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硅光，硅光電池是什么

來源：整理 時(shí)間：2023-08-17 22:45:37 編輯：智能門戶 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，硅光電池是什么

　硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯(PN結(jié))受到光照時(shí)，你就會(huì)看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個(gè)現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的PN結(jié)面積要比二極管的PN結(jié)大得多，所以受到光照時(shí)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)和電流也大得多。
主要原料是硅晶體

硅光電池是什么

2，硅光電池的工作原理

硅光電池的工作原理是光生伏特效應(yīng)。硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯（PN結(jié)）受到光照時(shí)，你就會(huì)看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個(gè)現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的應(yīng)用：光敏傳感器的基礎(chǔ)是光電效應(yīng)，即利用光子照射在器件上，使電路中產(chǎn)生電流或使電導(dǎo)特性發(fā)生變化的效應(yīng)。半導(dǎo)體光敏傳感器在數(shù)碼攝像、光通信、航天器、太陽能電池等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，在現(xiàn)代科技發(fā)展中起到了十分重要的作用。硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造衛(wèi)星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無人氣象站等設(shè)備的電源;也可做電子手表、電子計(jì)算器、小型號(hào)汽車、游艇等的電源。光電檢測(cè)器件用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光增加準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。光電控制器件用作光電開關(guān)等光電控制設(shè)備的轉(zhuǎn)換器件。

硅光電池的工作原理

3，硅光電池與光伏電池是一回事嗎

不是一回事，硅光電池是弱電所用電源，如電話所用的電;光伏電池是一些小型用電設(shè)備所用的電。
硅光屬于光伏，光伏電池可以用其他材料的，比如鍺，鎵等。但都是光轉(zhuǎn)電的設(shè)備。具體原理可以去看看半導(dǎo)體物理
你好！不一樣。光伏電池是一個(gè)大的概念，硅光電池只是光伏電池的一種。晶體硅太陽能電池，燃料敏化電池，薄膜太陽能電池等等都可以說是光伏電池。我的回答你還滿意嗎~~

硅光電池與光伏電池是一回事嗎

4，為什么在硅光電池實(shí)驗(yàn)過程中輸出電流隨著入射光強(qiáng)度改變存在滯后現(xiàn)象

在硅光電池實(shí)驗(yàn)中，輸出電流隨著入射光強(qiáng)度改變存在滯后現(xiàn)象，這是因?yàn)楣怆姵氐墓ぷ髟砗臀锢硖匦运鶎?dǎo)致的。光電池是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，其工作原理是基于光生電效應(yīng)。當(dāng)光線照射在光電池的PN結(jié)上時(shí)，光子能量被吸收并轉(zhuǎn)化成電子能量，從而在PN結(jié)上產(chǎn)生電子空穴對(duì)。這些電子和空穴會(huì)被電場(chǎng)分離，從而形成電流。但是，當(dāng)入射光強(qiáng)度發(fā)生變化時(shí)，光生電子和空穴對(duì)的數(shù)量也會(huì)隨之發(fā)生變化。但是，由于光電池內(nèi)部的載流子傳輸過程是有一定時(shí)間延遲的，因此在入射光強(qiáng)度發(fā)生變化時(shí)，載流子的數(shù)量并不能立即反應(yīng)出來，導(dǎo)致輸出電流的變化存在滯后現(xiàn)象。此外，光電池內(nèi)部存在一些非輻射復(fù)合過程，例如載流子的復(fù)合和表面反射等，這些過程也會(huì)影響輸出電流的變化。這些因素的復(fù)雜交互作用使得輸出電流隨著入射光強(qiáng)度改變存在滯后現(xiàn)象。為了解決這個(gè)問題，可以采取一些措施，例如使用快速響應(yīng)的光電池、優(yōu)化光電池的設(shè)計(jì)和制造工藝、利用反饋控制系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)等等，以提高光電池的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。

5，硅光技術(shù)什么是硅光技術(shù)

硅光子技術(shù)是一種基于硅光子學(xué)的低成本、高速的光通信技術(shù)，用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)，英特爾實(shí)驗(yàn)室通過混合硅激光器技術(shù)的集成激光器，首次實(shí)現(xiàn)了基于硅光子的數(shù)據(jù)連接。
光模塊能收到光就up，up的一端收到了對(duì)端發(fā)過來的光，而對(duì)端可能沒收到你這邊的光，所以down。可能是其中一根光纖有問題，在兩端同時(shí)將光纖收發(fā)反一下，看up的那端是否仍然up，如果原來up的down掉則可以證明這根光纖線路有問題。。

6，硅光技術(shù)能否促成光電子和微電子的融合

微電子芯片的發(fā)展遵循摩爾定律，其性能就會(huì)翻倍，獲得更高的信息處理性能和更大的集成度。由于物理、技術(shù)和經(jīng)濟(jì)等方面的限制，微電子芯片的小型化周期逐漸放緩，微電子技術(shù)可能從目前的5nm工藝節(jié)點(diǎn)升級(jí)到2～3nm節(jié)點(diǎn)。在2～3nm范圍內(nèi)可容納的原子數(shù)少于15個(gè)。由于量子效應(yīng)影響的加劇，晶體管的可靠性顯著提高，嚴(yán)重阻礙了微電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，硅光技術(shù)能促成光電子和微電子融合。隨著先進(jìn)系統(tǒng)的進(jìn)一步升級(jí)，3D存儲(chǔ)技術(shù)迫切需要越來越高的傳輸速度。傳統(tǒng)的電子信息互連結(jié)構(gòu)主要是通過銅介質(zhì)的電子傳導(dǎo)來實(shí)現(xiàn)的。這種結(jié)構(gòu)的信息傳輸速度和距離受到RC時(shí)間常數(shù)和電損耗的限制。信息光電芯片作為通信系統(tǒng)的心臟，硅基光電集成技術(shù)是信息光電子領(lǐng)域中集成光電子和微電子的新興技術(shù)。采用大規(guī)模集成電路技術(shù)中成熟的CMOS工藝制造光學(xué)器件。建立和完善硅光產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)?a target="_blank" class="infotextkey">中國占領(lǐng)全球信息通信價(jià)值鏈頂端的“關(guān)鍵舉措”。能夠有效提升中國信息光電子制造能力，對(duì)于緩解中國信息通信高端光電子芯片的“瓶頸”，推動(dòng)“數(shù)字中國”和“兩個(gè)強(qiáng)國”建設(shè)具有重要意義。中國通信學(xué)會(huì)與國家信息光電子創(chuàng)新中心合作，成功入選2020年中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)十大工程技術(shù)問題之一。在中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)第22屆年會(huì)閉幕式上，中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)在全球正式發(fā)布了該報(bào)告。中國通信學(xué)會(huì)與國家信息光電子創(chuàng)新中心等單位組織專家討論并完善了，本報(bào)告系統(tǒng)介紹了硅光學(xué)技術(shù)的誕生背景、技術(shù)定義和特點(diǎn)、國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。針對(duì)微電子與光電子集成的技術(shù)問題和挑戰(zhàn)，提出了硅光芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)。

7，硅光電池的應(yīng)用

硅光電池應(yīng)用也是很廣泛的，可以用在農(nóng)業(yè)上面，醫(yī)療測(cè)量方面，光檢測(cè)方面等等
把光能轉(zhuǎn)換成電能
硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN 結(jié)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成
光敏傳感器的基礎(chǔ)是光電效應(yīng)，即利用光子照射在器件上，使電路中產(chǎn)生電流或使電導(dǎo)特性發(fā)生變化的效應(yīng)。目前半導(dǎo)體光敏傳感器在數(shù)碼攝像、光通信、航天器、太陽能電池等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，在現(xiàn)代科技發(fā)展中起到了十分重要的作用。能源--硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造衛(wèi)星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無人氣象站等設(shè)備的電源；也可做電子手表、電子計(jì)算器、小型號(hào)汽車、游艇等的電源。光電檢測(cè)器件--用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光增加準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。硅光電池優(yōu)質(zhì)推薦otron品牌。光電控制器件--用作光電開關(guān)等光電控制設(shè)備的轉(zhuǎn)換器件。

8，光芯片與硅光芯片區(qū)別

光芯片和硅光芯片是兩種不同的芯片技術(shù)，它們的區(qū)別和優(yōu)缺點(diǎn)如下：光芯片：區(qū)別：光芯片是利用光學(xué)原理進(jìn)行信號(hào)傳輸和處理的芯片，采用光學(xué)元件和光學(xué)器件來實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的發(fā)射、傳輸和接收。優(yōu)點(diǎn)：1. 高速傳輸：光芯片利用光信號(hào)傳輸，具有較高的傳輸速度和帶寬，可以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸和處理。2. 低能耗：光芯片采用光信號(hào)傳輸，相比電信號(hào)傳輸具有較低的能耗，可以降低系統(tǒng)的能耗和熱量產(chǎn)生。3. 抗干擾性強(qiáng)：光信號(hào)傳輸不受電磁干擾的影響，具有較強(qiáng)的抗干擾性，可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。缺點(diǎn)：1. 成本較高：光芯片的制造和組裝工藝相對(duì)復(fù)雜，成本較高，限制了其在大規(guī)模應(yīng)用中的普及。2. 集成度低：目前光芯片的集成度相對(duì)較低，無法實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能集成，限制了其應(yīng)用范圍。硅光芯片：區(qū)別：硅光芯片是利用硅材料制造的光電子集成電路芯片，將光學(xué)器件和電子器件集成在同一芯片上。優(yōu)點(diǎn)：1. 高集成度：硅光芯片可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)器件和電子器件的高度集成，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能集成，提高系統(tǒng)的性能和功能。2. 成本較低：硅光芯片采用硅材料制造，成本相對(duì)較低，可以降低系統(tǒng)的制造成本。3. 易于集成：硅光芯片可以與傳統(tǒng)的電子器件集成在一起，便于與現(xiàn)有的電子系統(tǒng)進(jìn)行兼容和集成。缺點(diǎn)：1. 傳輸損耗較大：硅材料對(duì)光信號(hào)的傳輸損耗較大，限制了硅光芯片的傳輸距離和傳輸速度。2. 能耗較高：硅光芯片的能耗相對(duì)較高，需要較大的功率供應(yīng)和散熱措施。綜上所述，光芯片和硅光芯片在傳輸速度、能耗、抗干擾性和成本等方面存在差異。消費(fèi)者可以根據(jù)具體需求和應(yīng)用場(chǎng)景選擇適合的芯片技術(shù)。

9，硅光電池表面為什么是藍(lán)的有什么作用

問 硅光電池的受光面為什么是藍(lán)色的? 答 為了減少光線在硅光電池表面的反射，在它的表面還蒸有一層一氧化硅抗反射膜，可以使反射系數(shù)由30％ 問 有什么作用？ 硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)，大家可以自己做一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯(PN結(jié))受到光照時(shí)，你就會(huì)看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個(gè)現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的PN結(jié)面積要比二極管的PN結(jié)大得多，所以受到光照時(shí)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)和電流也大得多。例如，國產(chǎn)2CR型硅光電池在100mW/cm2的入射光強(qiáng)下，開路電壓(需用高內(nèi)阻的直流毫伏計(jì)測(cè)量)為450～600mV，短路電流為16～30mA，轉(zhuǎn)換效率為6％～12％。
是用來減少硅光電池表面光的反射。硅光電池表面還煎有一層一氧化硅地薄膜。把光的反射率30%-39%降低到7%。來提高轉(zhuǎn)換效率。
硅光電池是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件。它的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，核心部分是一個(gè)大面積的PN結(jié)(圖9)。大家可以自己做一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)，把一只透明玻璃外殼的點(diǎn)接觸型二極管與一塊微安表接成閉合回路，當(dāng)二極管的管芯(PN結(jié))受到光照時(shí)，你就會(huì)看到微安表的表針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，顯示出回路里有電流，這個(gè)現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。硅光電池的PN結(jié)面積要比二極管的PN結(jié)大得多，所以受到光照時(shí)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)和電流也大得多。例如，國產(chǎn)2CR型硅光電池在100mW/cm2的入射光強(qiáng)下，開路電壓(需用高內(nèi)阻的直流毫伏計(jì)測(cè)量)為450～600mV，短路電流為16～30mA，轉(zhuǎn)換效率為6％～12％。 　　
為了減少光線在硅光電池表面的反射，在它的表面還蒸有一層一氧化硅抗反射膜，可以使反射系數(shù)由30％降至5%提高受光量。

10，硅光電池的類別

p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時(shí)也不會(huì)導(dǎo)致光電池受影響，是國際上正掀起的前沿性研究熱點(diǎn)。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉(zhuǎn) 換效率為15.3%，經(jīng)減薄襯底，加強(qiáng)陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為 12.6-17.3%。采用廉價(jià)襯底的p-Si薄膜生長方法有PECVD和熱絲法，或?qū)-Si：H材料膜進(jìn)行后退火，達(dá)到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7%。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計(jì)算表明其效率可在28%以上，將使硅基薄膜光電池性能產(chǎn)生突破性進(jìn)展。銅銦硒光電池CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國際光伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達(dá)到17.7%），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點(diǎn)。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價(jià)襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對(duì)電池性能起著決定性作用。現(xiàn)已開發(fā)出反應(yīng)共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或 濺射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復(fù)性差，高效電池成品率低，材料組分較復(fù)雜，缺乏控制薄膜生長的分析儀器。CIS光電池正受到產(chǎn)業(yè)界重視，一些知名公司意識(shí)到它在未來能源市場(chǎng)中的前景和所處地位，積極擴(kuò)大開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。 InP（磷化銦）光電池的抗輻射性能特別好，效率達(dá)17%到19%，多用于空間方面。采用SiGe單晶襯底，研制出在AM0條件下效率大于20%的GaAs/Si異質(zhì)結(jié)外延光電池，最高效率23.3%。Si/ Ge/GaAs結(jié)構(gòu)的異質(zhì)外延光電池在不斷開發(fā)中，控制各層厚度，適當(dāng)變化結(jié)構(gòu)，可使太陽光中各 種波長的光子能量都得到有效利用，GaAs基多層結(jié)構(gòu)光電池效率已接近40%。
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