用整流電路可以變成直流電)學(xué)過這個(gè)東西,很久不用了,大概就是這么個(gè)原理我當(dāng)時(shí)用的書是“半導(dǎo)體變流技術(shù) 第2版”,機(jī)械工業(yè)出版社出版,上海理工大學(xué) 莫正康 主編,主要介紹晶閘管的整流、逆變、調(diào)壓、變頻原理
MOSFET開關(guān)時(shí)間改變電壓的原理其實(shí)就是PWM(脈沖寬度調(diào)節(jié))控制,開關(guān)電源里面的MOSFET都是和電感或者電容這些儲(chǔ)能元件配套使用的。一般情況下MOSFET開的時(shí)候會(huì)向電感、電容這些元件中儲(chǔ)存能量。MOSFET關(guān)閉的時(shí)候這些儲(chǔ)能元件要么和原來的輸入疊加形成升壓電路,要么獨(dú)自輸出形成降壓電路。(這里只是舉例,還有升降壓電路不討論了。) 你可以理解為,MOSFET打開的時(shí)間越長,電感和電容中儲(chǔ)存的能量越高,可以形成的輸出也就越高。MOSFET打開的時(shí)間越短,儲(chǔ)能元件中能量約小,形成的輸出也就越低。 這就是MOSFET改變電壓的原理。具體還得找?guī)讉€(gè)電路進(jìn)行分析。如果BOOST、BUCK電路,都是最基本的。
就是脈寬調(diào)制技術(shù)(pwm)。百度一下就有了。

6,三極管與mos管有什么區(qū)別結(jié)構(gòu)和原理

MOS管的特性、工作原理,與真空電子管類似:柵極沒有電流,即沒有輸入電流,具有高輸入阻抗;漏極電流由柵極電壓控制,是電壓控制器件…… 半導(dǎo)體三極管是兩個(gè)P-N結(jié)組成,由基極電流來控制集電極電流,是一個(gè)電流控制器件;基極輸入的是電流,輸入阻抗低,需要輸入功率…… 工作性質(zhì): 1、三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制, 2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。 3、功耗問題:三極管損耗大。 4、驅(qū)動(dòng)能力:mos管常用來電源開關(guān),以及大電流地方開關(guān)電路。 實(shí)際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。 MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。 一般來說低成本場合,普通應(yīng)用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管 實(shí)際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當(dāng)基極加不加電壓時(shí),基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子(基區(qū)為空穴,發(fā)射區(qū)為電子)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(即內(nèi)建電場),當(dāng)基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū),當(dāng)基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時(shí),基區(qū)的載流子(電子)才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū),此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v)。但此時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在,此時(shí)如果集電極-發(fā)射極加正電壓,在電場作用下,發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)(實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)),由于基區(qū)寬度很小,電子很容易越過基區(qū)到達(dá)集電區(qū),并與此處的PN的空穴復(fù)合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng),而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng),此過程類似一個(gè)雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時(shí),兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷,當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),三極管處于飽和狀態(tài),如果這時(shí)三極管截至,pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài),這個(gè)過程需要時(shí)間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個(gè)恢復(fù)時(shí)間,因此可以用作高速開關(guān)管。
文章TAG:mos管工作原理請(qǐng)問mos管柵極源極漏極的由來

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